Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: более 1000, для научной тематики: Полупроводники

51.

Индуцированный светом переход металл--диэлектрик вгетероструктуре n-GaAs/AlGaAs. Акустические методы исследования     

Дричко И.Л., Дьяконов А.М., Смирнов И.Ю., Торопов А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовалась гетероструктура n-GaAs/AlGaAs, \glqq недолегированная\grqq Si, в которой в отсутствие облучения проводимость в двумерном канале была при T=4.2 K меньше чем 10-8 Ом-1. Спомощью последовательного облучения светодиодом проводимость в гетероструктуре можно было увеличивать на 5п...
52.

Особенности распределения 2D электронов поподзонам квантовой ямы одиночного сильно легированного гетероперехода     

Кадушкин В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Обсуждено распределение электронов по подзонам размерного квантования (Em--- основной и Ep--- возбужденной) в квантовой яме сильно легированного гетероперехода. Функциональная связь концентраций nm и np в поздозах Em и Ep, а также пороговое значениеnc лишь качественно следуют теории. Возможно, э...
53.

Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование     

Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Построена теория спин-зависимого резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную гетероструктуру в присутствии электрического поля. Спин-орбитальное расщепление учитывается введением в эффективный гамильтониан слагаемого Дрессельхауза. Проанализирована возможность создания спинового де...
54.

Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии     

Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спек...
55.

Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений     

Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализ...
56.

Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре     

Булгаков А.А., Шрамкова О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойств...
57.

Влияние дополнительно введенных примесейZn иEu навид спектров фотолюминесценции кристалловGaN, легированныхEr     

Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Показано, что влияние на спектр люминесценции легирующих примесей определяется типом проводимости исходных кристалловGaN. Эффект сенсибилизации излучения наблюдается в вюртцитных кристаллахGaN с p-типом проводимости при легированииEr. Такой же эффект наблюдался в таких кристаллах ранее при легиро...
58.

Немонотонные изменения концентрации радиационных дефектов донорного иакцепторного типов в кремнии, индуцируемые потоками beta -частиц малой интенсивности     

Бадылевич М.В., Блохин И.В., Головин Ю.И., Дмитриевский А.А., Карцев С.В., Сучкова Н.Ю., Толотаев М.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследована зависимость концентрации радиационных дефектов донорного и акцепторного типов от времени облучения потоками beta-частиц малой интенсивности (I~9·105 см-2·с-1). Обнаружены немонотонные изменения концентраций...
59.

Взаимодействие когерентных оптических связанных мод вблизко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторах цилиндрической формы     

Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Князев М.А., Якимов Е.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы люминесцентные свойства пар двух близко расположенных трехмерных ZnO-микрорезонаторов цилиндрической формы диаметром1.8 мкм с разными расстояниями между ними, полученных методом электронно-лучевой литографии и реактивного ионного травления. Обнаружены узкие пики свечения в экситонной ...
60.

Синие флип-чип светодиоды наоснове AlGaInN с удаленной сапфировой подложкой     

Смирнова И.П., Марков Л.К., Закгейм Д.А., Аракчеева Е.М., Рымалис М.Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассматриваются характеристики светодиодов на основе AlGaInN c удаленной сапфировой подложкой. Для удаления подложки применялся метод лазерного отделения (lift-off). Подложка удалялась с готового светодиодного кристалла, смонтированного методом флип-чип на кремниевой плате. Сцелью увеличения эффе...