Изучается проблема оптимизации для интенсивности поля излучения второй гармоники на слое с наноструктурой в виде двойной квантовой ямы. Выявлены значения параметров ямы, обеспечивающих режим двойного резонанса. Проведено исследование зависимости оптических характеристик системы от параметров ямы. Рассмотрена задача оптимизации интенсивности поля излучения второй гармоники. Показано, что максимальное преобразование излучения получается при наибольшем значении коэффициента генерации второй гармоники. PACS: 78.67.De
Хачатрян А.Ж., Седракян Д.М., Бадалян В.Д., Хоецян В.А. Эффективная генерация второй гармоники вструктуре сдвойными квантовыми ямами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 67

В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомовGe на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si иGe в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана--- порядка2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt
Орлов Л.К., Ивин С.В. Особенности пиролиза молекул наэпитаксиальной поверхности приросте слоев Si1-xGex изгидридов ввакууме // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 56

Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz
Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 53

Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразованияeta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостейeta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленкахIn2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e
Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 48

На кристаллах p-CuIn3Se5 созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn3Se5, Al/p-CuIn3Se5 и In/p-CuIn3Se5. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn3Se5. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn3Se5 при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 84.60.Jt
Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические явления вбарьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 44

-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Lq
Васильев В.В., Машуков Ю.П. Вольт-фарадные характеристики структур наоснове p-Cd0.27Hg0.73Te сширокозонным варизонным слоем наповерхности // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 38

Рассматривается умеренно легированный полупроводник на изоляторной стороне фазового перехода изолятор-металл, когда акцепторы в зарядовых состояниях(-1), (0) и(+1) формируют A0- и A+-зоны. Получены выражения для длин экранирования внешнего электростатического поля по Дебаю-Хюккелю и Шоттки-Мотту при прыжковой миграции дырок по акцепторам. Проведен расчет квазистатической емкости полупроводника для области температур, когда прыжковые электропроводности дырок в A0-зоне и A+-зоне примерно равны. Показана возможность определения длины экранирования Дебая-Хюккеля исходя из измерений квазистатической емкости даже в условиях сильного поля, т. е.в приближении Шоттки-Мотта. Частота электрического сигнала при измерении квазистатической емкости полупроводника в структуре металл-диэлектрик-полупроводник должна быть много меньше средней частоты прыжков дырок по акцепторам (атомам бора в кремнии). PACS: 71.30.+h, 71.55.Cn, 72.20.Ee, 72.20.Fr
Поклонский Н.А., Вырко С.А., Забродский А.Г. Квазистатическая емкость слабо компенсированного полупроводника спрыжковой электропроводностью (напримереp-Si : B) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 31

Методом Бриджмена (вертикальный вариант) выращены монокристаллы тройного соединения CuIn5Se8, определены их состав и структура. Исследованы спектры пропускания и спектры фотолюминесценции в интервале температур 10-300 K. Поспектрам пропускания определена ширина запрещенной зоны, по спектрам фотолюминесценции--- энергия донорно-акцепторных переходов в монокристаллах CuIn5Se8, и построены их температурные зависимости. PACS: 71.55.Ht, 78.40.Ha, 78.55.Hx
Боднарь И.В. Оптические свойства монокристаллов CuIn5Se8 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 27

Методом мессбауэровской и фотоэлектронной спектроскопии в стеклах (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x идентифицированы два валентных состояния атомов олова и показано, что присутствие двухвалентного олова в структурной сетке стекла не приводит к появлению примесной проводимости и примесного оптического поглощения. Предлагается рассматривать стекла (As2Se3)1-z(GeSe)z-x(SnSe)x и (As2Se3)1-z(GeSe2)z-x(SnSe2)x как полупроводниковые твердые растворы, электрофизические свойства которых зависят как от электрофизических свойств исходных компонентов, так и от состава твердых растворов. PACS: 76.80.+y, 78.20.Ci, 78.66.Jg, 61.43.Fs
Бордовский Г.А., Кастро Р.А., Серегин П.П., Теруков Е.И. Электрофизические свойства истроение халькогенидных стекол, включающих двухвалентное олово // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 23

Построена модель распределения плотности тока и температуры в полупроводниковом образце. Показано, что профиль температуры в образце может иметь точку перегиба, разделяющую \glqq гoрячую\grqq и \glqq холодную\grqq области. Положение точки перегиба определяется величиной тока: чем больше ток через образец, тем точка перегиба ближе к центру образца. PACS: 72.20.Fr, 72.20.Ht
Рыбаков Ф.Н., Мелких А.В., Повзнер А.А. Сжатие токопроводящей области всобственном полупроводнике, вызванное джоулевым саморазогревом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 20