Экспериментально исследована температурная зависимость величины порогового тока для полупроводникового вертикально излучающего лазера на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек. Продемонстрировано, что для корректного описания температурных характеристик приборов следует использовать величину рассогласования между длиной волны генерации и максимумом спектра усиления (расстройку). Предложена форма описания температурной зависимости порогового тока вертикально излучающего лазера, учитывающая не только падение максимального усиления активной области с температурой, но и влияние температурной зависимости величины расстройки. PACS:42.55.Px, 85.60.Jb, 73.21.La
Блохин С.А., Сахаров А.В., Малеев Н.А., Кузьменков А.Г., Новиков И.И., Гордеев Н.Ю., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Ковш А.Р., Михрин С.С., Lee G., Chi J.Y. Экспериментальное исследование температурной зависимости пороговых характеристик вполупроводниковых вертикально излучающих лазерах на основе субмонослойных InGaAs-квантовых точек // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1264

Выполненные на основе современных CVD-пленок SiC детекторы облучались протонами с энергией8 МэВ при дозе 3· 1014 см-2. Концентрация первично введенных дефектов составила ~ 1017 см-3, что на 3порядка величины превысило содержание исходных нескомпенсированных доноров. Наступившая глубокая компенсация проводимости позволила проводить измерения характеристик детекторов в двух режимах включения--- обратном и прямом направлении. Основные характеристики сравнительно с дозой 1· 1014 см-2 ухудшались не более чем в1.7 раза. Однако наблюдалось возникновение эдс поляризации, что указывает на накопление радиационными дефектами объемного заряда. PACS: 85.60.Gz
Иванов А.М., Лебедев А.А., Строкан Н.Б. Влияние экстремальных доз радиации на характеристики SiC-детекторов ядерных частиц // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1259

Предложен и опробован простой неразрушающий метод определения площади внутренней поверхности, пористости, диаметра и плотности пор в макропористом кремнии со сквозными каналами. Пористостьp находят из потери массы в процессе анодирования, площадь поверхности на единицу объемаSv--- из массы двуокиси кремния, образующейся на поверхности пор в результате термического окисления. Приводятся соотношения для определения средних диаметраd и плотности порN из полученныхp иSv. Проведены исследования удельной площади поверхности и пористости в зависимости от удельного сопротивления исходного n-Si в диапазоне rho=3-25 Ом · см в образцах с упорядоченной и самоорганизующейся решеткой макропор. Полученные значения лежат в диапазоне p=27-50%, Sv=2800-6000 см2/см3, d=1.9-6.5 мкм, N=1.4-10· 106 см-2 и согласуются с данными микроскопических исследований. PACS: 61.43.Gt, 81.05.Rm, 81.65.Mg
Нечитайлов А.А., Астрова Е.В., Кукушкина Ю.А., Каменева С.Ю. Окислительно-гравиметрическая порометрия макропористого кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1254

Исследовалось влияние примеси гольмия(Ho) на фотоэлектрические свойства монолитных и пленочных образцов As2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7. Измерения относительной фотопроводимости на монолитных образцах и спектрального распределения фототока на пленочных образцах показали увеличение фотопроводимости веществ при их легированииHo в концентрации 0.010-0.015 ат%. Из спектрального распределения фототока и оптического поглощения установлено, что с увеличением концентрацииHo до0.015 ат % ширина запрещенной зоны монотонно уменьшается от1.88 до1.85 эВ дляAs2Se3 и от2.05 до2.00 эВ для (As2S3)0.3(As2Se3)0.7, а затем слабо возрастает до значений в исходных чистых материалах. PACS: 72.40.+w, 73.50.Pz, 78.40.Pg
Бурдиян И.И., Сенокосов Э.А., Косюк В.В., Пынзарь Р.А. Влияние примеси гольмия(Ho) нафотоэлектрические свойстваAs2Se3 и(As2S3)0.3(As2Se3)0.7 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1250

Изучено влияние спиновых расщеплений, вызванных структурной (вклад Рашбы) и объемной (вклад Дрессельхауза) асимметрией, на магнетопроводимость двумерных структур с высокой подвижностью. Построена теория слабой локализации с учетом обоих вкладов, применимая во всем диапазоне классически слабых магнитных полей и при произвольном соотношении между частотами спиновой прецессии и упругих столкновений. Продемонстрировано подавление антилокализационной поправки в случае, когда объемный и структурный вклады в спиновое расщепление равны. Исследовано влияние на квантовое магнетосопротивление кубического по волновому вектору вклада в спиновое расщепление. PACS: 71.70.Ej, 72.15.Rn, 73.20.Fz, 73.63.Hs
Глазов М.М., Голуб Л.Е. Недиффузионная слабая локализация в двумерных системах соспин-орбитальным расщеплением спектра // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1241

