Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

171.

Фоточувствительные структуры намонокристаллах ZnIn2Se4     

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Впервые получены фоточувствительные поверхностно-барьерные и гомопереходные структуры намонокристаллахn-ZnIn2Se4. Исследованы и обсуждаются спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных структур. Сделан вывод оперспективности практического применения разработанных...
172.

Квопросу омодификации поверхности кремния приееисследовании методом сканирующей туннельной микроскопии     

Корнилов В.М., Лачинов А.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Представлены результаты исследования методом сканирующей туннельной микроскопии на воздухе поверхности кремния с тонким слоем окисла. Показано, что туннельный ток может представлять собой суперпозицию нескольких составляющих, что позволяет говорить о регистрации не истинного изображения поверхнос...
173.

Свойства мелких D--центров вполярных полупроводниках     

Каширина Н.И., Лахно В.Д., Сычев В.В., Шейнкман М.К. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Проведено теоретическое рассмотрение энергии нижайших синглетного и триплетного термов мелких D--центров (два электрона, связанных с однозарядным кулоновским центром) в полупроводниках с ионной связью. Электрон-фононное взаимодействие описывается гамильтонианом Фрелиха. Энергия D--центра рассчита...
174.

Слоистое строение пленок Zn1-xCdxSe, выращенных газофазной эпитаксией изметаллорганических соединений наподложках Cd0.92Zn0.08S(0001)     

Мартовицкий В.П., Козловский В.И., Кузнецов П.И., Скасырский Я.К., Якущева Г.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Рентгенодифрактометрическим методом изучены структурные особенности пленок Zn1-xCdxSe, выращенных парофазной эпитаксией из металлорганических соединений на подложке Cd0.92Zn0.08S (0001). Как для кубической, так и для гексагональной фаз подобраны асимметричные рефлексы, позволяющие не только надеж...
175.

Формирование барьера в гетероструктуре <собственный окисел>--p-InSe. Электрические ифотоэлектрические свойства     

Драпак С.И., Орлецкий В.Б., Ковалюк З.Д., Нетяга В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
На основе комплексного исследования электрических и фотоэлектрических свойств, а также шумовых характеристик гетероструктур <собственный окисел>--p-InSe прослежена динамика формирования барьера в зависимости от температурных и временных режимов окисления. Установлено, что в структурах, окис...
176.

Токоперенос вдиодных структурах Fe--p-InP     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Саморуков Б.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Исследован механизм токопрохождения вдиодных структурах Fe--p-InP и его зависимость от освещения и магнитного поля. Показано, что двойная инжекция вдрейфовом приближении ввысокоомный pi-слой является основным механизмом токопереноса. Обнаружены и обсуждены явления гашения прямого тока светом (отр...
177.

Создание исвойства фоточувствительных структур намонокристаллахZnIn2S4     

Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Созданы и исследованы первые фоточувствительные структуры на монокристаллах тройного соединения ZnIn2S4. По результатам измерений спектров оптического поглощения кристалов ZnIn2S4, стационарных ВАХ и фоточувствительности структур при T=300 K анализируются оптоэлектронные свойства соединения и пол...
178.

Электрические свойства изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe     

Драпак С.И., Манассон В.А., Нетяга В.В., Ковалюк З.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Приводятся результаты исследования электрических свойств впервые изготовленной изотипной гетероструктуры p+-Bi2Te3--p-GaSe. Предложена качественная модель, объясняющая возникновение отрицательной дифференциальной проводимости при прямом напряжении смещения, апри освещении структуры также--- ипри ...
179.

Карбид-кремниевые транзисторные структуры как детекторы слабоионизирующего излучения     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Бойко М.Е., Савкина Н.С., Стрельчук А.М., Лебедев А.А., Якимовa Р. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Детекторы ядерных излучений на базе SiC занимали видное место уже впервых попытках 60-х годов по замене газа вионизационных камерах более конденсированной полупроводниковой средой. Однако динамика совершенствования SiC тех лет заметно уступала прогрессу \glqq конкурентных\grqq материалов....
180.

Прозрачность макропористого кремния сосквозными каналами     

Астрова Е.В., Коровин Л.И., Ланг И.Г., Ременюк А.Д., Шуман В.Б. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Выполнено экспериментальное и теоретическое исследование спектра пропускания макропористого кремния со сквозными каналами вобласти длин волн от 0.3 до 0.8 мкм, в которой монокристаллический кремний непрозрачен. Для теоретической интерпретации спектров привлечена общая теория дифракции. Получены в...