Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

81.

Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахa iiib v     

Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Получены пористые подложки GaAs (100) и(111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль< 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структур...
82.

Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al&#92;kern 0.5pt/&#92;kern 0.5ptPdPc/p-Si     

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al\kern0.5pt/\kern0.5ptPdPc/p-Si. Исследованы механизмы токопереноса и фоточувствительность полученных структур. С...
83.

Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния     

Гуле Е.Г., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
На структурах нано/монокремний, полученных импульсным лазерным осаждением пленки нанокристаллического кремния (nc-Si) на подложку из монокристаллического кремния (c-Si), наблюдали сигнал краевой фотолюминесценции c-Si с максимумом при ~1.09 эВ при комнатной температуре. Сигнал фотолюминесцен...
84.

Фотопреобразование вструктурах n-ZnO : Al/PdPc/ p-CuIn3Se5     

Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Предложены и впервые получены методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия (PdPc) на поверхность пластин тройного полупроводникового соединения CuIn3Se5 и магнетронного напыления пленокn-ZnO : Al на поверхность PdPc фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn3Se5. Иссле...
85.

Закон Вегарда исверхструктурная фаза вэпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100)     

Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Вэпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фа...
86.

Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2     

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Методами вакуумной сублимации фталоцианина меди на поверхность тонких пленок p-Cu(In,Ga)Se2 и магнетронного осаждения на их поверхность пленок n-ZnO : Al получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики структур....
87.

Квазиклассическое рассмотрение осцилляций электропроводности слоистых кристаллов вмагнитном поле прирассеянии носителей тока наакустических фононах     

Горский П.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
В квазиклассическом приближении рассмотрена осциллирующая часть продольной проводимости слоистых кристаллов в случае, когда электрическое поле и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Рассмотрение отличается от традиционного учетом непараболичности узкой минизоны проводимости и зависимо...
88.

Модель для описания рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001)     

Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих фун...
89.

Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Выполнен расчет деполяризации в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика--- численн...
90.

Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/ PbPc/p-Si     

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PbPc/p-Si. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности в н...