Явление фотоосаждения серебра было обнаружено в гетеропереходах CdSe--As2S3 : Agx (x=0.9-2.4). Массоперенос ионов серебра к границе раздела слоев обусловлен электрическим полем, которое возникает из-за разделения электронно-дырочных пар в областях пространственного заряда гетероперехода при генерации фотоэдс. Такая миграция ионов также стимулируется увлечением ионов электронным потоком. Рекомбинация электронов с ионами на границе раздела слоев приводит к фотоосаждению кластеров химического элемента, ответственного за ионную проводимость в твердом электролите. Предложен новый метод изготовления материала для оптической записи информации на основе явления фотостимулированного переноса ионов и фотоосаждения металла в гетеропереходах на основе твердого электролита.
Стецун А.И. Фотоосаждение металла в гетеропереходах ствердым электролитом. Случай гетеропереходов CdSe--As2S3 : Agx (x=0.9-2.4) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1197

Рассмотрены зависимости коэффициентов умножения носителей зарядаM от приложенного напряжения вкремниевых p-n-переходах снапряжением лавинного пробоя 10--3000 В. Предложены аналитические выражения для аппроксимации этих зависимостей для электронов, дырок игенерационного тока. Вдиапазоне изменения коэффициентов умножения 1.01--3.0 относительная среднеквадратичная ошибка аппроксимации (M-1) составляет несколько процентов. Это более чем на порядок величины лучше, чем при аппроксимации широко распространенным выражением Миллера--Молла. Предполагается, что аналитические выражения предлагаемого вида будут пригодны для аппроксимации зависимостей коэффициентов умножения от приложенного напряжения вбольшинстве полупроводниковых материалов.
Сережкин Ю.Н., Шестеркина А.А. Умножение носителей заряда вкремниевых P-N-переходах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1109

Проведены исследования электрических характеристик диодных структур Cr--n-InP иMo--n-InP исделана оценка механизма токопрохождения. Установлено, что вструктурах Cr--n-InP преобладает либо термоэлектронный, либо генерационно-рекомбинационный ток взависимости от температуры. Вструктурах Mo--n-InP--- двойная инжекция носителей заряда при дрейфовом переносе.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. Омеханизмах токопереноса вдиодных структурах Cr--n-InP иMo--n-InP // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 960

Исследовалось влияние химической нитридизации поверхности подложек (100) GaAs в гидразин-сульфидных растворах перед формированием барьерных контактов на параметры поверхностно-барьерных структур Au--Ti/GaAs. Структуры, сформированные на нитридизованных подложках, обнаруживают уменьшение обратных токов и увеличение напряжения пробоя. При этом высота потенциального барьера в таких структурах равна 0.71±0.02 эВ, а коэффициент идеальности составляет 1.06±0.01. Наблюдаемый эффект улучшения электрофизических параметров структур обусловлен замещением на поверхности подложки слоя естественного окисла тонким когерентным слоем нитрида галлия.
Львова Т.В., Берковиц В.Л., Дунаевский М.С., Лантратов В.М., Макаренко И.В., Улин В.П. Химическая нитридизация поверхности(100)GaAs: влияние наэлектрофизические характеристки Au--Ti/GaAs поверхностно-барьерных структур // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 955

Приведены вольт-амперные характеристики, а также спектральные и ватт-амперные характеристики излучения диодов, изготовленных из двойных гетероструктур InAsSbP/InGaAsSb на подложке InAs, при прямом и обратном смещении вдиапазоне температур 25--90oC. Показано, что отрицательная люминесценция, возникающая вследствие экстракции носителей из областей вблизи от p-n-перехода при температурах ~ 90oC, имеет больший коэффициент преобразования, чем электролюминесценция. Показано сужение спектров отрицательной люминесценции вдиодах со встроенными резонаторами.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Отрицательная люминесценция надлине волны 3.9 мкм вдиодах на основе InGaAsSb // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 951

Методом стационарной кристаллизации выращены монокристаллы фосфида бора. Предложены и созданы новые фоточувствительные структуры In/p-BP и H2O/p-BP. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и спектры относительной квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Определены характер и энергии прямых и непрямых межзонных переходов. Сделан вывод овозможностях практического применения полученных структур из фосфида бора.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительные структуры на монокристаллах фосфида бора // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 947

