Описаны многослойные градиентные структуры InAs1-xSbx/.../InAs1-x-ySbxPy/n-InAs, излучающие в диапазоне длин волн от6 до9 мкм при инжекции/экстракции и оптической накачке.
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Тараканова Н.Г. Люминесценция lambda =6-9 мкм многослойных структур наосновеInAsSb // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 230

Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых \glqq сaндвич\grqq-структурах Si--SiO2--W с толщиной SiO2 около20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-образная вольт-амперная характеристика, во втором--- типичная для электрического пробоя с тепловой неустойчивостью S-образная зависимость. Обсуждаются механизмы процессов. Отмеченное различие может быть связано с тем, что только поток электронов (но не дырок) через структуру приводит к деструкции молекул на поверхности изолирующей щели и образованию из них частиц проводящей фазы.
Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. Качественное различие механизмов процесса электроформовки вструктурах Si--SiO2--W для Si n- иp-типов проводимости // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 222

Методом магнетронного распыления мишени изZnO с последующим осаждением на поверхность пленок Cu(In,Ga)Se2 получены тонкопленочные гетеропереходы n-ZnO(Al)/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Сделан вывод о возможностях применения бескадмиевых экологически безопасных гетероструктур в качестве высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучения.
Гременок В.Ф., Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se2 // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 218

Исследована плотность тока в электронном 2D-газе со сверхрешеткой в сильном электрическом поле под влиянием кноидальной электромагнитной волны и при явном учете электрнно-фононного взаимодействия. Постоянное электрическое квантующее поле направлено вдоль оси сверхструктуры, а вектор напряженности поля нелинейной волны перпендикулярен этой оси. Выявлен осцилляционный характер зависимости постоянной составляющей плотности тока, текущего вдоль оси сверхрешетки, от напряженности постоянного электрического поля.
Завьялов Д.В., Крючков С.В., Мещерякова Н.Е. Влияние нелинейной электромагнитной волны наплотность тока вповерхностной сверхрешетке всильном электрическом поле // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 214

-1 Рассмотрено рассеяние носителей заряда на потенциальных барьерах границ зерен в пленках поликристаллического кремния. Анализируется влияние этого механизма рассеяния на подвижность носителей заряда. Наблюдается удовлетворительное согласие между расчетными и экспериментальными подвижностями дырок. Развитая модель может использоваться для рассмотрения других кинетических явлений.
Гридчин В.А., Любимский В.М., Моисеев А.Г. Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 208

Сообщается о результатах исследования влияния лазерного излучения малой мощности на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия из паровой фазы на подложке, охлажденной жидким азотом (резко неравновесные условия). Приводятся результаты технологических экспериментов, результаты исследования дифракции электронов (электронограммы) и данные о диаграмме конденсации. Выявлено, что в зависимости от температуры подложки лазерное излучение может как способствовать повышению кристаллического совершенства пленок, так и оказывать отрицательное воздействие. Показано, что диаграмма конденсации слоев сульфида кадмия при облучении подложки лазерным излучением малой мощности сдвинута относительно диаграммы конденсации, полученной без воздействия лазерного излучения, в сторону более высоких температур. Результаты эксперимента интерпретируются в рамках модели солитонной гетероэпитаксии.
Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. Влияние лазерного излучения наформирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях // ФТП, 2005, том 39, выпуск 2, Стр. 204

Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили распределения элементов по глубине слоев. Методом электрохимического C-V-профилирования проанализировано распределение носителей тока в сильно легированных структурах с p-n-переходом. Показано, что слоиGaN, полученные в реакторе низкого давления, отличаются улучшенными структурными, электрическими и оптическими характеристиками.
Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И. Особенности эпитаксиального наращиванияGaN при пониженном давлении вреакторе МОГФЭ // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 21

Сообщается о получении эпитаксиальных слоев BxGa1-xAs на подложкеGaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. Вкачестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были исследованы методами рентгеновской дифракции, вторичной ионной масс-спектрометрии и фототоковой спектроскопии. Результаты вторичной ионной масс-спектрометрии показали равномерное распределение бора по толщине слоя. По данным фототоковой спектроскопии ширина запрещенной зоны BGaAs уменьшается с ростом концентрации бора.
Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S. Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs // ФТП, 2005, том 39, выпуск 1, Стр. 17

Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной областиSi при облучении ионамиBi с энергией0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост начинается после достижения пороговой дозы облучения. Полученные результаты хорошо описываются в рамках модели, основанной на миграции генерируемых ионами мобильных точечных дефектов к поверхности и последующих процессах их сегрегации на межфазной границе, а также наличии насыщаемых стоков в исходных образцах.
Азаров А.Ю. Кинетика роста поверхностного аморфного слоя принизкотемпературном облучении кремния быстрыми тяжелыми ионами // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1445

Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубоких уровней (Q-DLTS) с разверткой по временному окну при фиксированных значениях температуры. Такой метод позволяет исследовать ловушки вблизи середины запрещенной зоны Si при температурах, близких к комнатной. Показано, что плотность ловушек с непрерывным энергетическим спектром, локализованных на границе Si/SiO2, созданной сращиванием, в середине запрещенной зоны уменьшается более чем на 4порядка по сравнению с плотностью в максимуме, наблюдаемом при энергии активации Ea~ 0.2-0.3 эВ. Вотсеченном слое Si изготовленных структур КНИ обнаружены также центры захвата с энергией активации при комнатной температуре Ea=0.53 эВ, сечением захвата 10-19 см2 и концентрацией (0.7-1.7)· 1013 см-3. Предполагается, что данные центры захвата--- глубокие объемные уровни, индуцированные электрически активными примесями (дефектами) в отсеченном слое Si вблизи границы Si/SiO2.
Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И. Ловушки сэнергиями вблизи середины запрещенной зоны награнице Si/SiO2, созданной сращиванием, вструктурах кремний-на-изоляторе // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1439