Получены пористые подложки GaAs (100) и(111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм поры, ветвящиеся вдоль< 111>, образуют густую сеть с объемной плотностью ~ 60%. Проведено исследование поверхности подложки и структуры выращенных на них слоев GaSb. Обнаружено уменьшение на22% несоответствия параметров решеток на границе GaSb/GaAs(пористый) по сравнению с GaSb/GaAs(монолит). Развиты представления о химических механизмах порообразования в кристаллах AIIIBV и установлена связь структуры пористых слоев с составами электролитов и условиями анодирования. Показано, что зависимость скорости роста слоя от величины упругой деформации решетки может служить фактором ускоренного зарастания пор и перехода к планарному росту.
Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахA IIIB V // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 552

Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al\kern0.5pt/\kern0.5ptPdPc/p-Si. Исследованы механизмы токопереноса и фоточувствительность полученных структур. Сделан вывод о перспективах применения структур на основе тонких пленок PdPc при создании фоточувствительных структур, использующих контакт между полупроводниками органической и неорганической природы.
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al&#92;kern 0.5pt/&#92;kern 0.5ptPdPc/p-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 433

На структурах нано/монокремний, полученных импульсным лазерным осаждением пленки нанокристаллического кремния (nc-Si) на подложку из монокристаллического кремния (c-Si), наблюдали сигнал краевой фотолюминесценции c-Si с максимумом при ~1.09 эВ при комнатной температуре. Сигнал фотолюминесценции увеличивался при уменьшении как плотности поверхностных состояний на границе nc-Si/c-Si, так и рассеяния краевого излучения c-Si в пленке nc-Si.
Гуле Е.Г., Каганович Э.Б., Кизяк И.М., Манойлов Э.Г., Свечников С.В. Краевая фотолюминесценция при комнатной температуре монокристаллического кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 430

Предложены и впервые получены методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия (PdPc) на поверхность пластин тройного полупроводникового соединения CuIn3Se5 и магнетронного напыления пленокn-ZnO : Al на поверхность PdPc фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PdPc/p-CuIn3Se5. Исследованы вольт-амперные характеристики и спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обнаружены возможности применения полученных структур в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.
Боднарь И.В., Дмитриева Е.С., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотопреобразование вструктурах n-ZnO : Al/PdPc/ p-CuIn3Se5 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 4, Стр. 426

Дифракционным и рентгенографическим методами определены параметры решетки эпитаксиальных твердых растворов AlxGa1-xAs с различным содержанием AlAs (x) в гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии. Вэпитаксиальных гетероструктурах с x~ 0.50 обнаружена фаза упорядочения (сверхструктурная фаза) AlGaAs2 с постоянной решетки, меньшей, чем параметры решеток твердого раствора Al0.50Ga0.50As и монокристаллической подложкиGaAs.
Домашевская Э.П., Середин П.В., Долгополова Э.А., Занин И.Е., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Станкевич А.Л., Тарасов И.С. Закон Вегарда исверхструктурная фаза вэпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs(100) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 354

Методами вакуумной сублимации фталоцианина меди на поверхность тонких пленок p-Cu(In,Ga)Se2 и магнетронного осаждения на их поверхность пленок n-ZnO : Al получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности тонкопленочных структур. Сделан вывод о перспективах их применения при создании широкодиапазонных (1.2-3.3 эВ) тонкопленочных фотопреобразователей.
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Механизмы протекания тока и фоточувствительность структур n-ZnO : Al / CuPc/p-Cu(In,Ga)Se2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 349

В квазиклассическом приближении рассмотрена осциллирующая часть продольной проводимости слоистых кристаллов в случае, когда электрическое поле и квантующее магнитное поле перпендикулярны слоям. Рассмотрение отличается от традиционного учетом непараболичности узкой минизоны проводимости и зависимости протяженности поверхности Ферми вдоль направления магнитного поля от плотности носителей заряда. Это позволяет рассмотреть не только традиционный случай открытых поверхностей Ферми, но и случай замкнутых поверхностей Ферми для таких кристаллов. Показано, что в случае замкнутых поверхностей Ферми наличие частот, не отождествляемых с экстремальными сечениями поверхностей Ферми плоскостями, перпендикулярными магнитному полю, может служить критерием узости минизоны проводимости, определяющей трансляционное движение носителей тока поперек слоев.
Горский П.В. Квазиклассическое рассмотрение осцилляций электропроводности слоистых кристаллов вмагнитном поле прирассеянии носителей тока наакустических фононах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 343

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентацией(001) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Показано, что существует смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствуют смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Параметры, характеризующие смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице, достаточно малы, что согласуется с недавними расчетами других авторов, но противоречит более ранним предположениям и оценкам.
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Модель для описания рассеяния дырок на гетерограницах GaAs/AlAs(001) // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 336

Выполнен расчет деполяризации в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник, основанный на анализе экспериментальных параметров петли гистерезиса структуры металл--сегнетоэлектрик--металл. Для полупроводника уравнение Пуассона решается известными методами, для сегнетоэлектрика--- численным интегрированием. Рассмотрены два варианта параметров полупроводника. 1.Широкая n-область, за областью объемного заряда имеется область электрической нейтральности. 2.Тонкая n-область, электрическое поле проникает сквозь n-область. Показано, что деполяризация существенно уменьшает поляризацию сегнетоэлектрика, причем это уменьшение более значительно для полупроводника с меньшей концентрацией примеси. Вслучае, когда электрическое поле проходит через всю n-область, деполяризация уменьшается с уменьшением толщины n-области.
Берман Л.С. Деполяризация в структуре металл--p-сегнетоэлектрик--n-полупроводник // ФТП, 2005, том 39, выпуск 3, Стр. 332

Получены первые фоточувствительные структуры n-ZnO : Al/PbPc/p-Si. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Обсуждаются механизмы токопереноса и процессы фоточувствительности в новых структурах. Сделан вывод о перспективах их применения в качестве мультиполосных фотопреобразователей естественного излучения.
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al/ PbPc/p-Si // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 234