Изучен кинетический механизм образования дефектов на вицинальной поверхности, разориентированной в двух направлениях, при молекулярно-пучковой эпитаксии. Эти дефекты представляют собой два адатома--- \glqq двойку\grqq, слипшихся в потенциальной канаве у края ступени. Изучено влияние параметров поверхности и скорости роста на вероятность образования таких дефектов. Показано, что увеличение угла разориентации поверхности способствует резкому уменьшению количества дефектов в процессе роста. PACS: 81.15.Aa
Бойко А.М., Сурис Р.А. Роль одномерной диффузии вмодели роста поверхности кристалла Косселя // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 372

Изготовлен униполярный гетеротранзистор AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs нового типа со слоем квантовых точек InAs непосредственно в канале GaAs. Экспериментально получены высокие значения максимального тока насыщения транзистора до35 А/см и крутизны до 1300 мСм/мм. Представлена модель, объясняющая особенности вольт-амперной характеристики нового прибора ионизацией квантовых точек сильным полем и десятикратным повышением дрейфовой скорости электронов в структуре со слоем квантовых точек InAs вблизи гетероперехода AlGaAs/GaAs. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Мокеров В., Пожела Ю., Пожела К., Юцене В. Гетероструктурный транзистор наквантовых точках сповышенной максимальной дрейфовой скоростью электронов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 367

Показано, что квантование моментов оптических фононов в квантовой яме GaAs путем формирования барьерного слоя InAs с квантовыми точками позволяет исключить неупругое рассеяние электронов на оптических фононах и повысить дрейфовую скорость электронов выше дрейфовой скорости насыщения. Экспериментально установлено десятикратное увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в гетероструктуре AlGaAs/GaAs с введенными барьерами в виде квантовых точек InAs в квантовой яме GaAs в сравнении с дрейфовой скоростью насыщения в объемном GaAs. Увеличение максимальной дрейфовой скорости электронов позволяет повысить максимальную плотность тока, крутизну и частоту отсечки гетероструктурного полевого транзистора с квантовыми точками. PACS: 85.30.Tv, 85.35.Be
Пожела Ю.К., Мокеров В.Г. Большое повышение максимальной дрейфовой скорости электронов вканале полевого гетеротранзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 362

Представлены спектральные, вольт- и ватт-амперные характеристики светодиодов с активным слоем из InGaAsSb (длина волны излучения1.94 мкм при 300 K) втемпературном диапазоне77-543 K, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии на подложке GaSb и имеющих конструкцию типа флип-чип. Спектральные и мощностные характеристики обсуждаются в связи с особенностями конструкции, поглощением излучения в подложке и джоулевым разогревом. PACS: 85.60.Jb
Зотова Н.В., Ильинская Н.Д., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Шленский А.А. Светодиоды флип-чип на основе InGaAsSb/GaSb, излучающие надлине волны1.94 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 356

Исследовано отражение инфракрасного излучения в диапазоне длин волн 1000--2200 нм подложками n-InP с \glqq тыльным\grqq зеркалом MgF2/Au. Установлено, что величина коэффициента отражения слабо зависит от толщины подложек и концентрации свободных носителей в диапазоне (0.1-6)· 1018 см-3. Методами жидкофазной эпитаксии и диффузии цинка и фосфора из газовой фазы получены термофотоэлектрические преобразователи на основе изопериодической гетероструктуры InP--In0.53Ga0.47As p-n- и n-p-полярности. Показано, что p-n- и n-p-термофотоэлементы с одинаковой конфигурацией контактов площадью1 см2 имели следующие характеристики: напряжение холостого хода Uoc=0.465 B и фактор заполнения FF=64% при плотности тока 1 A/см2, коэффициент отражения R=76-80% для длин волн >1.86 мкм. PACS: 85.80.Fi, 85.60.Bt
Карлина Л.Б., Власов А.С., Кулагина М.М., Тимошина Н.Х. Термофотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур In0.53Ga0.47As/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 351

