Исследовано влияние обработки в интенсивном потоке атомарного водорода на степень дефектности приповерхностных слоев монокристаллического кремния. Показано, что формирование локальных областей плавления импульсным световым нагревом образцовSi и последующий анализ картины локального плавления может служить эффективным инструментом контроля количества дефектов, привносимых обработкой в атомарном водороде. Установлено, что режим обработки ватомарном водороде с экспозиционной дозой менее2.7·1017 см-2 не приводит к изменению количества дефектов вSi, и наоборот, режим с экспозиционной дозой более3.6·1018 см-2 существенно увеличивает концентрацию дефектов. Возможной причиной роста количества дефектов может быть взаимодействие атомарного водорода с поверхностьюSi. PACS: 68.35.Bs, 82.30.Wt
Захаров М.В., Кагадей В.А., Львова Т.Н., Нефедцев Е.В., Оскомов К.В., Проскуровский Д.И., Романенко С.В., Фаттахов Я.В., Хайбуллин И.Б. Влияние обработки кремния в атомарном водороде наобразование локальных областей плавления приимпульсном световом облучении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 61

Приведены результаты исследований электрофизических свойств тонких пленок SnO2, полученных методом реактивного магнетронного напыления. Исследована кристаллизация пленок под действием интенсивного некогерентного импульсного светового излучения с помощью промышленной установки УОЛ.П-1. Показано, что кратковременный импульсный отжиг в течение долей секунды приводит к кристаллизации пленки и высоким значениям ее газовой чувствительности. Установлено, что характер взаимодействия с газами поликристаллической пленки, обработанной изотермически, аналогичен особенностям взаимодействия газов с пленками, кристаллизованными импульсным отжигом. PACS: 81.40.Tv, 81.40.Wx, 61.80.Ba
Рембеза С.И., Рембеза Е.С., Свистова Т.В., Борсякова О.И. Физические свойства пленок SnO2, обработанных некогерентным импульсным излучением // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 57

На основе исследований структурных и фотоэлектрических свойств варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe установлено, что металлургическая граница материалов, располагающаяся в толще структуры, обогащена структурными дефектами и характеризуется повышенным темпом рекомбинации. Это является причиной потери фоточувствительности в средневолновом инфракрасном диапазоне широкополосных спектров фотопроводимости таких гетеросистем. При малых толщинах эпитаксиального слоя (
Власенко А.И., Власенко З.К. Особенности спектров фотопроводимости эпитаксиальных варизонных гетеросистем CdTe / CdHgTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 52

На основе различных физико-химических моделей проведен анализ поверхностных концентраций продуктов распада моносилана на поверхности кремниевой пластины. Выполненные расчеты позволили оценить коэффициент кристаллизации и его зависимость от температуры и от давления газа в реакторе. Показано, что качественный характер зависимостей поверхностных концентраций и коэффициента кристаллизации от температуры слабо зависит от конкретного выбора радикала SiHn, лимитирующего процесс пиролиза по времени. Общий вид изучаемых зависимостей слабо чувствителен также к тому, на какой стадии удаляется водород с поверхности. Вто же время количественные характеристики поверхностных концентраций в значительной степени зависят от выбора конкретного пути распада силана на поверхности. Вработе проанализированы зависимости коэффициента кристаллизации атомов кремния на поверхности роста от температуры эпитаксиального процесса, давления газов в реакторе и частоты распада молекул силана на поверхности. Показано, что если при повышенных температурах роста скорость наращивания пленки чувствительна к величине скорости пиролиза молекул, то при низкой температуре роста только заполнение поверхности водородом является единственным фактором, определяющим скорость эпитаксиального процесса. PACS: 82.30.Fi, 82.20.Wt, 68.35.Bs
Орлов Л.К., Смыслова Т.Н. Сопоставительный анализ моделей кинетики распада молекул силана наповерхности приэпитаксиальном росте пленок кремния ввакууме // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 45

Исследовано влияние gamma-облучения (Co60) на фотопреобразование тонкопленочных гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что проникающее gamma-облучение структур при комнатной температуре практические не оказывает влияния на фотоэлектрические параметры тонкопленочных гетерофотоэлементов вплоть до потоков Phi~ 1.1·1018 квант / см2. Сделан вывод о возможностях использования гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In, Ga)Se2 в условиях высокого радиационного фона.
Емцев В.В., Николаев Ю.А., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Якушев М.В. Фоточувствительность гетерофотоэлементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 приgamma -облучении // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1455

