Исследованы особенности газофазной эпитаксии из металлорганических соединений слоевAlGaN и сверхрешеток AlGaN/GaN в реакторах различного размера (лабораторный Epiquip VP-50 RP и полупромышленный AIX2000HT). Обнаружен эффект насыщения зависимости содержания алюминия в твердой фазе от потока триметилалюминия(ТМА) в реакторе, препятствующий выращиванию слоев с высоким содержанием алюминия. Эффект наблюдался для обоих исследованных реакторов, однако он более выражен в реакторе большего размера. Предположительно, данный эффект является следствием паразитных реакций в газовой фазе и зависит от парциального давленияТМА в реакторе. Помимо снижения общего давления в реакторе, содержание алюминия в слоях может быть увеличено при повышении полного потока газа через реактор и снижении потока триметилгаллия. При использовании данных подходов на полупромышленной установке AIX2000HT были выращены слои с мольной долейAlN до20% при давлении в реакторе400 мбар (до40% при200 мбар). Влабораторном реакторе были выращены слои AlGaN во всем диапазоне составов.
Лундин В.В., Сахаров А.В., Цацульников А.Ф., Заварин Е.Е., Бесюлькин А.И., Фомин А.В., Сизов Д.С. Выращивание эпитаксиальных слоев AlGaN исверхрешеток AlGaN/GaN методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 705

Рассчитаны высокочастотные емкости барьера Шоттки и резкого p-n-перехода с учетом концентрации свободных носителей заряда в области объемного заряда в полупроводнике с мелкими и глубокими примесными уровнями. Полученные формулы сопоставляются с опубликованными результатами расчетов высокочастотной емкости p-n-перехода и результатами экспериментальных исследований.
Мурыгин В.И. Высокочастотная барьерная емкость контакта металл--полупроводник ирезкого p-n-перехода // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 702

Приведены первые результаты по выращиванию гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 впроточном реакторе пониженного давления методом химических транспортных реакций сиспользованием плазмы высокочастотного разряда. Активация реагентов впроцессе роста позволила значительно повысить эффективное давление атомарного кислорода вреакторе и существенно снизить температуру эпитаксии, улучшить морфологические, структурные параметры слоев ZnO и сформировать гетеропереход n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha-Al2O3.
Атаев Б.М., Аливов Я.И., Мамедов В.В., Махмудов С.Ш., Магомедов Б.А. Особенности получения и некоторые свойства гетероперехода n-ZnO : Ga/p-GaN : Mg/alpha -Al2O3 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 699

Изучена долговременная релаксация двумерной проводимости структур металл-нитрид-оксид-полупроводник при различных способах выведения системы из состояния равновесия. Показано, что долговременные релаксации проявляются только при наличии сильного флуктуационного потенциала, величиной которого в данных структурах можно управлять. Основной процесс, определяющий поведение проводимости в системе,--- экранирование потенциала электронами канала, как свободными, так и локализованными в ямах потенциального рельефа. Временная зависимость проводимости имеет логарифмический вид, что характерно для систем типа \glqq электронное стекло\grqq.
Давыдов А.Б., Аронзон Б.А. Долговременные релаксации проводимости квазидвумерных сильно разупорядоченных МДПструктур // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 693

Методами оптической и растровой электронной микроскопии всочетании спослойным химическим травлением исследованы физические процессы твердофазной диффузии всформированных на свободной поверхности кремния и вокнахSiO2 бескорпусных тонкопленочных структурах Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки при импульсном лазерном облучении.
Воробец Г.И., Воробец М.М., Стребежев В.Н., Бузанeва Е.В., Шкавро А.Г. Исследование физических механизмов лазерной коррекции и стабилизации параметров структур Al-n-n+-Si-Al сбарьером Шоттки // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 690

