Поиск публикаций Научные конференции и семинары Новости науки Научная сеть

 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: границы раздела иповерхность


Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 



131.

Получение и фотоэлектрические свойства структур n-ZnO : Al\kern 0.5pt/\kern 0.5ptPdPc/p-Si     

Ильчук Г.А., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Методами вакуумной термической сублимации фталоцианина палладия, а затем мaгнетронного осаждения пленок ZnO : Al на подложки p-Si...
132.

Особенности формирования эпитаксиальных пленок напористых подложкахa iiib v     

Ситникова А.А., Бобыль А.В., Конников С.Г., Улин В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Получены пористые подложки GaAs (100) и(111) с наноструктурированным (~ 10 нм) рельефом поверхности, под который на глубине ~ (50-100) нм...
133.

Гетеропереходы p+-Si--n-CdF2     

Баграев Н.Т., Клячкин Л.Е., Маляренко А.М., Рыскин А.И., Щеулин А.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Диффузия бора и газофазное осаждение слоев кремния используется для получения сверхмелких p+-n-переходов и гетероструктур p+-Si--n-CdF2 на...
134.

Токи инжекции вузкозонном диэлектрике Pb1-xSnxTe<In>     

Акимов А.Н., Ерков В.Г., Климов А.Э., Молодцова Е.Л., Супрун С.П., Шумский В.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
-1 При низких температурах в широком диапазоне напряженности электрического поля исследованы экспериментально вольт-амперные...
135.

Генерационно-рекомбинационный механизм переноса заряда втонкопленочном гетеропереходе CdS/CdTe     

Косяченко Л.А., Mathew X., Мотущук В.В., Склярчук В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследована гетероструктура n-CdS/p-CdTe, полученная последовательным выращиванием слоев CdS и CdTe методом электрохимического осаждения и...
136.

Повышение темпа идискретизация кинетики изотермической поверхностной генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник спланарно-неоднородным диэлектриком     

Ждан А.Г., Гольдман Е.И., Гуляев Ю.В., Чучева Г.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Поверхностная генерация неосновных носителей заряда в кремниевых МОП структурах эффективна лишь на начальной безрекомбинационной...
137.

Термополевой прямой ток в поверхностно-барьерных структурах наосновеGaN     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Заварин Е.Е., Константинов О.В., Шмидт Н.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Приводятся результаты экспериментальных исследований зависимостиемкости и прямого тока от напряжения и температуры для...
138.

Особенности физических свойств модифицированной поверхности теллурида кадмия     

Махний В.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Обнаруженные особенности оптоэлектронных свойств подложек теллурида кадмия с модифицированным слоем и поверхностно-барьерных...
139.

Влияние состояний награницах раздела наемкость иэффективность электролюминесценции InGaN / GaN-светодиодов     

Бочкарева Н.И., Жирнов Е.А., Ефремов А.А., Ребане Ю.Т., Горбунов Р.И., Клочков А.В., Лавринович Д.А., Шретер Ю.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Проведены температурные (77--300 K) измерения вольт-фарадных характеристик и внешней квантовой эффективности электролюминесценции...
140.

Свойства структур на основе окисленного пористого кремния привоздействии освещения и газовых сред     

Биленко Д.И., Белобровая О.Я., Жаркова Э.А., Терин Д.В., Хасина Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2005
Исследовано влияние освещения и адсорбции полярных молекул на свойства структур на основе окисленного пористого кремния....