Работа посвящена развитию методов расчета вольт-фарадных характеристик и определения профиля концентрации свободных носителей заряда в полупроводниковых легированных гетероструктурах, содержащих квантовую яму. Расчет вольт-фарадной характеристики гетероструктуры с квантовой ямой осуществляется с помощью численного самосогласованного решения уравнений Пуассона и Шредингера в рамках единого квантовомеханического подхода. Предложенный метод применен для моделирования и анализа экспериментальных вольт-фарадных характеристик гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs. PACS: 73.21.Fg, 73.40.Cg
Зубков В.И. Моделирование вольт-фарадных характеристик гетероструктур сквантовыми ямами спомощью самосогласованного решения уравнений Шредингера иПуассона // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1236

Проведено сравнение фотолюминесценции и электрических свойств слоя окисла кремния, содержащего нанокристаллы кремния. Окисел, содержащий нанокристаллы кремния, был создан сораспылением диоксида кремния и кремния с последующим отжигом для формирования нанокристаллов. Концентрация избыточного кремния в слое варьировалась вдоль образца в пределах от6 до74% по объему. Обнаружено, что величина заряда, определенная по напряжению плоских зон, имеет резко выраженный максимум при содержании избыточного кремния ~26%, при этом максимальный заряд коррелирует с максимальной интенсивностью фотолюминесценции. Дальнейшее повышение содержания избыточного кремния в окисле приводит к уменьшению заряда в окисле, уменьшению интенсивности фотолюминесценции и возникновению перколяционной проводимости. PACS: 81.15.Cd, 78.67.Bf, 61.46.Bc, 73.63.Bd
Антонова И.В., Гуляев М.Б., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Марин Д.В., Ефремов М.Д., Goldstein Y., Jedrzejewski J. Сопоставление электрических свойств ифотолюминесценции взависимости отсостава слоевSiOx, содержащих нанокристаллы кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1229

Исследованы фотолюминесцентные свойства легированных эрбием слоев диоксида кремния, содержащих кремниевые нанокристаллы со средними размерами от 1.5 до 4.5 нм. Установлено, что интенсивность и среднее время жизни фотолюминесценции ионов Er3+ зависят от размеров нанокристаллов, интенсивности оптической накачки и температуры. Полученные результаты объясняются как влиянием локального окружения ионов Er3+, так и проявлением процессов безызлучательного девозбуждения ионов вследствие обратной передачи энергии в твердотельную матрицу и оже-процесса. PACS: 78.55.Ap, 78.67.Bf, 61.72.Tt
Жигунов Д.М., Шалыгина О.А., Тетеруков С.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Zacharias M. Особенности фотолюминесценции ионов эрбия вструктурах скремниевыми нанокристаллами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1224

В диапазоне температур 5--300 K исследована фотолюминесценция нанокластеров CdS, сформированных в матрице пленки Ленгмюра--Блоджетт. Спектр фотолюминесценции нанокристаллов при температуре5 K состоит из двух полос с максимумами при2.95 и2.30 эВ. Температурная зависимость положения максимума высокоэнергетической полосы фотолюминесценции отличается от температурной зависимости ширины запрещенной зоны объемного CdS. Интегральная интенсивность фотолюминесценции данной полосы спадает при температурах от5 до75 K, увеличивается в диапазоне 150--230 K и уменьшается при температурах выше230 K. Экспериментальные данные объяснены в рамках модели рекомбинации неравновесных носителей заряда в нанокластерах CdS с учетом транспорта носителей заряда в локально связанных нанокластерах различных размеров. Врамках модели получена оценка значения энергетической глубины ловушек для электронов, равного120 мэВ, а также значений энергии активации безызлучательной рекомбинации, составляющих около5 и100 мэВ. PACS: 73.20.Hb, 73.22.Df, 78.55.Et, 78.67. Bf, 78.55.Et, 81.05.Dz
Багаев Е.А., Журавлев К.С., Свешникова Л.Л. Температурная зависимость фотолюминесценции нанокластеровCdS, сформированных вматрице пленки Ленгмюра--Блоджетт // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1218

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. Врастворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv
Гольдман Е.И. Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1209