Исследовалась гетероструктура n-GaAs/AlGaAs, \glqq недолегированная\grqq Si, в которой в отсутствие облучения проводимость в двумерном канале была при T=4.2 K меньше чем 10-8 Ом-1. Спомощью последовательного облучения светодиодом проводимость в гетероструктуре можно было увеличивать на 5порядков до~10-3 Ом-1, что давало возможность изучать переход металл--диэлектрик на одном и том же образце и при одной и той же температуре. Предложен новый метод исследования перехода металл--диэлектрик с помощью акустоэлектронных эффектов. Они были измерены при последовательном облучении образца без магнитного поля и в магнитном поле до6 Tл при T=4.2 K. Были определены реальнаяsigma1 и мнимаяsigma2 компоненты высокочастотной проводимости sigmahf=sigma1-isigma2 и их отношение sigma2/sigma1. Показано, что переход металл--диэлектрик имеет перколяционный характер. Обнаружено, что вплоть до sigma1~10-7 Ом-1 система находится в диэлектрическом состоянии, электроны локализованы в минимумах случайного потенциала. При этом осуществляется прыжковый механизм высокочастотной проводимости, характеризующийся соотношением sigma2>> sigma1. По мере увеличения концентрации электронов электронные капли становятся все большего размера, и в них возникает высокочастотная проводимость. Механизм проводимости становится смешанным: параллельно прыжковому механизму возникает проводимость делокализованных электронов в металлических каплях. При дальнейшем росте проводимости (более 10-5 Ом-1) металлические капли заполняют всю поверхность, и реализуется металлическое состояние, при котором sigma2=0. Построена кривая, демонстрирующая зависимость относительной части поверхности, занятой металлическими каплями, от проводимости двумерного канала. PACS: 72.20.Ee, 73.50.Rb, 73.21.La, 73.63.Kv
Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Торопов А.И. Индуцированный светом переход металл--диэлектрик вгетероструктуре n-GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1449

Обсуждено распределение электронов по подзонам размерного квантования (Em--- основной и Ep--- возбужденной) в квантовой яме сильно легированного гетероперехода. Функциональная связь концентраций nm и np в поздозах Em и Ep, а также пороговое значениеnc лишь качественно следуют теории. Возможно, это связано с наличием хвостов плотности состояний и квазидвумерностью электронов в Ep-подзоне. Измеряемая концентрацияnp в предпороговой области nm
Кадушкин В.И. Особенности распределения 2D электронов поподзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1443

Построена теория спин-зависимого резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную гетероструктуру в присутствии электрического поля. Спин-орбитальное расщепление учитывается введением в эффективный гамильтониан слагаемого Дрессельхауза. Проанализирована возможность создания спинового детектора и инжектора на основе немагнитной полупроводниковой GaAlSb-гетероструктуры, управляемой электрическим полем. PACS: 73.40.Gk, 73.43.Jn, 85.30.Mn, 85.75.Mm
Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н. Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1436

Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на~ 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC. PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1432

Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr
Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1427

Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойства определяются толщинами слоев и направлением распространения. Эти волны образуются из волн концентрации в отдельных слоях, т. е. являются \glqq коллективными\grqq волнами. Получены условия возникновения неустойчивостей и аналитические соотношения для инкрементов нарастания. Возникновение неустойчивостей связано с обменом энергией между дрейфовыми волнами отдельных слоев. PACS: 73.20.Mf
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1420

Показано, что влияние на спектр люминесценции легирующих примесей определяется типом проводимости исходных кристалловGaN. Эффект сенсибилизации излучения наблюдается в вюртцитных кристаллахGaN с p-типом проводимости при легированииEr. Такой же эффект наблюдался в таких кристаллах ранее при легированииEu, Zn. Вкристаллах GaN с n-типом проводимости, последовательно легированныхEu, Zn, Er, наблюдается излучение в видимой (lambda=360-440, 530-560 нм) и инфракрасной областях (lambda=1.54 мкм) спектра. PACS: 78.55.Cr, 61.72.Vv
Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В. Влияние дополнительно введенных примесейZn иEu навид спектров фотолюминесценции кристалловGaN, легированныхEr // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1412

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций дефектовCi, Ci-Cs и(или) V-O для кристаллов n-типа проводимости, а также V-B, Ci-Oi и(или) V2-O-C для кристаллов p-типа. PACS: 61.72.Ji, 61.72.Ss, 61.80.Fe
Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного иакцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta -частиц малой интенсивности // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1409

Исследованы люминесцентные свойства пар двух близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм с разными расстояниями между ними, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной области спектра оксида цинка, обусловленные одномодовой лазерной генерацией. Проведен теоретический расчет энергии обменного взаимодействия связанных мод двух микрорезонанторов в зависимости от расстояния между ними. Обнаружено уширение линии стимулированной ультрафиолетовой люминесценции на связанных фотонных модах двух микрорезонаторов при их сближении. PACS: 78.45.+h, 78.66.Hf, 42.60.Da
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Князев М.А., Якимов Е.Е. Взаимодействие когерентных оптических связанных мод вблизко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1402

Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. Сцелью увеличения эффективности вывода света на поверхности n-GaN был создан рассеивающий рельеф методом реактивного ионного травления в газовой смеси Cl2:Ar. Врезультате этой операции было достигнуто увеличение внешней квантовой эффективности светодиодного кристалла на 25--30%. Светодиоды, изготовленные из кристаллов, полученных описанным способом, устойчиво работают в диапазоне токов накачки до 300 мА, достигая оптической мощности 110 мВт. PACS: 85.60.Jb, 85.40.Ls
Смирнова И.П., Марков Л.К., Закгейм Д.А., Аракчеева Е.М., Рымалис М.Р. Синие флип-чип светодиоды наоснове AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1397