Исследованы изменения в структурах Al/SiO2/Si, возникающие в результате воздействия импульсным электромагнитным излучением с длительностью переднего фронта импульса 1.4· 10-9 с и с общей длительностью импульса ~ 11.5· 10-9 с, частотой следования импульсов10 кГц и различной энергией в импульсе (=<sssim 2.4· 10-4 Дж). Измерены вольт-фарадные характеристики таких структур до, во время и после воздействия сверхкороткими импульсами. Взависимости от энергии импульса обнаружены изменения во время воздействия, связанные с перестройкой неравновесной дефектной структуры границы раздела с полупроводником и поляризацией диэлектрика, а также необратимые изменения, связанные с пробоем, наблюдаемые и после выключения воздействия.
Терехов В.А., Манько А.Н., Бормонтов Е.Н., Левченко В.Н., Требунских С.Ю., Тутов Е.А., Домашевская Э.П. Влияние сверхкоротких импульсов электромагнитного излучения напараметры структур металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1435

Из спектров фотоотражения напряженной короткопериодной сверхрешетки GaAs/GaAs0.6P0.4 определены энергии межзонных переходов с участием подзон размерного квантования. По наблюдаемому сдвигу энергии фундаментального перехода GaAs0.6P0.4 проведен расчет механических деформаций, обусловленных рассогласованием кристаллических решеток слоевGaAs иGaAs0.6P0.4. Врамках модели Кронига-Пенни проведено моделирование положения минизон сверхрешетки в зависимости от величины скачка потенциала на гетерогранице. Сравнение результатов моделирования с экспериментальными данными показало, что исследованная сверхрешетка относится к контрвариантному типу со слабо локализованными электронами и легкими дырками, при этом величина скачка потенциала на гетерогранице в зоне проводимости составилаDelta Ec/Delta Eg=0.15.
Авакянц Л.П., Боков П.Ю., Колмакова Т.П., Червяков А.В. Исследование разрыва зон нагетеропереходе напряженных короткопериодных сверхрешеток GaAs/GaAsP методом спектроскопии фотоотражения // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1429

Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--n-Si--SnO2 : Cu--Ag. Установлено, что токоперенос в данной структуре обусловлен двойной инжекцией носителей заряда в диффузионном приближении. При экспонировании гетероструктуры в газовой смеси1%-H2S/N2 наблюдался прирост величины фототока на35%. На воздухе исходные значения фототока восстанавливались. Времена нарастания и спада фотосигнала сравнительно невелики--- 1 и3 мин соответственно.
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода нафотоэлектрические характеристики изотипных гетероструктур Al-n -Si- SnO2: Cu- Ag // ФТП, 2004, том 38, выпуск 12, Стр. 1426

Методами вакуумного термического напыления слоев фталоцианина меди CuPc на поверхность пластин n- и p-Si, а затем магнетронного осаждения слоев ZnO : Al на поверхность CuPc получены структуры n-ZnO : Al / CuPc/n(p)Si. Показано, что в спектральной области 1.65-3.3 эВ полученные структуры обнаруживают высокую фоточувствительность (~ 80 В/Вт при T=300 K). Обсуждаются выпрямление и фотовольтаический эффект полученных структур в связи со свойствами кремниевых подложек. Сделан вывод о перспективах применения контакта фталоцианина с алмазоподобными полупроводниками (на примере Si) в качестве широкополосных высокоэффективных фотопреобразователей.
Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические свойства структур ZnO/CuPc/Si // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1349

Исследовано влияние gamma-облучения на величину плотности поверхностных состояний на границе раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло. Установлено, что при дозах облучения, больших чем 106 рад, наблюдается возникновение локального максимума поверхностных состояний при энергии E=Ec-(0.32±0.04) эВ. Показано, что граница раздела Si--свинцово-боросиликатное стекло характеризуется меньшей чувствительностью к воздействию gamma-облучения по сравнению с границей раздела Si--SiO2, полученной термическим окислением поверхности кремния.
Парчинский П.Б., Власов С.И., Насиров А.А. Влияние gamma -облучения нахарактеристики границы раздела кремний--свинцово-боросиликатное стекло // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1345

Исследованы вольт-амперные характеристики, возникающие при встречных градиентах температуры, для \glqq длинных\grqq p-n-гетеропереходов Ge--GaAs. Наблюдался рост коэффициента выпрямления в зависимости от величины встречных тепловых потоков, который объясняется термоэлектрическим полем, образующимся на гетерогранице.
Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш., Эфендиева Т.Н. Влияние термоэлектрического поля на вольт-амперную характеристику гетероперехода p-Ge--n-GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1343

Исследовались вольт-амперные характеристики гетероструктур Sb-Si(n)-Ge33As12Se55-Sb и Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb. Установлено, что наличие атомов висмута в переходной области приводит к увеличению тока, протекающего через структуру. Область объемного заряда, а соответственно и величина проникновения контактного поля в p-область лежат в пределах 0.2-0.5 мкм. Введение модификационного слоя висмута также приводит к качественным изменениям вольт-амперной характеристики, что свидетельствует об изменении механизма переноса носителей заряда в структуре. Введение нанослоя Bi обусловливает переход от резкого гетероперехода к плавному. В структурах с модифицированным переходным слоем наблюдается отсутствие мягкого пробоя. Мягкий пробой наблюдается при обратном смещении, причем напряжение отсечки~0.62 В отвечает барьеру для электронов0.65 эВ.
Кондрат А.Б., Попович Н.И., Довгошей Н.И. Влияние модификационного нанослоя висмута наперенос заряда вгетероструктурах Sb-Si(n)-Bi-Ge33As12Se55-Sb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1339

Изготовлены и исследованы фоточувствительные структуры на основе монокристаллов n-HgGa2S4. Сделан вывод о перспективах применения кристаллов HgGa2S4 в качестве фотодекторов естественного и линейного поляризованного излучения коротковолнового спектрального диапазона.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Байрамов Б.Х., Ильчук Г.А., Украинец В.О., Фернелиус Н., Шунеманн П.Г. Фоточувствительные структуры на монокристаллах HgGa2S4: создание исвойства // ФТП, 2004, том 38, выпуск 11, Стр. 1332

Для гетероструктуры Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag проведены исследования вольт-амперных характеристик, спектральной фоточувствительности, зависимости фототока от смещения и влияния на них газовой смеси 1%-H2S/N2. Установлен механизм токопереноса для темновых и световых носителей J прапорционально U2. Результатом экспонирования в сероводороде является сдвиг спектральной кривой фотоэдс в коротковолновую область. Кинетика спада фототока в атмосфере сероводорода характеризуется большими временами релаксации.
Слободчиков С.В., Руссу Е.В., Иванов Э.В., Малинин Ю.Г., Салихов Х.М. Влияние сероводорода наэлектрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур Al--p-Si--SnO2 : Cu--Ag // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1234

Гетеропереходы на кристаллах p-CuIn3Se5 изготовлены методами магнетронного распыления мишени n-ZnO : Al и посадки естественно-сколотых тонких пластин n-GaSe на полированную поверхность пластин p-CuIn3Se5. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Обнаружен и обсуждается фотовольтаический эффект в созданных структурах. Показано, что полученные фоточувствительные гетеропереходы являются перспективными для создания селективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
Боднарь И.В., Никитин С.Е., Ильчук Г.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Создание и фоточувствительность гетеропереходов на кристаллах CuIn3Se5 // ФТП, 2004, том 38, выпуск 10, Стр. 1228