Публикация представляет собой краткий и предварительный анализ научно-познавательной составляющей в трилогии игр серии S.T.A.L.K.E.R, основанный на истории мира игры (http://ru.wikipedia.org/wiki/Игровой_мир_S.T.A.L.K.E.R.), данных из энциклопедии EpoS (http://stalker-epos.com/) и исследования «Зоны» реальной и виртуальной как геймерами, так и автором. Материал написан в научно-популярной форме и предназначен для широкого круга лиц и основан на теоретических и практических разработках, в основном, отечественных ученых.

В рамках вариационного подхода получены уравнения, описывающие ориентацию молекул в тонкой свободно подвешенной пленке сегнетоэлектрического смектика C*, помещенной в постоянное электрическое поле, направленное вдоль поверхности пленки. В результате решения уравнения Эйлера-Лагранжа найдена равновесная конфигурация ориентаций директора. Показано, что внешнее поле переориентирует молекулы жидкокристаллической пленки, причем этот эффект носит беспороговый характер.

Установлены природа волнового движения и механизмы взаимодействия заряженных квантовых частиц с потенциальными полями. Разработана корпускулярно-динамическая структурная модель электронной оболочки и ядра атома. На основе сферической геометрии поляризованного пространства и интегральной системы координат предложено решение уравнения Шредингера для описания состояния электронов и протонов в многозарядном атоме. Рассмотрены принципы структурной организации квантовых частиц и проявления их спина. Рассчитана на научных, инженерно-технических работников по атомной и ядерной физике, химии и спектроскопии, микроэлектронике и радиосвязи, нанотехнологиям и т.п., а также на преподавателей, аспирантов, студентов, школьников и всех, кто интересуется вопросами структуры атома и устройства Мироздания. Табл. 8. Ил. 46. Библиогр.: 14 назв. Сайт монографии: http://sites.google.com/site/atomgal/
Подписано в печать 11.12.06. Формат 60х841/16. Бумага офсетная. Гарнитура Таймс. Печать офсетная. Усл. печ. л. 16,0. Тираж 150 экз. Заказ № 234-07 Издатель ИД «Лира», Издательская лицензия № 02141, серия ИД от 20.06.2000 г. Юр. Арес: 140200, г. Воскресенск, ул. Менделеева, д.10 Факт. Адрес: 140200, г. Воскресенск, ул. Советская, д.4 оф. 303 Тел. 8(49644) 2-21-61. Оригинал-макет предоставлен Р.С. Галиевым

Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv
Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 242

Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см2/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора. PACS:61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca
Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 238

Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn
Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 233

Исследованы кремниевые фотодиоды, p-область которых имеет сетчатую структуру. Получены аналитические выражения для емкости таких фотодиодов. Проведен анализ влияния размеров ячейки и диффузионной длины неосновных носителей заряда на чувствительность кремниевого сетчатого фотодиода в спектральном диапазоне 0.6-1.0 мкм. Приведены экспериментальные характеристики фотодиодов с сетчатым p-n-переходом с размерами ячеек50 и110 мкм. Обсуждены факторы, определяющие особенности их спектральной характеристики. PACS:85.60.Dw, 72.40.+w, 73.50.Pz.
Блынский В.И., Василевский Ю.Г., Малышев С.А., Чиж А.Л. Кремниевый фотодиод ссетчатым p-n-переходом // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 229

Изучено влияние рекомбинационных и краевых потерь неравновесных квазичастиц на энергетическое разрешение сверхпроводящих туннельных детекторов. Для детекторов Ti/Nb/Al/AlOx/Al/Nb/NbN с пассивным электродом Ti/Nb измерена зависимость сигнала от энергии рентгеновских квантов и изучена форма аппаратурных линий. Проведен анализ экспериментальных данных на основе диффузионной модели туннельных детекторов. PACS: 29.40.Wk, 74.45.+c, 74.78.Fk
Андрианов В.А., Горьков В.П., Кошелец В.П., Филиппенко Л.В. Сверхпроводящие туннельные детекторы рентгеновского излучения. Вопросы энергетического разрешения // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 221

На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих10 нс. PACS: 68.55.Ln, 68.55.Nq, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.05.Ea, 81.15.Gh, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk
Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 217

Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr
Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны накинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго родаGaAs/AlAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 211