При температуре 77 K в макроскопических Si-МОП структурах со встроенным p-каналом обнаружены мезоскопические флуктуации недиагональной компоненты тензора сопротивления Rxy в условиях обеднения канала свободными дырками. Установлено, что флуктуации delta Rxy обусловлены переходом от трехмерной к квазидвумерной перколяционной проводимости свободных дырок во флуктуационном потенциале ионизованных примесей легированного поверхностного p-слоя, обедняемого под действием эффекта поля. Изанализа delta Rxy получены оценки радиуса корреляции перколяционного кластера Lc, определяющего масштаб электрической неоднородности структуры, в зависимости от потенциала затвораVg. Показано, что зависимость Lc от Vg хорошо описывается в рамках представлений о нелинейном экранировании флуктуационного потенциала дырками и о перколяционном характере их транспорта при изменении Lc от значений ~ 10 нм до~ 1 мкм. PACS: 73.40.Qv, 73.23.-b
Аронзон Б.А., Веденеев А.С., Панферов А.А., Рыльков В.В. Мезоскопические флуктуации проводимости при обеднении встроенного канала полевого транзистора // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1082

Исследованы в широком температурном интервале вольт-амперные характеристики структур Al/SiO2/c-Si с кремниевыми нанокристаллами (nc-Si) в оксидном слое. Выполненный на основе полученных экспериментальных данных анализ показал, что наиболее вероятным механизмом переноса носителей заряда в таких структурах является термоактивированное туннелирование через электронные состояния в nc-Si. PACS: 73.60.Bd; 72.80.Jc; 73.40.Gk.
Рябчиков Ю.В., Форш П.А., Лебедев Э.А., Тимошенко В.Ю., Кашкаров П.К., Kamenev B.V., Tsybeskov L. Перенос носителей заряда вструктуре скремниевыми нанокристаллами, внедренными воксидную матрицу // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1079

Исследованы вольт-амперные характеристики контактов при температурах300 и77 K. Контакты были получены химическим осаждениемAu на поверхность(111) поликристаллического p-CdTe после травления в бром-метаноле и после пассивации в(NH4)2Sx. Показано, что пассивация поверхности заметно приближает вольт-амперные характеристики к линейным при300 K и лишь незначительно при77 K. Измерения низкотемпературной фотопроводимости образцов показали, что пассивация поверхности в(NH4)2Sx уменьшает плотность поверхностных состояний на границе металл-полупроводник. PACS: 73.40.Ns, 81.65.Ps
Клевков Ю.В., Колосов С.А., Плотников А.Ф. Влияние пассивации поверхности p-CdTe в(NH4)2Sx навольт-амперные характеристики контактов // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1074

В условиях перколяционного перехода диэлектрик--металл обсуждается поведение латеральной проводимостиG мезоскопических Si-МОП структур с инверсионным p-каналом, обладающих высокой концентрацией встроенных (ионных) зарядов (Nt=<q 3· 1012 см-2). При температурах >=q77 K на зависимостяхG от поперечного(Vg) и продольного(Vd) напряжений обнаружены: квазиплатоG(Vg) при G~ 2e2/h и минимумG(Vd) при |Vd|
Веденеев А.С., Феклисов М.А. Точечные квантовые контакты вразупорядоченных Si-МОП структурах синверсионным p-каналом: нелинейное поведение системы в продольном ипоперечном электрическом поле // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1069

Исследовались туннельные эмиссионные токи электронов из полупроводников в вакуум (игольчатые GaAs-фотодетекторы) и в металл (кремниевые МДП диоды с туннельно-тонким слоем диэлектрика) в сильных и сверхсильных электрических полях. Показано, что в полупроводниках n-типа проводимости в обоих случаях основной вклад в эмиссионный ток вносит туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводника, а не из зоны проводимости. PACS: 79.70.+q, 79.60.Jv
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов из валентной зоны полупроводников всильных электрических полях // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1062

