Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32.5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. PACS: 73.23.-b, 73.40
Козлов Д.А., Квон З.Д., Калагин А.К., Торопов А.И. Свойства двумерного электронного газа вгетеропереходах AlGaAs/GaAs стонкими слоямиAlGaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 186

Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила ~600 кВт/см2. PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C. Люминесценция наностержней оксида цинка // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 182

Проведены измерения фотолюминесценции с временным разрешением в диапазонах энергий 1.4-3.2 эВ и времен релаксации50 нс-20 мкс в пленках GeOx (x=<q 2), содержащих нанокристаллыGe. Пленки получали одностадийным методом импульсного лазерного осаждения из прямого и обратного потока частиц эрозионного факела в атмосфере кислорода и аргона. Исследована зависимость фотолюминесцентных свойств пленок от режимов осаждения и легирования золотом. Полосы фотолюминесценции с максимумами при энергиях 1.42-2.1 эВ--- узкие, медленные, энергетически близко расположенные, в то время как полосы с максимумами около 2.5 и 2.7-2.9 эВ--- широкие, более быстрые, энергетически мало перекрывающиеся. Результаты объяснены в рамках экситонной модели фотолюминесценции квантовых точекGe, размеры которых определяются условиями их формирования. PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv
Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 177

Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-поляx над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi
Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Влияние напряженного Si-слоя нафотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных нарелаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 172

Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу IIтипа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зонDelta на гетерогранице. Экспериментально установлено, что для структуры Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs разъединенный тип гетероперехода IIтипа наблюдается во всем интервале исследуемых составов, 0.03
Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Переход отразъединенного гетероперехода IIтипа кступенчатому всистеме GaInAsSb/InAs(GaSb) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 166

Изучено влияние пассивации в сульфидных растворах на вид спектров фотопроводимости GaP : Cu. Положение и форма дополнительного экстремума при энергиях выше порога собственного поглощения связываются с эффектами перераспределения неравновесных носителей заряда в поле поверхностного потенциала. PACS:73.50.Pz, 81.65.Rv
Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. Влияние пассивации поверхности насобственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 164

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn5Se8 гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn5Se8. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn5Se8 гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn5Se8. PACS: 61.10.-i, 61.82.Fk
Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 160

Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа. PACS: 73.40.Kp, 79.40.+z
Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+- GaSb/n0- GaInAsSb/N+- GaAlAsSb IIтипа // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 154

Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. Врамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My
Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe поддавлением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 149

Исследованы фазовые состояния нановключений свинца в стехиометрическом теллуриде свинца в магнитных полях от0 до1 кЭ в области температур ниже температуры перехода свинца в сверхпроводящее состояние (T=1.7-6.5 K). Показано, что включения свинца ведут себя как сверхпроводники первого рода. Размеры включений свинца, которые находятся в сверхпроводящем состоянии при1.7 K, составляют не менее200 нм. Полученная экспериментально температурная зависимость диамагнитной добавки может быть объяснена в рамках модели, учитывающей существование \glqq промежуточного\grqq сверхпроводящего состояния, обусловленного геометрической формой включений свинца. PACS:74.70.Ad, 74.78.Na, 74.81.Bd
Дарчук Л.А., Дарчук С.Д., Сизов Ф.Ф., Голенков А.Г. Сверхпроводящие состояния нановключений свинца вполупроводниковой матрицеPbTe // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 144