Исследовавшиеся в настоящей работе эпитаксиальные слои GaN были выращены методом хлоридно-гидридной газофазовой эпитаксии. Основой для роста служили промышленно выпускаемые фирмой CREE (США) подложки p+-6H-SiC (Na-Nd~ 7.8· 1017 см-3), а также подложки n+-6H-SiC Лэли с предварительно выращенным слоем p+-6H-SiC. Проведенные в настоящей работе электрофизические исследования подтверждают достаточно хорошее качество полученных n-GaN/p-SiC-гетероструктур. Это показывает перспективность использования данной комбинации ростовых технологий для получения на основе гетеропереходов n-GaN/p-SiC биполярных и полевых транзисторов.
Ледяев О.Ю., Стрельчук А.М., Кузнецов А.Н., Середова Н.В., Зубрилов А.С., Волкова А.А., Николаев А.Е., Лебедев А.А. Электрические свойства гетеропереходов n-GaN/p-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1452

Исследованы спектры фотолюминесценции при 77 K с разрешением до1 см-1 в светоизлучающих структурах на основе слоев кремния, легированных эрбием в процессе молекулярно-лучевого эпитаксиального роста в диапазоне температур 400-700oC. Вслоях, выращенных при температурах =<q 500oC, доминируют обусловленные эрбием узкие линии, полная ширина которых на половине интенсивности не превышает9 см-1. При этом наблюдаются по крайней мере два разных центра, содержащих ионы Er3+ и примеси углерода. При дальнейшем повышении температуры эпитаксиального роста доминируют широкие линии (>=q 40 см-1), принадлежащие ионам Er3+ в SiOx-преципитатах. Зависимость интегральной интенсивности фотолюминесценции Er-зависимых центров от температуры молекулярно-лучевого эпитаксиального роста представляет собой кривую с максимумом при 500oC.
Крыжков Д.И., Соболев Н.А., Андреев Б.А., Денисов Д.В., Красильник З.Ф., Шек Е.И. Светоизлучающие структуры Si : Er, полученные методом молекулярно-лучевой эпитаксии: фотолюминесцентная спектроскопия высокого разрешения // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1448

Предлагается методика определения значений диффузионных длин в диапазоне 0.5-50 мкм и соответственно минимальных величин времени жизни носителей заряда порядка наносекунд. Используется диодная структура в режиме обратного смещения. Вобласть базы диода инжектируется калиброванный по величине неравновесный заряд. Инжекция осуществляется alpha-частицами естественного распада в режиме одиночного счета. Техникой ядерной спектрометрии измеряется величина заряда, продиффундировавшего в базе к границе области электрического поля. Проведен расчет возникающих в ходе диффузии потерь заряда в зависимости от длины проникновения трека частицы за область поля. Полученные функции имеют степенной характер и позволяют в свою очередь связать значения длины диффузии с величиной показателя степени и численного множителя, описывающего потери заряда. Эксперимент поставлен на слабо легированных эпитаксиальных пленках 4H-SiC.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Лебедев А.А., Syvajarvi M., Yakimova R. Измерения длин диффузии микрометрового диапазона техникой ядерной спектрометрии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1443

В предположении линейной зависимости электронного сродства политипов карбида кремния от степени их гексагональности определены разрывы зон проводимости и валентных зон на контакте 3C-SiC с политипами NH-SiC (N=2, 4, 6, 8). Врамках модели треугольной квантовой ямы сделаны оценки энергии основного состоянияvarepsilon0. Показано, что эффективно управлять положением уровня varepsilon0 можно только с помощью легирования широкозонного политипа n-NH-SiC мелкими донорами.
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергетических характеристик гетеропереходов 3C-SiC/2H-, 4H-, 6H- и 8H-SiC // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1440

Выполнено моделирование параметров сегнетоэлектрика при отсутствии начальной поляризации. Сегнетоэлектрик легирован мелкой примесью. Один контакт образует барьер Шоттки, другой контакт--- омический. Вычислено изменение электрического поля, потенциала, поляризации и диэлектрической проницаемости по толщине области объемного заряда. Показано, что значение диэлектрической проницаемости в слабом поле varepsiloneff 0 может быть определено по параметрам экспериментальной петли гистерезиса. Вслабых полях (E
Берман Л.С. Моделирование вольт-фарадных характеристик сегнетоэлектрика // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1436