Представлены результаты исследования свойств гетеростурктур a-SiGe : H/c-Si, полученных высокоскоростным методом низкочастотного(55 кГц) плазмохимического осаждения. Показано, что пленки a-SiGe : H обладают высокой фоточувствительностью. Положением пика фоточувствительности гетероструктур a-SiGe : H/c-Si можно управлять вдиапазоне от830 до920 нм засчет увеличения содержанияGe иуменьшения ширины запрещенной зоны сплаваa-SiGe : H.
Шерченков А.А. Спектральная фоточувствительность гетероструктур a-SiGe : H/c-Si // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 790

Методом атомно-силовой микроскопии ватмосферных условиях исследовались топографические характеристики сколов структур Ge / Si, содержащих заращенные слои наноостровков GeSi. Показано, что релаксация упругих напряжений островков иприлегающих кним областей матрицы Si на свободной поверхности скола приводит кпроявлению локальных топографических особенностей на сколах структур. Обнаружено, что островки могут проявляться на поверхности скола ввиде двух типов топографических особенностей: ввиде бугорков, когда плоскость скола непосредственно пересекает островок, упруго сжатый вматрицеSi, или ввиде ямки, когда плоскость скола пересекает прилегающую костровку область Si-матрицы, подвергнутую растяжению. Выполненные исследования продемонстрировали возможности нового метода изучения заращенных наноостровков вцелях их обнаружения, оценки размеров, распределений по размерам, эффектов взаимодействия вмногослойных структурах, атакже выявления связанных сними деформаций.
Дунаевский М.С., Красильник З.Ф., Лобанов Д.Н., Новиков А.В., Титков А.Н., Laiho R. Визуализация заращенных наноостровков GeSi вкремниевых структурах методом атомно-силовой микроскопии на сколах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 692

Совместный анализ производных C'V(Vg) экспериментальной и идеальной квазистатических вольт-фарадных характеристик, представленных в зависимости от нормированной дифференциальной емкости МДП структуры VV(Vg), позволяет идентифицировать в пределах энергетической щели полупроводника Eg области, в которых практически отсутствуют пограничные состояния и в которых легко установить связь между поверхностным потенциаломpsiS реального полупроводника и приложенным к МДП структуре напряжениемVg. Это позволяет достаточно точно определять аддитивные постоянные psiS0(Vg0), необходимые для расчета зависимости psiS(Vg) во всем диапазоне измененийVg путем численного интегрирования экспериментальной квазистатистической вольт-фарадной характеристики. Сопоставление этой зависимости с идеальной детально характеризует интегральные электронные свойства гетерограницы полупроводник--диэлектрик: усредненную по Eg плотность пограничных состояний, качественный характер их распределения по ширине щели, напряжение плоских зонVFB и его компоненты, обусловленные фиксированным зарядом в подзатворном диэлектрике и зарядом, локализованным на пограничных состояниях. Высокая точность регистрацииVFB обеспечивает обнаружение даже слабого \glqq физического\grqq отклика МДП структур на внешние воздействия или на вариации технологии формирования гетерограницы. Приводятся результаты такого рода анализа для типичной гетерограницы SiO2/Si n-Si-МОПструктуры. Отмечается перспективность применения диаграмм C'V-\kern0.5ptCV для анализа высокочастотных вольт-фарадных характеристик.
Ждан А.Г., Кухарская Н.Ф., Чучева Г.В. Определение абсолютной величины поверхностного потенциала полупроводника поквазистатическим вольт-фарадным характеристикам МДПструктуры // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 686

Предложен исинтезирован новый класс тройных полупроводниковых соединений. Впервые выращены монокристаллы этого класса ZnFe2S4 иизучены структурные, электрические иоптические свойства. Созданы первые фоточувствительные структуры иисследованы их фотоэлектрические характеристики. Сделан вывод овозможности практического применения гетероструктур иповерхностно-барьерных структур на основе монокристалловZnFe2S4.
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Получение исвойства монокристаллов ZnFe2S4 иструктур наихоснове // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 681