Рассмотрен дрейф вырожденных 2D электронов по каналу потенциальной ямы гетероперехода. Вквантующем магнитном поле B электроны сканируют дефекты гетерограницы, что возмущает их импульсно-энергетическое равновесное состояние (T, T0D). Стационарное неравновесное состояние (T, T*D) достигается электрон-фононной релаксацией по энергии и импульсу. Экспериментальная нелинейная зависимостьTD(T) объяснена примешиванием деформационных акустических фононов к взаимодействию2D электронов с пьезоэлектрическими фононами.
Кадушкин В.И. Электрон-фононный фактор затухания квантования Ландау 2D электронов стонкой структурой энергетического спектра // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 412

Методом магнетронного осаждения тонких пленок n-ZnO : Al на поверхность эпитаксиальных слоев n- и p-GaAs получены анизотипные и изотипные гетеропереходы ZnO / GaAs. Показано, что в широкой спектральной области 1.5-3.2 эВ полученные гетероструктуры обладают высокой фоточувствительностью (~5·103 В / Вт при 300 K), которая осциллирует вследствие интерференции излучения в тонкопленочной компоненте. При наклонном падении линейно поляризованного излучения на поверхность пленок ZnO в гетеропереходе возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в пределах ~1-55% при theta=85o, что также связано с интерференцией излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективности применения полученных гетеропереходов в качестве узкоселективных фотоанализаторов линейно поляризованного излучения.
Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N., Goldstein J. Осцилляции наведенного фотоплеохроизма вгетеропереходах ZnO / GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 407

Обсуждается зависимость естественных неоднородностей потенциала от пространственной дисперсии диэлектрического отклика двумерного электронного газа на поверхности сильно легированного полупроводника. Определены значения и масштаб неупорядоченного потенциала в случае сильно вырожденного поверхностного электронного газа. Показана зависимость данных неоднородностей от параметров поверхности иобъема.
Бондаренко В.Б., Кораблев В.В., Равич Ю.И. Естественно неупорядоченный потенциал наповерхности сильно легированного полупроводника // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 331

Псевдоморфные гетероструктуры Si0.76Ge0.24 / Si, изготовленные методом молекулярно-лучевой эпитаксии, облучали ионами Ge+ с энергией 350 кэВ при температуре 400oC таким образом, чтобы пик энергетических потерь ионов находился в кремниевой подложке, ниже границы раздела SiGe / Si. Изучалось влияние ионной имплантации на релаксацию упругих напряжений и дефектную структуру, образующуюся в результате постимплантационных отжигов. Обнаружено, что отжиг уже при температуре 600oC позволяет получить очень выскокую степень релаксации упругих напряжений в гетероструктуре при низкой плотности прорастающих дислокаций в слое SiGe (
Аврутин В.С., Агафонов Ю.А., Вяткин А.Ф., Зиненко В.И., Изюмская Н.Ф., Иржак Д.В., Рощупкин Д.В., Штейнман Э.А., Вдовин В.И., Югова Т.Г. Низкотемпературная релаксация упругих напряжений вSiGe / Si-гетероструктурах, облученных ионамиGe+ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 3, Стр. 325

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы тройных соединений CuIn7S11, CuIn11S17 и AgIn11S17. На основании измерения кинетических коэффициентов определены тип проводимости, удельное сопротивление, концентрация электронов и холловская подвижность носителей заряда, что позволяет отнести полученные вещества к полупроводниковым материалам. Установлена возможность и созданы первые фоточувствительные структуры на основе выращенных соединений. Определены фотоэлектрические параметры полученных твердотельных поверхностно-барьерных структур и фотоэлектрохимических ячеек, обсуждается характер межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны новых полупроводников. Показано, что разработанные структуры могут применяться в фотодетекторах естественного излучения.
Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Сергинов М.С. Структуры на основе полупроводниковых соединений Cu(Ag)InnSm // ФТП, 2004, том 38, выпуск 2, Стр. 202

Подробно обсуждаются результаты исследований профиля распределения и характера изменения интенсивности решеточных колебаний, инициированных структурными дефектами различной природы, по глубине слоя в эпитаксиальных структурах CdxHg1-xTe / CdZnTe. Экспериментальные результаты получены с помощью метода комбинационного рассеяния света в микрорежиме по сколу образца, сделанному перпендикулярно грани [111] непосредственно перед проведением измерений. Особое внимание уделяется вопросу о возможности получения информации о присутствии структурных дефектов в катионной подрешетке и преципитатов теллура в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe.
Белогорохов А.И., Денисов И.А., Смирнова Н.А., Белогорохова Л.И. Исследование структурного совершенства эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe / CdZnTe методом комбинационного рассеяния света // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 84

Цель настоящей работы заключалась в разработке метода создания омических контактов к высокоомному GaAs путем лазерного травления поверхности с последующим лазерным осаждениемIn. Предложенный метод позволяет формировать омические контакты при комнатной температуре, исключая таким образом высокотемпературный отжиг, который обычно необходим при применении других технологий. Омические свойства контактов сохраняются в широком диапазоне токов, перекрывающих несколько порядков величины, независимо от направления тока. При этом электрический потенциал изменяется линейно вдоль образца, а ток ограничивается лишь объемным сопротивлением материала. Метод перспективен для формирования прецизионной сети из омических контактов, проходящей через всю толщу кристалла, при изготовлении приборов и элементов микроэлектроники.
Казлаускене В., Кажукаускас В., Мишкинис Ю., Петравичюс А., Пурас Р., Сакалаускас С., Синюс Ю., Вайткус Ю.-В., Жиндулис А. Формирование омических контактов кполуизолирующему GaAs путем лазерного осажденияIn // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 79

Исследованы радиочастотный отклик, вольт-фарадные и вольт-амперные характеристики полупроводниковых кристалов n-типа CdF2 : In, CdF2 : Ga и CdF2 : Y с барьером Шоттки. Особенности указанных характеристик объяснены на основе предположения о транспорте заряда из металла в обедненный слой, обусловленном образованием в приконтактной области возбужденийCd0 за счет поставляемых металлом(Au) пар электронов. Эти возбуждения осуществляют компенсацию доноров в слое объемного заряда толщиной порядка микрометра, прилегающего к контакту.
Щеулин А.С., Купчиков А.К., Ангервакс А.Е., Рыскин А.И. Компенсация доноров вобедненном слое кристалловCdF2 сбарьером Шоттки // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 72

Представлены результаты экспериментальных исследований InP:Zn, полученного методом диффузии цинка в открытой системе в незащищенную поверхностьInP. Изучено влияние отжигов в атмосферах азота и водорода, проведенных перед диффузиейZn на параметры фосфида индия. Установлено, что при термическом отжиге в атмосфере азота в фосфиде индия создается насыщенный азотом приповерхностный слой, который препятствует испарению фосфора, уменьшает генерацию рекомбинационных центров в фосфиде индия и увеличивает концентрацию электрически активной примеси цинка в p-области фосфида индия.
Андриевский В.Ф., Гущинская Е.В., Малышев С.А. Диффузия цинка в незащищенную поверхностьInP // ФТП, 2004, том 38, выпуск 1, Стр. 68

Исследованы спектральные и интегральные характеристики гетеропереходов In2O3-InSe, полученных окислением подложек моноселенида индия. Установлено, что фототок определяется генерацией носителей в области пространственного заряда структуры через единичные глубокие уровни.
Махний В.П., Янчук А.И. Механизмы формирования фототока вгетеропереходах In2O3-InSe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1435