Построена теория туннельного токопереноса в контактах металл-полупроводник с приповерхностным изотипным delta-легированием. На основе подхода Мерфи иГуда, с учетом снижения высоты потенциального барьера за счет сил изображения, получены аналитические выражения для тока. Проведен расчет характеристик delta-легирования, обеспечивающего эффективную термополевую эмиссию в контакте металл-полупроводник и уменьшение эффективной высоты барьера от исходных значений до единицkT. Установлено, что зависимость тока от напряжения в контакте с изотипным delta-легированием носит в основном экспоненциальный характер. Показано, что для всех значений высоты барьера возможно сохранение малого фактора неидеальности n=<q 1.07. Резкое его возрастание до n>=q 1.5 характерно для контактов с не полностью обедненным delta-слоем.
Шашкин В.И., Мурель А.В. Теория туннельного токопереноса вконтактах металл- полупроводник сприповерхностным изотипным delta -легированием // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 574

Рассчитана предельная квантовая эффективность электролюминесценции в кремниевых диодах и p-i-n-структурах при комнатной температуре. Показано, что ее внутренний квантовый выход составляет около 10% и реализуется при оптимальных уровнях легирования n- и p-областей кремниевого диода ~ 1015 и 5· 1016 см-3 соответственно. По мере уменьшения времен жизни Шокли--Рида--Холла для электронов и дырок внутренний квантовый выход электролюминесценции в кремниевых барьерных структурах резко снижается. Физика процессов, связанных с влиянием экситонов в кремнии, имеет много общего для электролюминесценции, фотолюминесценции и фотопреобразования. Показано, что перспективными для использования в кремниевых интегральных схемах могут быть лишь электролюминесцентные p-i-n-структуры.
Саченко А.В., Горбань А.П., Костылев В.П. О предельной квантовой эффективности краевой электролюминесценции вкремниевых барьерных структурах // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 570

Исследовано изменение контактной разности потенциалов контакта n-InSe--p-GaSe в процессе длительного (более 10 лет) хранения в нормальных условиях. Обнаруженное существенное увеличение со временем контактной разности потенциалов объясняется сближением поверхностей моноселенидов индия и галлия вследствие диффузионного расплывания кислорода, первоначально адсорбированного на границе раздела, в глубь контактирующих полупроводников с образованием участков реального \glqq тесного\grqq контакта InSe/GaSe.
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д. Изменение контактной разности потенциалов фотодиода на основе гетероперехода n-InSe--p-GaSe впроцессе &#92;glqq старения&#92;grqq // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 566

Исследована температурная зависимость удельного сопротивления и спектр оптического поглощения монокристаллов (Cu2GaSe3)0.6(3GaAs)0.4. Определена энергия активации донорных центров иширина запрещенной зоны монокристаллов твердого раствора. Созданы фоточувствительные структуры нескольких типов: барьеры Шоттки, сварные структуры и фотоэлектрохимиеские ячейки. На полученных структурах обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Обсуждаются также выявленные особенности процессов фоточувствительности вструктурах и возможности их практического применения вкачестве фотопреобразователей.
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительность структур на пятикомпонентных твердых растворах изоэлектронного ряда германия // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 422

Методом термического окисления на воздухе кристаллов моноселенида индия изготовлены гетероструктуры собственный окисел--p-InSe. Долговременное (напротяжении 1--5 суток) окисление подложек InSe при 450oC приводит к изменению как спектральной полосы фоточувствительности, так и фотоэлектрических параметров гетероструктур по сравнению с образцами, окисленными 5--15 мин. Эти изменения есть следствие послойного образования дополнительных фаз окислов на поверхности полупроводника. Для наилучших гетероструктур напряжение холостого хода достигает 0.6 В, а ток короткого замыкания--- 30--35 мА/см2 в режиме насыщения. Электрические характеристики гетероструктур искажены влиянием последовательного сопротивления, что затрудняет определение высоты потенциального барьера и механизма протекания тока через него.
Катеринчук В.Н., Ковалюк З.Д. Получение гетероструктур окисел--p-InSe сулучшенными фотоэлектрическими характеристиками // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 417