Исследовано образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe взависимости от плотности мощности лазерного излучения при однократном облучении. Установлены оптимальные режимы лазерного облучения кристаллов, при которых образуется однородная структура с периодом100 нм и с латеральными размерами ~(19-20) нм и средней высотой ~(3.40-9.38) нм. Обнаружено, что периодичность проявляется строго в одном из кристаллографических направлений.
Байдуллаева А., Власенко А.И., Кузан Л.Ф., Литвин О.С., Мозоль П.Е. Образование наноразмерных структур на поверхности кристаллов p-CdTe при однократном воздействии импульсом излучения рубинового лазера // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1064

The capabilities of admittance spectroscopy for the investigation of a-Si : H/c-Si heterojunctions are presented. The simulation and experimental results, which compare very well, show that the admittance technique is sensitive to parameters of both the a-Si : H layer and the a-Si : H/c-Si interface quality. In particular, the capacitance versus temperature curves have two steps, accompanied by two bumps in the temperature dependence of the conductance. The first step occurring in the low temperature range (100-200 K) is related to the transport and response of gap states in the a-Si : H layer. The second step occurring at higher temperature (>200 K) is caused by a carrier exchange with interface states and appears when the interface defect density exceeds 5x1012 cm-2. Then, the interface defects affect the band bending, and thus the activation energy of de-trapping, which favours the exchange with electrons from the a-Si : H and holes from the c-Si, respectively, for increasing defect density.
Gudovskikh A.S., Kleider J.-P., Terukov E.I. Characterization of a-Si : H/c-Si interface byadmittance spectroscopy // ФТП, 2005, том 39, выпуск 8, Стр. 940

Исследовано влияние освещения и адсорбции полярных молекул на свойства структур на основе окисленного пористого кремния. Особенностями изученных структур являются колебания и смена знака напряжения холостого хода при длительном фотовозбуждении; нестабильности тока во времени в среде свысоким содержанием сероводорода; большие времена спада фототока после снятия освещения; уменьшение фототока по сравнению с темновым в структурах с токами, ограниченными пространственным зарядом. Полученные результаты объясняются наличием многозарядных ловушек различного типа в окисленном пористом кремнии, их перезарядкой и туннелированием носителей заряда между кремниевыми нанокристаллами.
Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Терин Д.В., Хасина Е.И. Свойства структур на основе окисленного пористого кремния привоздействии освещения и газовых сред // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 834

Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции голубых GaN-светодиодов с InGaN-квантовой ямой. Результаты интерпретируются с учетом влияния локализованных на интерфейсе InGaN / GaN состояний, создаваемых дефектами структуры и примесями, на емкость GaN-светодиодов. Нелинейные C-2(U)-характеристики, наблюдающиеся при малых прямых напряжениях, связываются с увеличением заряда на интерфейсе в результате туннелирования и захвата свободных электронов на состояния интерфейса. Согласно оценкам, на интерфейсе присутствуют состояния с плотностью порядка 3·1012 см-2. Рекомбинационный ток в области интерфейса приводит к подавлению инжекции носителей заряда в квантовую яму и падению эффективности электролюминесценции при больших прямых напряжениях. Процесс деградации оптической мощности светодиода, сопровождающийся ростом измеряемой емкости, связывается с увеличением плотности заряженных состояний на инетрфейсе и изменением их распределения в запрещенной зоне.
Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Лавринович Д.А., Шретер Ю.Г. Влияние состояний награницах раздела наемкость иэффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 829

Обнаруженные особенности оптоэлектронных свойств подложек теллурида кадмия с модифицированным слоем и поверхностно-барьерных диодов на их основе объясняются квантово-размерными эффектами в нанокристаллической структуре этого слоя. Образование модифицированного слоя подтверждается результатами исследования поверхности методами атомно-силовой микроскопии и связывается с процессами самоорганизации, доминирующими при определенных условиях отжига.
Махний В.П. Особенности физических свойств модифицированной поверхности теллурида кадмия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 7, Стр. 826

Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN. Экспериментальные результаты сравниваются с теорией термополевой эмиссии Падовани--Страттона. Установлено, что прямой ток поверхностно-барьерных структур Ni--n-GaN (концентрация электронов вGaN ~ 1017 см-3) в интервале температур 250-410 K обусловлен термополевой эмиссией электронов, имеющих энергию на~0.1 эВ ниже вершины потенциального барьера.
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Заварин Е.Е., Константинов О.В., Шмидт Н.М. Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах наосновеGaN // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 705

Поверхностная генерация неосновных носителей заряда в кремниевых МОП структурах эффективна лишь на начальной безрекомбинационной стадии. За время t~ 10-5 с устанавливается квазиравновесие между центрами поверхностной генерации и зоной неосновных носителей заряда, и в отсутствие иных каналов генерации носителей равновесное состояние инверсии при 300 K установилось бы в течение t=tбесконечность>103 лет. Реально времяtбесконечность намного меньше вследствие рождения неравновесных носителей через центры, локализованные на гетерогранице SiO2/Si по периферии затвора. Краевую генерацию просто имитировать в МОП структуре с единым затвором, изолированным от Si слоями окисла различной толщины. При обедняющих потенциалах затвора Vg роль периферии играет мелкая потенциальная яма под более толстым окислом, а кинетика тока генерации I(t) становится необычной: на зависимостях I(t) наблюдаются две дискретных ступеньки, длительность и высота которых--- функцииVg. Анализ кривых I(t) позволяет определять электронные характеристики поверхностиSi в состояниях начального обеднения (t=0) и равновесной инверсии (t=tбесконечность), а также параметры центров поверхностной инерции, включая их энергетическое и пространственное распределения. Функционально специализированная планарная неоднородность подзатворного изолятора--- перспективная основа динамических сенсоров с интегрирующими и пороговыми свойствами.
Ждан А.Г., Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. Повышение темпа идискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник спланарно-неоднородным диэлектриком // ФТП, 2005, том 39, выпуск 6, Стр. 697

Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и сублимацией в закрытом объеме соответственно. Измеренные вольт-амперные характеристики интерпретируются в рамках модели генерации--рекомбинации Саа--Нойса--Шокли в обедненном слое диодной структуры. Достигнуто количественное совпадение теории с результатами эксперимента.
Косяченко Л.А., Mathew X., Мотущук В.В., Склярчук В.М. Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда втонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 569

-1 При низких температурах в широком диапазоне напряженности электрического поля исследованы экспериментально вольт-амперные характеристики образцов узкозонного Pb1-xSnxTe<In> и проведены их расчеты. Показано, что полученные результаты хорошо описываются теорией токов, ограниченных объемным зарядом, при наличии центров захвата носителей заряда. Сделаны оценки их концентрации и энергии залегания.
Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. Токи инжекции вузкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe&lt;In&gt; // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 563

Диффузия бора и газофазное осаждение слоев кремния используется для получения сверхмелких p+-n-переходов и гетероструктур p+-Si--n-CdF2 на поверхности кристаллов n-CdF2. Прямые ветви вольт-амперных характеристик p+-n-переходов и гетеропереходов p+-Si--n-CdF2 выявляют запрещенную зону CdF2, 7.8 эВ, а также позволяют идентифицировать строение валентной зоны кристаллов фторида кадмия. Вусловиях прямого смещения, приложенного к полученным гетеропереходам p+-Si--n-CdF2, впервые были зарегистрированы спектры электролюминесценции в видимом диапазоне длин волн.
Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Рыскин А.И., Щеулин А.С. Гетеропереходы p+-Si--n-CdF2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 5, Стр. 557