Методом фотоэлектрической спектроскопии на барьерах полупроводника с металлом и электролитом исследовано образование дефектов в приконтактной области GaAs иSi при осажденииPd на поверхность. Показано, что возникающий в результате химического взаимодействияPd с полупроводником при 100oC слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину ~0.4 мкм в GaAs и ~1 мкм вSi. Если в приконтактной области GaAs встроены один или несколько напряженных слоев квантовых ям InGaAs, то дефекты практически не проникают дальше первой квантовой ямы. Это позволяет уменьшить глубину дефектного слоя, но при этом значительно увеличивается объемная концентрация дефектов в этом слое. PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 73.40.Ns, 73.20.Hb
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Андрющенко И.А. Образование дефектов вGaAs иSi приосажденииPd наповерхность // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 319

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 314

Рассмотрена модель электропроводности поликристаллической кремниевой пленки p-типа с учетом растекания тока в кристаллитах. Модель позволяет непротиворечиво и удовлетворительно описать экспериментальные результаты по электропроводности и эффекту пьезосопротивления в поликремнии p-типа до и после импульсного токового отжига. Сделан вывод о том, что площади электрических контактов между кристаллитами близки к геометрическим площадям между ними, тем не менее плотность тока в кристаллитах неоднородна. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Cw
Любимский В.М. Модель проводимости поликристаллического кремния p-типа, учитывающая растекание тока вкристаллитах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 307

В приближении поверхностной молекулы рассмотрено взаимодействие уровней кремниевых и углеродных вакансий с состояниями металла. Показано, что определяющая роль кремниевых вакансий в формировании барьера Шоттки на контакте Cr--SiC объясняется высокой плотностью состояний на антисвязывающем уровне. PACS: 73.30.+y, 71.20.Nr
Давыдов С.Ю., Посредник О.В. Овлиянии вакансий вподрешетках кремния иуглерода наформирование барьера Шоттки наконтакте металл--SiC // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 304

Определена электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в случае, когда электрическое и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Зарядовое упорядочение при этом рассматривается как чередование слоев с различной плотностью носителей тока. Электропроводность при рассеянии на акустических фононах вычисляется в приближении сильного квантования, когда межподзонные переходы можно считать подавленными. Показано, что при переходе слоистого кристалла из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное осцилляции электропроводности становятся двупериодическими, причем высокая основная частота определяется величиной эффективного притягивающего межэлектронного взаимодействия, отвечающего за зарядовое упорядочение, а низкая модулирующая--- шириной узкой минизоны в направлении, перпендикулярном слоям. Показано также, что при переходе из неупорядоченного состояния в почти полностью упорядоченное продольная проводимость слоистого кристалла понижается на 2--3порядка, а относительный вклад осцилляций резко возрастает, что находится в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 73.61.At, 72.15.Gd
Горский П.В. Электропроводность слоистых зарядово-упорядоченных кристаллов в квантующем магнитном поле в области инверсии неосциллирующей части магнитосопротивления // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 296

Представлены результаты по взаимодействию инфракрасного лазерного излучения (homega<< Eg и плотностью мощностиW, не превышающей порог теплового разрушения кристаллов) снизкоомным p-CdZnTe (4=<rho=<25 Ом·см). Показано, что лазерностимулированные дефекты, в зависимости от времени взаимодействия иW, до достижения стабильного состояния проходят две неравновесные стадии, в пределах которых свойства кристаллов частично релаксируют к первоначальному состоянию или к стабильному состоянию соответственно. Встабильном состоянии оптическое пропускание (lambda=<20 мкм) и удельное сопротивление достигает значений, которые удовлетворяют требованиям, предьявляемым к подложкам CdZnTe для HgCdTe ИК-фотоприемников. Лазерностимулированные преобразования в решетке рассматриваются в модели, которая предполагает генерацию активированных центров в объеме и их миграцию увлечением свободными носителями в электрическом поле лазерной волны. PACS: 61.72.Yx, 81.40.Tv
Пляцко С.В., Рашковецкий Л.В. Лазерностимулированная компенсация объемных дефектов вp-CdZnTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 287

Проведены исследования оптических свойств полупроводникового твердого раствора CdxHg1-x-yZnyTe в ультрафиолетовой, видимой и инфракрасной областях спектра. Найдены соотношения, позволяющие по положению особых точек E0 и E1 в оптических спектрах оценивать составx иy данного материала. Получено хорошее соответствие теоретических и экспериментальных результатов в области составов 0.09
Белогорохов А.И., Флоренцев А.А., Белогорохов И.А., Пашкова Н.В., Елютин А.В. Ширина запрещенной зоны иоптические свойства твердых растворов CdxHg1-x-yZnyTe вультрафиолетовой ивидимой области спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 281

Предложен механизм оствальдовского созревания островков в условиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур с квантовыми точками. Рассчитана функция распределения островков по размерам для предложенного механизма роста, а также проведено сопоставление экспериментальных гистограмм с рассчитанными кривыми. PACS: 66.30.-h, 68.35.-p
Венгренович Р.Д., Москалюк А.В., Ярема С.В. Распределение островков по размерам вусловиях дислокационно-поверхностной диффузии для полупроводниковых гетероструктур // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 276

Сформулирована система уравнений, описывающая самосогласованное поведение полей упругих смещений и концентрации точечных дефектов в облучаемых центросимметричных кристаллах (германий, кремний). Взависимости от значений времени релаксации дефектов получены модельные эволюционные уравнения, описывающие стационарные нелинейные продольные волны с учетом флексоэлектрического эффекта, связанного с возникновением диэлектрической поляризации при неоднородных упругих деформациях решетки. При определенной конкретной связи между коэффициентами этого уравнения, т. е. параметрами подсистемы дефектов и упругой нелинейной среды, получены точные решения, описывающие возникновение как солитонов, так и ударных волн небольшой интенсивности. Оценены вклады в линейную скорость звука и дисперсионные свойства среды, обусловленные дефектно-деформационным взаимодействием и флексоэлектрическим эффектом. PACS: 71.55.Cn, 62.30.+d
Мирзаде Ф.Х. Нелинейные продольные волны взаимодействующих полей деформации иконцентрации дефектов вгермании икремнии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 269

Построена теория нелинейных поверхностных акустических волн в полупроводниках при наличии парамагнитных примесей. Рассматривается процесс образования нелинейных волн в многослойных системах в условиях, когда два различных (резонансный и нерезонансный) механизма формирования нелинейных волн являются одновременно эффективными. Получены явные аналитические выражения для поверхностных акустических бризеров. Показано, что взаимодействие волны с электронами проводимости приводит к слабому затуханию амплитуды и изменению параметров бризера. PACS: 43.20.El, 77.65.Dq
Адамашвили Г.Т., Адамашвили Н.Т., Моцонелидзе Г.Н., Пейкришвили М.Д. Поверхностные акустические бризеры вполупроводниках // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 264