Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до0.5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. PACS71.55.Gs, 78.55.Et, 81.05.Dz
Ушаков В.В., Клевков Ю.В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза впотоке паров компонентов // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 140

На основании измерений температурных зависимостей фоточувствительности и времени жизни неравновесных носителей в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe с x=0.20-0.23 показано, что в пленках n-типа проводимости, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, в области собственной и примесной проводимости доминирует оже-рекомбинация типа CHCC. Вто же время в пленках p-типа, выращенных методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии, в области примесной проводимости наблюдается конкуренция оже-рекомбинации CHLH и рекомбинации Шокли--Рида. Пленки n-типа, выращенные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, имеют гораздо меньшую концентрацию рекомбинационных центров по сравнению с пленками p-типа, выращенными методами жидкофазной и парoфазной эпитаксии. PACS: 72.40.+w, 73.50.Cr
Икусов Д.Г., Сизов Ф.Ф., Старый С.В., Тетеркин В.В. Механизмы рекомбинации неравновесных носителей вэпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe (x=0.20-0.23) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 134

Теоретически описано самоупорядочение изоэлектронных примесей магния и кислорода вZnSe. Предсказано появление тетраэдрических ячеек1O4Mg в твердом растворе MgxZn1-xOySe1-y (x>=q4y), обогащенномZnSe, в области разбавленных концентраций кислорода (1· 10-8=<q y=<q 1· 10-3). При выполнении условий, которые представлены для температур роста (300oC) и отжига (500oC), отдельные примесные атомы кислорода должны быть окружены исключительно атомамиMg. Природой этого является термодинамическое преимущество формирования связей Mg--O иZn--Se по сравнению со связями Mg--S иZn--O, а также уменьшение энергии упругих напряжений после самоорганизации изоэлектронных примесей. PACS: 61.72.Bb, 61.72.Ji, 61.72.Yx
Елюхина О.В., Соколовский Г.С., Кучинский В.И. Самоорганизация изоэлектронных примесейMg иO вZnSe // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 129

Изучались особенности работы детекторов, подвергнутых облучению протонами с энергией8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Детекторы были выполнены на базе современных CVD-пленок 4H-SiC n-типа проводимости, имеющих концентрацию нескомпенсированных доноров ~ 2· 1014 см-3 при толщине55 мкм. Высокая концентрация первично введенных дефектов (~ 2· 1017 см-3) обусловила глубокую компенсацию проводимости пленки. Обнаружена нестабильность во времени основных характеристик детекторов--- амплитуды импульса и разрешающей способности. Эффект связан с долговременным захватом неравновесных носителей на радиационные центры и, как следствие, возникновением в объеме детектора эдс поляризации. Проанализирована кинетика установления стационарных значений указанных выше величин. PACS: 61.80.-x, 61.82.Fk, 61.82.-d, 72.20.Jv
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 117

Производится расчет времениtau выхода каскадной охлаждающей термобатареи на стационарный режим. Использованный метод не требует решения уравнений в частных производных для ветвей полупроводниковых элементов. Время переходного процесса двухступенчатой батареи получается в аналитической форме как решение квадратного уравнения, коэффициенты которого определяются термоэлектрическими параметрами полупроводников, теплоемкостями материалов батареи и размерами различных частей устройства. Для батареи с произвольным числом ступенейN расчет сводится к стандартной задаче вычисления собственных значений двух симметричных матриц N-гопорядка. Полученные расчетные значенияtau для конкретных двухступенчатых батарей находятся в удовлетворительном согласии с экспериментальными данными. PACS: 07.20.Dt, 72.20Pa, 85.80.Fi
Равич Ю.И., Гордиенко А.Н. Метод расчета времени переходного процесса многоступенчатой охлаждающей термобатареи // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 112

