Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. Методы легирования слоев кремния впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 188

Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник--окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv
Исмаилов Х.Х., Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж. Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках p-CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 185

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции--- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалахSi. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристалловSi. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристалловSi, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 180

Исследовалось влияние облучения alpha-частицами низких энергий (5.5 МэВ) на электрические свойства поликристаллических пленок p-PbSe. Обнаружено, что концентрация(p) и подвижность(mu) носителей заряда уменьшаются в результате облучения. Линейная зависимостьp иmu-1 от квадратного корня из интегрального потока Phi1/2 объясняется в допущении, что межузельные атомы обеих подрешеток захватываются собственными протяженными дефектами--- дислокациями, межзеренными границами. PACS: 73.50.Dn, 73.61.Le, 61.82.Fk
Салий Я.П. Механизм кинетики электрофизических свойств поликристаллических пленок p-PbSe приоблучении alpha -частицами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 177

Предложена последовательность смены состояний катионных и анионных подрешеток в системе (TmBiCa)3(FeGa)5O12, выращенных методом жидкофазной эпитаксии на подложках изGd3Ga5O12 ориентации[111], при изменении концентрации кальция. Существуют критические значения двухвалентной примеси: при малых концентрациях (примерно до0.2 ат %) образуютсяFe4+; при промежуточных концентрациях (0.25-0.3 ат %) возникают анионные вакансии, далее появляются однозарядные ионы кислорода. PACS: 72.20.Fr, 72.80.Jc
Булатов М.Ф., Пархоменко Ю.Н. Механизмы проводимости магнитных полупроводников соструктурой граната взависимости от концентрации иновалентной примеси // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 174

В жидком гелии в пленках Pb1-xSnxTe<In>/BaF2 обнаружено увеличение тока под воздействием лазерного излучения с длиной волны lambda=336.8 мкм (частота ~0.9·1012 Гц), которое не может быть объяснено разогревом образца. Наблюдаемое время релаксации фотосигнала не превосходит постоянной времениRC измерительной цепи, составлявшей доли секунды, и значительно меньше, чем при освещении в фундаментальной полосе поглощения Pb1-xSnxTe<In>. Полученные результаты объясняются увеличением низкочастотной диэлектрической проницаемостиvarepsilon вследствие возбуждения фотонами субмиллиметрового диапазона длин волн одного или двух поперечных оптических фононов вблизи центра зоны Бриллюэна на ветви, ответственной за сегнетоэлектрический фазовый переход. Это приводит к увеличению ограниченного объемным зарядом инжекционного тока из контактов без генерации свободных носителей заряда вобъеме. PACS: 78.66.Li
Акимов А.Н., Ерков В.Г., Кубарев В.В., Молодцова Е.Л., Климов А.Э., Шумский В.Н. Фоточувствительность пленок Pb1-xSnxTe&lt;In&gt; втерагерцовой области спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 169

Представлены результаты исследования поглощения инфракрасного излучения свободными носителями заряда в монокристаллах GaAs : Te, выращенных методом Чохральского с концентрацией электронов n0=5· 1017-6· 1018 см-3. Анализ спектральных зависимостей коэффициента поглощения проводился с учетом пространственной корреляции в распределении примесных зарядов. Показано, что модель корреляции ближнего порядка позволяет объяснить уменьшение величины коэффициента поглощения и ослабление его спектральной зависимости в области поглощения свободными носителями заряда, обусловленного рассеянием на ионах примеси. PACS: 78.20.Di, 78.30.Fs, 71.55.Eq
Богданова В.А., Давлеткильдеев Н.А., Семиколенова Н.А., Сидоров Е.Н. Рассеяние электронов проводимости на пространственно коррелированной системе зарядов всильно легированномGaAs : Te // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 166

Методом Монте-Карло рассчитана фотоэдс Дембера, а также исследована генерация электромагнитных терагерцовых импульсов в арсениде индия, возбуждаемом фемтосекундным лазерным излучением. Динамика электрического поля и транспорт носителей тока рассчитывались самосогласованным образом. Показано, что при возбуждении полупроводника лазерными импульсами с энергией кванта homega=<sssim 1.5 эВ фотоэдс достигает максимальной величины через50-100 фс после возбуждения, а затем затухает, осциллируя с плазменной частотой. Величина фотоэдс в максимуме может намного (вдесятки раз) превосходить типичные значения эдс Дембера при стационарном освещении. При возбуждении полупроводника более коротковолновым излучением (homega>~= 1.6 эВ) фотоэлектроны рассеиваются в боковыеL- иX-долины, в результате чего фотоэдс и эффективность генерации терагерцового излучения уменьшаются. PACS: 78.47.+p, 78.70.Gg, 73.50.Mx
Малевич В.Л. Монте-Карло моделирование эффекта Дембера в n-InAs прифемтосекундном лазерном возбуждении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 160

Исследованы особенности роста, дефектная структура и фотолюминесценция кристаллитов ZnTe, полученных на стенках кристаллизатора при температуре 650oC в режиме быстрого роста из пересыщенных паров исходных компонентов. Каждый отдельный кристаллит размером до10 мм имеет общую ось[011], вокруг которой сдвойниковано несколько индивидов. Совершенные фрагменты отдельных индивидов сложены одной системой плоских макрослоев (110) толщиной в несколько десятков микрометров каждый. Монокристаллическая пластина толщиной0.8 мм, содержащая на одной стороне слои роста (110), пересекается системой перпендикулярных к ростовой поверхности двойниковых границ (111) с понижением числа границ на внешней ростовой поверхности. Спектры фотолюминесценции подтверждают структурное совершенство полученных кристаллов. PACS: 61.66.Fn, 61.72.Mm, 78.55.Et
Клевков Ю.В., Мартовицкий В.П., Багаев В.С., Кривобок В.С. Морфология, двойникование ифотолюминесценция кристаллов ZnTe, выращенных методом химического синтеза компонентов изпаровой фазы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 153

Методом Бриджмена выращены монокристаллы CdTe : Si с разными концентрациями примесиSi: C0Si=2·1018-5·1019 см-3. Образцы имели n- и p-типа проводимости, величина которой была в пределах sigma=2·10-1-8·10-9 Ом-1·см-1. При нагревании кристаллов p-типа проводимости в интервале температур 300-440 K происходил их отжиг, при этом проводимость уменьшалась. Вид спектров низкотемпературной (5-20 K) фотолюминесценции образцов указывает на их высокое структурное совершенство. Особенностью излучения кристаллов CdTe : Si является уменьшение интенсивности всех линий, которые образуются при участии доноров, по мере приближения к верхней части слитков. Полученные результаты указывают на то, что примесьSi, в отличие отGe, Sn иPb, не проявляет вCdTe компенсирующего и стабилизирующего действия. PACS: 78.55.Et, 73.61.Ga
Парфенюк О.А., Илащук М.И., Уляницкий К.С., Фочук П.М., Стрильчук О.М., Крилюк С.Г., Корбутяк Д.В. Электрофизические свойства и низкотемпературная фотолюминесценция монокристаллов CdTe, легированныхSi // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 148