Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

91.

Люминесценция lambda =6-9 мкм многослойных структур наосновеInAsSb     

Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Тараканова Н.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Описаны многослойные градиентные структуры InAs1-xSbx/.../InAs1-x-ySbxPy/n-InAs, излучающие в диапазоне длин волн от6 до9 мкм при инжекции/экстракции и оптической накачке. ...
92.

Качественное различие механизмов процесса электроформовки вструктурах Si--SiO2--W для Si n- иp-типов проводимости     

Мордвинцев В.М., Кудрявцев С.Е., Левин В.Л. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Приводятся результаты экспериментов по исследованию процессов электроформовки в открытых \glqq сaндвич\grqq-структурах Si--SiO2--W с толщиной SiO2 около20 нм. Отмечается их принципиальное различие для Si p- и n-типов проводимости: в первом случае наблюдается обычная для электроформовки N-...
93.

Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnO--Cu(In,Ga)Se2     

Гременок В.Ф., Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Методом магнетронного распыления мишени изZnO с последующим осаждением на поверхность пленок Cu(In,Ga)Se2 получены тонкопленочные гетеропереходы n-ZnO(Al)/p-Cu(In,Ga)Se2. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Сделан вы...
94.

Влияние нелинейной электромагнитной волны наплотность тока вповерхностной сверхрешетке всильном электрическом поле     

Завьялов Д.В., Крючков С.В., Мещерякова Н.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследована плотность тока в электронном 2D-газе со сверхрешеткой в сильном электрическом поле под влиянием кноидальной электромагнитной волны и при явном учете электрнно-фононного взаимодействия. Постоянное электрическое квантующее поле направлено вдоль оси сверхструктуры, а вектор напряженности...
95.

Рассеяние носителей заряда на границах кристаллитов в пленках поликристаллического кремния     

Гридчин В.А., Любимский В.М., Моисеев А.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
-1 Рассмотрено рассеяние носителей заряда на потенциальных барьерах границ зерен в пленках поликристаллического кремния. Анализируется влияние этого механизма рассеяния на подвижность носителей заряда. Наблюдается удовлетворительное согласие между расчетными и экспериментальными подвижностями д...
96.

Влияние лазерного излучения наформирование ориентированных слоев сульфида кадмия в резко неравновесных условиях     

Беляев А.П., Рубец В.П., Антипов В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Сообщается о результатах исследования влияния лазерного излучения малой мощности на формирование ориентированных слоев сульфида кадмия из паровой фазы на подложке, охлажденной жидким азотом (резко неравновесные условия). Приводятся результаты технологических экспериментов, результаты исследован...
97.

Особенности эпитаксиального наращиванияGaN при пониженном давлении вреакторе МОГФЭ     

Хрыкин О.И., Бутин А.В., Гапонова Д.М., Данильцев В.М., Дроздов М.Н., Дроздов Ю.Н., Мурель А.В., Шашкин В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Изучены свойства слоев GaN, полученных методом МОГФЭ на сапфировых подложках при атмосферном и при пониженном давлении в реакторе. Проведен сравнительный анализ морфологии поверхности, структурных, люминесцентных и электрических транспортных свойств таких структур. Методом ВИМС измерены профили р...
98.

Получение слоев BGaAs методом МОГФЭ на подложках GaAs     

Пряхин Д.А., Данильцев В.М., Дроздов Ю.Н., Дроздов М.Н., Гапонова Д.М., Мурель А.В., Шашкин В.И., Rushworth S. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Сообщается о получении эпитаксиальных слоев BxGa1-xAs на подложкеGaAs методом металлорганической газофазной эпитаксии при пониженном давлении. Вкачестве источников бора, галлия и мышьяка использовались триэтилбор, триметилгаллий и арсин. Были подобраны оптимальные условия роста. Слои были иссл...
99.

Кинетика роста поверхностного аморфного слоя принизкотемпературном облучении кремния быстрыми тяжелыми ионами     

Азаров А.Ю. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Рассмотрено накопление дефектов в приповерхностной областиSi при облучении ионамиBi с энергией0.5 МэВ при температуре -196oC. Показано, что накопление разупорядочения в приповерхностной области с ростом дозы облучения происходит как планарный рост аморфного слоя от границы Si--SiO2, и этот рост н...
100.

Ловушки сэнергиями вблизи середины запрещенной зоны награнице Si/SiO2, созданной сращиванием, вструктурах кремний-на-изоляторе     

Антонова И.В., Попов В.П., Поляков В.И., Руковишников А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы центры захвата (ловушки), локализованные на границе Si/SiO2 и в объеме отсеченного слоя Si в структурах кремний-на-изоляторе (КНИ), полученных методом сращивания и водородного расслоения. Для определения параметров центров была использована зарядовая релаксационная спектроскопия глубо...