Методом Бриджмена (вертикальный вариант) выращены монокристаллы тройного соединения CuIn5Se8, определены их состав и структура. Исследованы спектры пропускания и спектры фотолюминесценции в интервале температур 10-300 K. Поспектрам пропускания определена ширина запрещенной зоны, по спектрам фотолюминесценции--- энергия донорно-акцепторных переходов в монокристаллах CuIn5Se8, и построены их температурные зависимости. PACS: 71.55.Ht, 78.40.Ha, 78.55.Hx
Боднарь И.В. Оптические свойства монокристаллов CuIn5Se8 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 27

Методом мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x и (As2Se3)1-z(GeSe2)z-x(SnSe2)x как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. PACS: 76.80.+y, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 61.43.Fs
Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И. Электрофизические свойства истроение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 23

Построена модель распределения плотности тока и температуры в полупроводниковом образце. Показано, что профиль температуры в образце может иметь точку перегиба, разделяющую \glqq гoрячую\grqq и \glqq холодную\grqq области. Положение точки перегиба определяется величиной тока: чем больше ток через образец, тем точка перегиба ближе к центру образца. PACS: 72.20.Fr, 72.20.Ht
Рыбаков Ф.Н., Мелких А.В., Повзнер А.А. Сжатие токопроводящей области всобственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 20

Исследованы вольт-амперные характеристики в области сильных электрических полей в монокристаллах MnGaInS4. Показано, что ток в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен термополевым эффектом Френкеля. Определены диэлектрическая проницаемость, концентрация ловушек, а также форма потенциальной ямы. PACS: 72.80.Ga, 75.50.Pp
Нифтиев Н.Н., Тагиев О.Б. Термополевой эффект Френкеля вслоистых монокристаллахMnGaInS4 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 17

Исследованы электрофизические свойства p-ZnSiAs2, облученного протонами (энергия E=5 МэВ, доза D=< 2·1017 см-2). Из экспериментальных и расчетных данных оценено положение предельного уровня Ферми в облученном материале (середина запрещенной зоны Eg/2). Винтервале температур 20-610oC проанализирована термическая стабильность радиационных дефектов. PACS: 61,80.Jh, 73.61.Le
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 13

С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионамиPF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+иF+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеровPF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е.наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln
Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений вкремнии приоблучении кластерными ионамиPF+n средних энергий // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 7

В температурном интервале 300-850 K измерена величина коэффициента теплового линейного расширения монокристаллического SmS. Измерения проведены параллельно дилатометрическим и рентгеновским методами. Показано, что различие результатов, полученных этими двумя методами, объясняется возникновением в результате нагрева фаз SmS с пониженной величиной параметра кристаллической решетки 5.62-5.8 Angstrem, близкой к таковой для металлическогоSmS. PACS: 65.40.De
Каминский В.В., Лугуев С.М., Омаров З.М., Шаренкова Н.В., Голубков А.В., Васильев Л.Н., Соловьев С.М. Температурная зависимость коэффициента теплового линейного расширения монокристаллическогоSmS // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 3

Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газаmue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. Спомощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от590 до610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижностьmue увеличивается на53% при T=300 K и на69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61.Ey
Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя наподвижность двумерного электронного газа вPHEMT-структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1479

Методом электрохимического осаждения изготовлены солнечные элементы на основе гетеропереходов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe. Изучены зависимости их электрических и фотоэлектрических свойств от режима термической обработки. Показано, что термическая обработка снижает туннельные токи почти на 2порядка величины. Определен оптимальный режим термической обработки (t=300oC иtau=9 мин), при котором обеспечивается максимальная фоточувствительность исследуемых гетеропереходов (Isc~ 21.2 мА/см2, Uoc~813 мВ, eta=14.7%). PACS: 84.60.Jt; 82.45.Qr
Абдинов А.Ш., Мехтиев Н.М., Мамедов Г.М., Амирова С.И. Электрические и фотоэлектрические свойства солнечных элементов SnO2/Cd0.4Zn0.6S/CdTe, изготовленных электрохимическим методом // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1476

Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd--SiO2--n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd--SiO2--n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk
Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С. Влияние термического отжига начувствительность кремниевых МОПдиодов квосстановительным газам // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1470