Впервые получены фоточувствительные поверхностно-барьерные и гомопереходные структуры намонокристаллахn-ZnIn2Se4. Исследованы и обсуждаются спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Сделан вывод оперспективности практического применения разработанных структур.
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фоточувствительные структуры намонокристаллах ZnIn2Se4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 432

Представлены результаты исследования методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе поверхности кремния с тонким слоем окисла. Показано, что туннельный ток может представлять собой суперпозицию нескольких составляющих, что позволяет говорить о регистрации не истинного изображения поверхности, а псевдорельефа. Установлены основные закономерности модификации псевдорельефа. При положительной полярности на образце формируется изображение в виде впадин, при отрицательной--- в виде возвышенностей. Сделано предположение об электронной природе наблюдаемой модификации, которое подтверждается возможностью осуществления циклов \glqq запись--стирание--запись\grqq изображения на одном и том же участке поверхности. Обсуждается механизм модификации поверхности кремния в модели структуры диэлектрик--окисел--полупроводник, где роль диэлектрика может играть слой адсорбата.
Корнилов В.М., Лачинов А.Н. Квопросу омодификации поверхности кремния приееисследовании методом сканирующей туннельной микроскопии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 323

Проведено теоретическое рассмотрение энергии нижайших синглетного и триплетного термов мелких D--центров (два электрона, связанных с однозарядным кулоновским центром) в полупроводниках с ионной связью. Электрон-фононное взаимодействие описывается гамильтонианом Фрелиха. Энергия D--центра рассчитана с использованием метода канонических преобразований Буймистрова--Пекара для произвольной силы связи с фононами. Показано, что для всей области параметров электрон-фононного взаимодействия метод Буймистрова--Пекара дает наиболее низкие значения энергии основного состояния D--центров и свободного биполярона по сравнению с лучшими на сегодняшний день численными расчетами соответствующих величин, проводившихся в рамках прямых вариационных методов. Расчеты показали отсутствие как связанных метастабильных триплетных состояний, соответствующих нижайшему трилетному терму D--центра, так и биполярона для всей области параметров электрон-фононного взаимодействия, в полной аналогии с теоремой Хилла об отсутствии связанных возбужденных состояний ионаH-.
Каширина Н.И., Лахно В.Д., Сычев В.В., Шейнкман М.К. Свойства мелких D--центров вполярных полупроводниках // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 318

Рентгенодифрактометрическим методом изучены структурные особенности пленок Zn1-xCdxSe, выращенных парофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложке Cd0.92Zn0.08S (0001). Как для кубической, так и для гексагональной фаз подобраны асимметричные рефлексы, позволяющие не только надежно определять их присутствие в пленке, но и оценивать размер областей когерентного рассеяния рентгеновских лучей и(или) колебания параметров решетки в плоскости срастания. Пленки ZnSe преимущественно состоят из сдвойникованных прослоек кубической фазы толщиной 200--250 Angstrem с небольшим содержанием гексагональной фазы. Впленках CdS, напротив, преобладает гексагональная фаза с небольшим числом прослоек кубической фазы. Толщина прослоек кубической фазы в Zn1-xCdxSe уменьшается, а концентрация гексагональной фазы растет при небольших значениях x с примерно равным развитием обеих фаз при x=0.15-0.20.
Мартовицкий В.П., Козловский В.И., Кузнецов П.И., Скасырский Я.К., Якущева Г.Г. Слоистое строение пленок Zn1-xCdxSe, выращенных газофазной эпитаксией изметаллорганических соединений наподложках Cd0.92Zn0.08S(0001) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 310

На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>--p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окисленных на протяжении =<sssim30 мин при T=400oC, происходит формирование барьера. При увеличении времени окисления до60 мин барьер в основном сформирован, причем пленка окисла двухслойная с различным химическим составом на поверхности и на границе раздела. Наибольшие значения отношения сигнал/шум получены при полуторачасовом окислении базового материала (T=400oC) в основном из-за малых значений темнового тока, которые реализуются в таких структурах благодаря развитию достаточно однородной высокоомной прослойки. При окислении p-InSe более 100 мин состав окисла становится однородным, однако при этом изменяется тип проводимости базового полупроводника, что приводит к уменьшению высоты барьера, увеличению темнового тока и, как следствие, ухудшению фотоэлектрических параметров.
Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. Формирование барьера в гетероструктуре &lt;собственный окисел&gt;--p-InSe. Электрические ифотоэлектрические свойства // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 196

Исследован механизм токопрохождения вдиодных структурах Fe--p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция вдрейфовом приближении ввысокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отрицательный фотоответ) и резкого роста дифференциального сопротивления в магнитном поле.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. Токоперенос вдиодных структурах Fe--p-InP // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 192

Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn2S4. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn2S4, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и полученных структур. Сделаны выводы о возможностях практического применения поверхностно-барьерных структур и гетеропереходов из ZnIn2S4 в качестве широкополосных фотодетекторов естественного излучения.
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Создание исвойства фоточувствительных структур намонокристаллахZnIn2S4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 187

Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, апри освещении структуры также--- ипри обратном смещении.
Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 180

Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже впервых попытках 60-х годов по замене газа вионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу \glqq конкурентных\grqq материалов. Вработе продолжено исследование триодных структур детекторов на базе \glqq чистых\grqq пленок SiC. Установлено, что для слабоионизирующего излучения (как и вслучае сильноионизирующих alpha-частиц) происходит усиление сигнала не менее чем вдесятки раз. Последнее позволяет использовать пленки SiC протяженностью порядка десяти мкм для регистрации проникающей радиации, например, рентгеновского излучения, поскольку эффективная толщина пленок оказывается вдиапазоне сотен микрометров.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимовa Р. Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 65

Выполнено экспериментальное и теоретическое исследование спектра пропускания макропористого кремния со сквозными каналами вобласти длин волн от 0.3 до 0.8 мкм, в которой монокристаллический кремний непрозрачен. Для теоретической интерпретации спектров привлечена общая теория дифракции. Получены выражения, учитывающие дифракцию на входе и выходе из пор, а также влияние отклонения угла падения света от нормального. Показано, что спектр пропускания достаточно хорошо описывается результатами расчета.
Астрова Е.В., Коровин Л.И., Ланг И.Г., Ременюк А.Д., Шуман В.Б. Прозрачность макропористого кремния сосквозными каналами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 57