Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In--GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In--GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на1 см2 площади контактов (107-108) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (108 см-2). PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока всплавном омическом контакте In-GaN // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1204

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS:71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1196

Для обнаружения резонансных состояний в GaNxAs1-x предложено исследовать спектры собственной фотолюминесценции при комнатной температуре или высоких уровнях возбуждения, позволяющих заселить создаваемыми светом носителями высокоэнергетические состояния в разрешенных зонах. Спомощью этих методов в объемных слоях GaNxAs1-x (x=< 0.015) обнаружены состояния с энергетическими уровнями в зоне проводимости. Эти уровни создают полосу с полушириной около0.07 эВ, максимум плотности в которой при температуре 290 и80 К находится соответственно на~1.4 и~1.48 эВ выше потолка валентной зоны. Положение этого максимума относительно валентной зоны практически не зависит от содержания азота во всем исследованном диапазоне 0.0005=< x=< 0.015. Предполагается, что эти состояния связаны с различными кластерами атомов азота. PACS: 78.55.Cr; 71.20.Nr
Гуткин А.А., Брунков П.Н., Гладышев А.Г., Крыжановская Н.В., Берт Н.Н., Конников С.Г., Hopkinson M., Patane A., Eaves L. Оптическое исследование резонансных состояний вGaNxAs1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1192

Исследованы спектры катодолюминесценции поликристаллических CVD-конденсатов ZnSxSe1-x, выращенных с избытком цинка. По положению экситонных полос при 300 K уточнен ход зависимости Eg(x). Подтверждена перестройка спектров при растворении кислорода в решетке под воздействием высоких давлений и температур газостатирования. Выявлена зависимость самоактивированного свечения от состава сульфоселенидов. Для составов, близких к ZnSe, возникает самоактивированная SAL-полоса, а для составов со стороны ZnS наблюдается только коротковолновое смещение SA-полосы, что наиболее типично и для самих соединений. Дано объяснение этим особенностям на основе расчетов равновесия собственных точечных дефектов, влияющих на положение уровня Ферми при отклонении от стехиометрии ZnSe и ZnS. Оценены области спектров, в которых могут наблюдаться полосы кислородсодержащих комплексов SA и SAL в ZnSxSe1-x, зависящие от x и от концентрации кислорода в узлах решетки. Изучено поведение экситонных полос и возникающего инфракрасного излучения в ионах Cu (3d9) после газостатирования. Показано, что изменение ансамбля собственных точечных дефектов при газостатировании определяется увеличением количества дефектов с меньшим объемом, в частности, для сульфоселенидов--- SSe. Интерпретация спектров дается на основе теории непересекающихся зон, инициируемых изоэлектронной примесью. PACS: 78.60.Hk, 78.66.Hf, 81.05.Dz, 81.40.Tv
Морозова Н.К., Каретников И.А., Мидерос Д.А., Гаврищук Е.М., Иконников В.Б. Исследование влияния кислорода на спектры катодолюминесценции иширину запрещенной зоны ZnSxSe1-x // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1185

Исследовался кристаллическийSi, имплантированный ионами кобальта (флюенс Phi=1014-1016 см-2) с энергией380 кэВ. Методом резерфордовского обратного рассеяния определен порог аморфизацииSi (Phi= 3· 1014 см-2). При температуре T=78 K в имплантированномCo+ кремнии для Phi>=q3·1014 см-2 зарегистрирована квазирезонансная анизотропная линия электронного парамагнитного резонанса шириной порядка170 мТл. На фоне этой линии наблюдался резонансный сигнал парамагнитных центров аморфных областейSi (g=2.0057, delta B=0.74 мТл). Квазирезонансная линия электронного парамагнитного резонанса от атомовCo и собственных дефектовSi при T=300 K не наблюдалась. PACS: 61.72.Hh, 61.72.Tt, 76.30.Lh, 81.05.Cy, 81.40.Rs
Поклонский Н.А., Лапчук Н.М., Коробко А.О. Магнитное упорядочение в кристаллическомSi, имплантированном ионамиCo промежуточных флюенсов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1181