Выращены монокристаллы тройных соединений CuGa3Te5 иCuGa5Te8 и исследованы их физические свойства. На гомогенных кристаллах созданы первые фоточувствительные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8. Выполнены исследования фотоэлектрических свойств новых структур, определены параметры структур и новых полупроводников, сделан вывод о возможностях их применения в широкополосных фотопреобразователях неполяризованного излучения. PACS: 72.40.+v, 73.30.+y, 85.60.Gz
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Боднарь И.В. Поверхностно-барьерные структуры In/p-CuGa3Te5 и In/p-CuGa5Te8: создание исвойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1054

Выполнен анализ погрешностей определения глубины уровней поверхностных состояний катодной границы раздела диэлектрик-люминофор, ширины потенциального барьера и вероятности туннелирования электронов с поверхностных состояний при численном моделировании экспериментальных зависимостей тока, протекающего через слой люминофора, от времени. Получены зависимости указанных параметров от времени для полного цикла работы электролюминесцентных излучателей, установлено влияние на них частоты и амплитуды импульсов напряжения возбуждения, а также засветки излучателей в синей области спектра во время паузы между импульсами. Определены зависимости от времени коэффициента умножения и числа ионизаций, приходящихся на один электрон в области ударной ионизации. Оценена максимальная величина коэффициента ударной ионизации, составляющая>=q 2.6· 104 см-1. PACS: 78.60.Fi, 78.66.Hf
Гурин Н.Т., Афанасьев А.М., Сабитов О.Ю., Рябов Д.В. Туннелирование и ударная ионизация втонкопленочных электролюминесцентных структурах на основеZnS : Mn // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 949

Исследованы особенности влияния быстрого отжига на электрофизические характеристики структурSiO2/Si с тонкими слоями анодного оксида кремния (столщиной диэлектрических слоев ~10 нм), сформированных на подложках из монокристаллического кремния, в зависимости от полупроводниковых свойств кремниевой основы, длительности, температуры и среды термического воздействия. Определена оптимальная длительность высокотемпературного отжига этих структур в инертной среде для их использования в технологии наноразмерных МОП структур интегральных схем. PACS: 73.40.Qv, 81.65.Mq, 85.30.Tv
Баранов И.Л., Табулина Л.В., Становая Л.С., Русальская Т.Г. Влияние быстрого отжига наэлектрофизические свойства структурSiO2/Si стонкими слоями анодного оксида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 944

Установлено влияние характеристического рентгеновского излучения (длина волны lambda=0.056 нм) на фотоэлектрические параметры гетеропереходов <собственный термический окисел>-p-InSe. Исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики структур до и после облучения. Обнаруженные изменения напряжения холостого хода, тока короткого замыкания, вольт-амперных характеристик и спектров фоточувствительности гетеропереходов обусловлены образованием радиационных дефектов вInSe. Они приводят к увеличению рекомбинационных процессов в механизмах токопереноса, незначительно изменяют скорость поверхностной рекомбинации и не оказывают деструктивного влияния на величину контактной разности потенциалов. Полученные результаты объясняются в рамках электростатической модели образования радиационных дефектов в кристаллической решетке. PACS:73.40Lq, 73.50.Pz, 61.80.Cb
Ковалюк З.Д., Катеринчук В.Н., Политанская О.А., Раранский Н.Д. Характеристики гетеропереходов окисел--p-InSe вусловиях рентгеновского облучения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 8, Стр. 940

При помощи метода релаксации неравновесной емкости структуры металл--окисел--полупроводник изучено влияние ультразвукового воздействия на генерационные параметры границы раздела Si-SiO2, облученной gamma-квантами. Обнаружено уменьшение генерационного времени жизни под влиянием ультразвуковой обработки. Показано, что в облученных и необлученных структурах изменение генерационных параметров под влиянием ультразвука носит существенно различный характер. PACS: 73.40.Qv, 73.20.Hb, 61.80.Ed, 73.50.Gr
Парчинский П.Б., Власов С.И., Лигай Л.Г. Исследование влияния ультразвукового воздействия нагенерационные характеристики предварительно облученной границы раздела кремний--диоксид кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 829