Исследовались кремниевые диоды с p+-n-переходом, облученные быстрыми электронами (энергия E=3.5 МэВ, флюенс Phi=4·1016 см-2). Индуктивность диодов(L) измерялась на частоте f=1 МГц при амплитуде переменного тока0.25 мА. Одновременно с измерениемL на переменном токе через включенный в прямом направлении диод пропускался постоянный ток, что приводило к инжекции в базу неосновных носителей заряда. Для выяснения механизмов возникновения импеданса индуктивного типа в облученных диодах с p+-n-переходом, а также для идентификации основных радиационных дефектов, непосредственно принимающих участие в его возникновении, был проведен изохронный отжиг в диапазоне температур Ta=225-375oC с последующим исследованием основных характеристик дефектов методом нестационарной емкостной спектроскопии(DLTS). Показано, что импеданс индуктивного типа в облученных диодах определяется процессами захвата и удержания инжектированных в базу носителей заряда на центрах прилипания в течение времени~1/2f, т. е. полупериода колебаний. Показано также, что центрами прилипания являются комплексы вакансия--кислород, вводимые облучением. PACS:85.30.Kk, 73.40.Lq, 71.55.Cn, 61.80.Fe
Поклонский Н.А., Шпаковский С.В., Горбачук Н.И., Ластовский С.Б. Отрицательная емкость (импеданс индуктивного типа) кремниевых p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 824

Исследована магнитополевая зависимость фотопроводимости Si : B-структур с блокированной проводимостью по примесной зоне (BIB-структур) с концентрацией примеси бора в активном слое ~ 1018 см-3. Измерения выполнены в импульсных магнитных полях B до 30 Тл при длительности импульса 0.8 с в диапазоне температур T=4.2-9 K при облучении структур фоном комнатной температуры интенсивностью ~ 1016 фотон/см2·c. Установлено, что в продольной геометрии, когда магнитное поле направлено параллельно электрическому полю, падение фототока с увеличением B происходит главным образом из-за уменьшения коэффициента умножения дырок M в поле и(или) из-за увеличения в поле энергии активации прыжковой проводимости в активном слое. При T=4.2 K падение фототока может достигать нескольких десятков раз. Вто же время при пониженных напряжениях смещения Vb, когда M~ 1, и повышенных температурах, T~ 9 K, падение фототока не превышает 2 раз в полях ~ 30 Тл. Обнаружено также, что в поперечной геометрии (магнитное поле перпендикулярно электрическому полю) влияние магнитного поля на фотоотклик структуры существенно увеличивается (при T=4.2 K более чем на порядок). Данный факт объясняется эффектами накопления заряда в нелегированном слое BIB-структур из-за увеличения времени пролета дырками этого слоя, связанного с сильным искривлением траекторий их движения в поперечной геометрии. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 73.50.Gr, 73.50.Jt.
Аронзон Б.А., Драченко А.Н., Рыльков В.В., Леотин Ж. Влияние сильных магнитных полей на фотоотклик Si : B-структур сблокированной проводимостью по примесной зоне // ФТП, 2006, том 40, выпуск 7, Стр. 819

Вычислено излучательное время жизни невырожденных электронов и дырок, однородно распределенных в полупроводниковом слое, который расположен на подложке или ограничен двумя диэлектрическими средами. Полученное выражение учитывает эффекты перепоглощения и интерференции излучения и определяет зависимости излучательного времени жизни от показателей преломления внешних сред и от толщины слоя. PACS:78.20.Bh, 78.20.Ci, 78.55.-m
Пипа В.И. Излучательное время жизни электронов идырок в тонком слое полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 6, Стр. 686

Исследованы фоточувствительные в области 0.5-1.7 мкм фотодиоды, полученные вакуумным магнетронным распылением слоя ITO (SnO2+In2O3) на поверхность монокристалла Hg3In2Te6. Измеренные электрические характеристики при температурах 265-333 K свидетельствуют о термоэлектронном механизме переноса заряда в исследуемых диодах. Вольт-амперная характеристика и ее температурные изменения находят количественное описание на основе энергетической диаграммы и найденных параметров гетероперехода. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 85.60.Dn
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Склярчук О.Ф., Герман И.И., Weiguo Sun Электрические характеристики фотодиодов ITO/HgInTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 568

Рассмотрена гетероструктура, образованная включением кубической 3Cобласти между гексагональными \glqq обкладками\grqq. Предполагается, что величина спонтанной поляризации пропорциональна степени гексагональности \glqq обкладок\grqq. Вэтом предположении вычислены значения электростатических полей в кубической области и определено положение двумерных подзон. Оценена энергия квазипрямых и непрямых экситонных переходов с использованием моделей треугольной и прямоугольной ям. Оценки для системы4H/3C/4H показывают вполне удовлетворительное согласие с расчетами других авторов и экспериментальными данными. PACS: 71.35.-y, 77.22.Ej, 73.40.Lq
Давыдов С.Ю., Лебедев А.А., Посредник О.В. Оценки энергии экситонных переходов вгетероструктурах NH/3C/NH (N=2,4,6,8) наоснове политипов карбида кремния // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 563