Генерация дислокаций в кристаллах CdTe вызывает появление в спектрах излучательной рекомбинации новых линий--- \glqq дислокационной\grqq фотолюминесценции. Получены спектральное распределение \glqq дислокационных\grqq полос и профили пространственного распределения их интенсивности вблизи места индентирования на гранях(111) и(001). Из сопоставления профилей с кристаллографической структурой дислокаций идентифицированы типы дефектов, ответственных за две группы полос излучения. Первая группа (основной максимум при841 нм) определяется электронными состояниями 60-градусных дислокаций с экстраполуплоскостями, обрамленными атомами теллура,--- Te(g)-дислокаций. Линии излучения другой группы (максимум при806 нм) связаны с упорядоченными структурами точечных дефектов, которые генерируются ступеньками на винтовых сегментах дислокационных полупетель с головными Cd(g)-дислокациями. PACS: 78.55.Et, 61.72.Lk, 61.72.Ji
Тарбаев Н.И., Шепельский Г.А. Две серии полос &#92;glqq дислокационной&#92;grqq фотолюминесценции вкристаллах теллурида кадмия // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1175

Исследована кинетика СВЧ фотопроводимости пленок CdSe, полученных методом пиролиза аэрозоля водных растворов тиомочевинных координационных соединений на кварцевых и ситалловых подложках в диапазоне температур Ts=300-600oC. Для характеризации пленок использован анализ рентгеновских дифрактограмм, спектров оптического поглощения и отражения. СВЧ фотопроводимость (возбуждение лазерными импульсами10 нс, 337 нм) исследовалась при 295 K резонаторным методом и диапазонах 9и36 ГГц. Кинетика процессов гибели фотоэлектронов, определяющих временные характеристики фотоотклика, зависела от температуры опытаT и интенсивности падающего осветаI. На пленках, полученных при Ts450oC кинетика гибели не соответствовала ни 1-му, ни 2-му порядку при низких величинахI, но приближалась к кинетике 2-го порядка при высоких значениях I>1014 фотон/см2 на один импульс. PACS: 73.50.Mx, 73.50.Pz, 78.30.Fs, 78.47+p
Метелева Ю.В., Новиков Г.Ф. Получение и СВЧ фотопроводимость полупроводниковых пленокCdSe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1167

Получена серия металлофталоцианиновых комплексов (MPc) [CoPc, CuPc, CuPcCl15-16, CuPc(4-NO2-5-OPh)4, CuPc(4-CH2-phthalimide)4, CuPc(4-NO2-5-NHPhBr)4, PdPc, MgPc, PbPc, EuOAcPc, SmOAcPc, SmPc2, YOAcPc]. Проведено исследование MPc с помощью ИК спектроскопии. Выявлена корреляция сдвига максимума полос поглощения в области 1100-1600 см-1 и величины атомного радиуса темплатного металла. Показано, что планарность макроцикла периферийно-замещенных CuPc можно оценить из характеристик ИК спектров. PACS: 78.30.Jw, 78.66.Qn
Зиминов А.В., Рамш С.М., Теруков Е.И., Трапезникова И.Н., Шаманин В.В., Юрре Т.А. Корреляционные зависимости в инфракрасных спектрах металлофталоцианинов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1161

Изложена теоретическая модель для расчета функции распределения квантовых точек по размерам при росте по механизму Странского--Крастанова в гетероэпитаксиальных системах, рассогласованных по параметру решетки. Модель основана на общей теории нуклеации островков при фазовом переходе первого рода, где роль метастабильной фазы играет перенапряженный смачивающий слой, а упругонапряженные трехмерные островки являются зародышами новой фазы. Построенная модель уточняет ряд результатов, полученных ранее. Теория применима на кинетической стадии формирования квантовых точек, когда ансамбль является невзаимодействующим. Вработе дан пример расчета кинетики формирования \glqq hut\grqq кластеров в гетероэпитаксиальной системе Ge/Si(100). PACS: 68.65.Hb; 81.10.Aj
Дубровский В.Г. Расчет функции распределения квантовых точек поразмерам накинетической стадии роста // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1153

Разработана стационарная физико-топологическая модель p-i-n-фотодиода на основе двумерного дрейфово-диффузионного описания процессов переноса носителей заряда в многослойных гетероструктурах InxGa1-xAsyP1-y/InP с учетом функции распределения Ферми--Дирака для электронов и дырок, зависимости подвижности от концентрации легирующей примеси и напряженности электрического поля, а также термоэлектронной эмиссии и туннелирования носителей заряда на гетерограницах. Проведен анализ влияния конструктивных параметров на характеристики p-i-n-фотодиода большой площади и предложены пути расширения его динамического диапазона. PACS: 73.40.Kp, 78.66.Fd, 85.30.De, 85.60.Dw
Малышев С.А., Чиж А.Л., Василевский Ю.Г. Двумерное моделирование p-i-n-фотодиодов большой площади наоснове InGaAs/InP // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1144