Исследованы выращенные на подложках GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктуры с квантовыми ямами InGaNAs, содержащими монослойные внедрения InAs и ограниченными сверхрешетками InGaNAs/GaNAs. При больших концентрациях индия наблюдался вызванный увеличением напряжения рассогласования переход от двумерного к островковому режиму роста. Наибольшая длина волны излучения при комнантной температуре, достигнутая в структурах с квантовыми ямами, составила1.59 мкм, вструктурах с квантовыми точками---1.76 мкм. PACS: 78.67.Hc, 78.67.De, 78.55.Cr
Михрин В.С., Васильев А.П., Семенова Е.С., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Устинов В.М. Гетероструктуры с квантовыми ямами и квантовыми точками InAs/InGaNAs/GaNAs, излучающие вспектральном диапазоне1.4--1.8 мкм // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 347

Исследовано влияние предосаждения напряженных слоев Si1-xGex (x=<20%) на фотолюминесценцию самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001). Обнаружено смещение пика фотолюминесценции от куполообразных островков в сторону меньших энергий по сравнению с пиком фотолюминесценции от пирамидальных островков, которое связывается со значительно большей высотой куполов по сравнению с пирамидами. Выявлено, что с увеличением содержания Ge в слое Si1-xGex более10% в широкой полосе фотолюминесценции от островков появляются два отдельных пика, которые связываются с бесфононным и фононным оптическими переходами в островках. Их появление вызвано изменением типа TO-фотона, участвующего в оптической рекомбинации, с TOGe-Ge-фонона на более коротковолновый TOSi-Ge-фонон. PACS: 78.67.Hc, 78.55.Hx, 81.07.Ta
Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Шалеев М.В., Яблонский А.Н. Особенности фотолюминесценции самоформирующихся островков Ge(Si)/Si (001), выращенных на напряженном слое Si1-xGex // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 343

Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследована эмиссия электронов из состояний в системе вертикально-сопряженных квантовых точек InAs в p-n-гетероструктурах InAs/GaAs в зависимости от толщины прослойки GaAs между двумя слоями квантовых точек InAs и от величины напряжения обратного смещения. Установлено, что полупроводниковая гетероструктура InAs/GaAs с толщиной прослойки GaAs 100 Angstrem проявляет себя как система несвязанных квантовых точек. Эти структуры имеют в спектрах DLTS два пика, которые определяются основным и возбужденным состояниями одиночной квантовой точки с уровнями энергии, проявляющими слабое смещение Штарка (1-2 мэВ). Для гетероструктуры InAs/GaAs с двумя слоями квантовых точек InAs, разделенных прослойкой GaAs толщиной 40 Angstrem, определено, что они находятся в фазе молекул. Гибридизация электронных состояний двух близко расположенных квантовых точек приводит к расщеплению уровней на связанные и антисвязанные, основные и возбужденные состояния электронов, 1s+, 1s-, 2p+, 2p-, 3d+, которые отображаются в спектрах DLTS в виде 5пиков. Для этих квантовых состояний наблюдалось как сильное смещение Штарка уровней энергии (10-40 мэВ), так и пересечение (crossing) зависимостей энергий от величины электрического поля. Исследуемые структуры с вертикально-сопряженными квантовыми точками выращивались методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием эффектов самоорганизации. PACS: 73.21.Lc
Соболев М.М., Жуков А.Е., Васильев А.П., Семенова Е.С., Михрин В.С., Цырлин Г.Э., Мусихин Ю.Г. Связывание состояний электронов вмолекуле квантовых точекInAs/GaAs // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 336

Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n--AIIBVI/ n-AIIBVI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-CdSe для создания эффективных \glqq солнечно-слепых\grqq сенсоров ультрафиолетового излучения. PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq
Комащенко В.Н., Колежук К.В., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н. Спектральная чувствительность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-A IIB VI // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 332

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. Спомощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk
Болховитянов Ю.Б., Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Ревенко М.А., Соколов Л.В. Озарождении дислокаций несоответствия споверхности привыращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной (300-400o C) молекулярной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 324