Методом DLTS исследованы распределения по глубине дефектов, возникающих в кремнии при имплантации ионов бора с энергией14 MэВ, и их трансформация при отжиге в интервале температур 200-800oC. Установлено, что в результате имплантации формируется стандартный набор радиационных дефектов вакансионного типа (комплексы кислород--вакансия, фосфор--вакансия, дивакансии) и центр с уровнем Ec-0.57 эВ. Термообработки при температуре 200-300oC приводят к удалению всех вакансионных комплексов на расстоянии от поверхности h>12-9 мкм. Это происходит, скорее всего, за счет распада межузельных комплексов, локализованных на глубине h>12-9 мкм, и аннигиляции их с вакансионными дефектами. Отжиги при более высоких температурах вызывают дальнейшее сужение слоя, в котором выживают вакансионные дефекты, до h~ 6 мкм при 500oC, и смену наблюдаемых электрически активных центров в интервале температур 400-500oC. Специфика отжига радиационных дефектов после высокоэнергетической ионной имплантации обусловлена пространственным разделением вакансионных и межузельных дефектов. PACS: 61.72.Tt, 61.72.Cc
Антонова И.В., Шаймеев С.С., Смагулова С.А. Трансформация при отжиге электрически активных дефектов вкремнии, имплантированном ионами высоких энергий // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 557

На основе 18-зонной kp-модели проведен анализ волновых функций состояний валентной зоны. Найдено, что обычно используемое приближение не зависящих от энергии эффективных масс для зон легких и тяжелых дырок оправдано только вблизи вершины валентной зоны. Рассмотрены условия сшивания огибающих функций дырок на гетерограницах GaAs/AlAs с ориентациями (111) и(110) как с учетом, так и без учета спин-орбитального взаимодействия для энергий в окрестности вершины валентной зоны. Они получены в результате упрощения описания электронных состояний методом псевдопотенциала. Полученные условия сшивания полностью согласуются с симметрией задачи. Вних присутствует смешивание огибающих функций с их нормальными производными и смешивание производных с функциями. Показано, что смешивание легких и тяжелых дырок на гетерогранице не имеет места для границы(111), но существует для границы(110). Найдено, что для гетерограницы(110) имеется заметно большее, чем для границы(001), резонансное смешивание состояний. PACS: 73.50.Dn, 73.40.Kp
Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Рассеяние дырок гетерограницами GaAs/AlAs (111) и(110) // ФТП, 2006, том 40, выпуск 5, Стр. 549

Исследованы особенности спектров фотолюминесценции в имплантированных ионами водорода структурах кремний-на-изоляторе. Обнаружено увеличение интенсивности фотолюминесценции с ростом гидростатического давленияP во время отжига и формирование системы узких периодических пиков фотолюминесценции в спектральном диапазоне~500-700 нм для структур, отожженных при P>6 кбар. Показано, что появление тонкой структуры в спектре фотолюминесценции коррелирует с замедлением выхода водорода из имплантированных образцов и подавлением процесса образования микропузырей водорода в приповерхностном слое. Эти процессы способствуют формированию оптического резонатора с зеркалами, образованными границами раздела \glqq кремний-на-изоляторе-воздух\grqq и \glqq кремний-на-изоляторе-SiO2\grqq, и оптически активным слоем, созданным имплантацией ионов водорода и последующим отжигом. PACS: 78.55.Hx, 78.66.-w, 81.40.Tv, 81.60.Cp, 68.55.Ln
Тысченко И.Е., Журавлев К.С., Талочкин А.Б., Попов В.П. Особенности фотолюминесценции вструктурах кремний-на-изоляторе, имплантированных ионами водорода // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 426

Проведены исследования оптических и электрических свойств алмазоподобных пленок углерода, имплантированных ионами меди с энергией 40 кэВ дозами 3·1014-3·1017 ион / см2, а также влияние на них постимплантационного термического отжига в условиях вакуума. Установлено, что имплантированные атомы меди при дозах менее 6·1015 ион / см2 не влияют на электронные свойства углеродных пленок. Постимплантационный термический отжиг при температурах отжига ниже 500oC не приводит к их активации. Однако формирование наночастиц меди ведет к характерным изменениям оптических и электрических свойств углеродных пленок. Установлено, что эффективная оптическая щель композитной пленки, определенная из зависимости Тауца, является функцией фактора заполнения металлической фазы и может принимать отрицательные значения. Показано, что оптическое поглощение синтезированной медь-углеродной композитной пленки в видимой и ближней ультрафиолетовых областях спектра хорошо описывается на основе двухслойной модели. При формировании наночастиц меди в углеродной матрице происходит изменение температурной зависимости электропроводимости, однако механизм переноса заряда остается прыжковым. PACS: 73.50.Dn, 78.20.Ci, 61.72.Ww
Файзрахманов И.А., Базаров В.В., Степанов А.Л., Хайбуллин И.Б. Влияние имплантации ионов меди наоптические свойства инизкотемпературную проводимость углеродных пленок // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 419

Исследованы инфракрасные спектры отражения, обусловленные колебаниями решетки в эпитаксиальных гетероструктурах AlxGa1-xAs/GaAs (100), выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии, с различными концентрациямиAl в металлической подрешетке. Вспектре образца с x~0.50 обнаружены моды колебаний, соответствующие сверхструктурной фазе упорядочения AlGaAs2. Атомно-силовая микроскопия поверхности образца с x~0.50 показала наличие областей упорядочения нанорельефа с периодом ~115 нм, в которых проявляется структурная фаза AlGaAs2. PACS: 78.66.Fd, 81.05.Ea, 68.05.Nq
Домашевская Э.П., Середин П.В., Лукин А.Н., Битюцкая Л.А., Гречкина М.В., Арсентьев И.Н., Винокуров Д.А., Тарасов И.С. Инфракрасные спектры отражения иморфология поверхности эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1-xAs/GaAs (100) сфазой упорядоченияAlGaAs2 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 4, Стр. 411