Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

51.

Влияние обработки кремния в атомарном водороде наобразование локальных областей плавления приимпульсном световом облучении     

Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцовSi и последующий анализ картины локального плавления може...
52.

Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением     

Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, ч...
53.

Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe     

Власенко А.И., Власенко З.К. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной по...
54.

Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме     

Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что ...
55.

Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении     

Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэл...
56.

Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC     

Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выр...
57.

Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения     

Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =
58.

Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине нерав...
59.

Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC     

Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). Врамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного ...
60.

Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика     

Берман Л.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт--- омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости п...