Приводятся результаты численного моделирования затворных характеристик КНИ-МОП-нанотранзисторов с двумя независимо управляемыми затворами. Рассматривался случай с заземленной и плавающей базой как без, так и с учетом поверхностной рекомбинации носителей заряда. Показано, что при заданных конструктивных параметрах (длине затвора 50-100 нм, толщине кремния 25-30 нм) путем изменения напряжения на дополнительном затворе можно варьировать пороговое напряжение транзистора в диапазоне 0.45 В, уменьшать ток транзистора в закрытом состоянии до 7 порядков, подпороговый наклон затворных характеристик--- до 60 мВ/дек. Подавление короткоканальных эффектов в таких транзисторах зависит от ряда параметров (перечисленных по степени убывания воздействия): материала затвора, времени жизни носителей заряда (плавающая или заземленная база), толщины отсеченного слоя Si, напряжения на дополнительном затворе, длины канала. PACS: 73.40.Qv, 73.50.--h, 85.30.De, 85.30.Tv
Наумова О.В., Ильницкий М.А., Сафронов Л.Н., Попов В.П. КНИ-нанотранзисторы сдвумя независимо управляемыми затворами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 104

Исследованы фоточувствительные в области 0.3-1.1 мкм поверхностно-барьерные диоды на основе CdxHg1-xTe (x~ 0.8), полученные травлением (бомбардировкой) поверхности кристалла p-типа проводимости ионами аргона. Сиспользованием измеренных спектральных кривых поглощения и отражения, а также параметров диодной структуры, найденных из электрических характеристик, рассчитаны спектры фотоэлектрической квантовой эффективности диодов. Приведены результаты расчетов фотоэлектрических параметров диодов на основе Cd0.8Hg0.2Te в сравнении с солнечными элементами на основе CdTe иSi. Для условий солнечного облученияAM1.5 найдены напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, атакже предельные значения коэффициента полезного действия. PACS: 73.30.+y, 78.66.Hf, 84.60.Jt
Косяченко Л.А., Кульчинский В.В., Паранчич С.Ю., Склярчук В.М. Возможности использования твердого раствора Cd0.8Hg0.2Te всолнечных элементах // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 95

Исследованы спектры электролюминесценции, фотолюминесценции и фототока в структурах с квантовыми ямами In0.2Ga0.8N/GaN с целью выяснения причин падения квантовой эффективности с увеличением прямого тока. Установлено, что квантовая эффективность падает, когда энергия излучаемого фотона приближается к порогу подвижности в слое In0.2Ga0.8N. Порог подвижности, определенный из спектров фототока, составил Eme=2.89 эВ. При энергиях hnu>2.69 эВ носители заряда имеют вероятность туннелировать на безызлучательные центры рекомбинации, поэтому время жизни и квантовая эффективность падают. Туннельная инжекция в глубокие локализованные состояния обеспечивает максимальную эффективность электролюминесценции, что объясняет причину характерного максимума эффективности светодиодов при плотностях тока, значительно меньших, чем рабочие. Заселение глубоких локализованных состояний в \glqq хвостах\grqq плотности состояний InGaN играет также доминирующую роль в формировании линии излучения. Обнаружено, что рост эффективности и \glqq красный\grqq сдвиг спектра ФЛ с напряжением коррелирует с изменением фототока и связаны с уменьшением разделения фотоносителей в поле области объемного заряда и их термализацией в глубокие локализованные состояния. PACS: 73.40.Kp, 73.63.Hs, 78.55.Cr, 78.60.Fi, 78.67.De, 85.60.Jb
Бочкарева Н.И., Тархин Д.В., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Леликов Ю.С., Мартынов И.А., Шретер Ю.Г. Квантовая эффективность иформирование линии излучения всветодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 88

Зонным методом функционала зарядовой плотности--сильной связи впервые изучено влияние различных типов атомных дефектов стенок нанотрубок MoS2 на их структурные и электронные свойства. Обнаружено, что возникновение в стенках MoS2 трубок атомных дефектов может обусловить переходы полупроводник--металл. PACS: 61.46.+w, 73.22.-f, 73.63.Fg, 81.07.De
Еняшин А.Н., Ивановский А.Л. Атомные дефекты стенок иэлектронное строение нанотрубок дисульфида молибдена // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 82

Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In,Ga)As/GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления[0 1 1]. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек. PACS: 68.65.Hb, 68.65.La, 78.67.Hc, 78.67.Lt, 78.55.Cr
Стрельчук В.В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Валах М.Я., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Латеральное упорядочение квантовых точек инитей вмногослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 74