Экспериментально исследована фоточувствительность многослойных гетероструктур типа p-Cu1.8S/n--AIIBVI/ n-AIIBVI за краем фундаментального поглощения широкозонной составляющей и предложена простая модель для ее объяснения. Установлено, что эффективным методом снижения чувствительности структур за пределами ультрафиолетового диапазона является уменьшение вероятности доминирующих туннельных процессов путем увеличения толщины широкозонного слоя, приводящего к образованию блокирующего барьера для фотогенерированных неосновных носителей. Показана перспективность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-CdSe для создания эффективных \glqq солнечно-слепых\grqq сенсоров ультрафиолетового излучения. PACS: 73.50.Pz, 73.40.Lq
Комащенко В.Н., Колежук К.В., Ярошенко Н.В., Шереметова Г.И., Бобренко Ю.Н. Спектральная чувствительность гетероструктур p-Cu1.8S/n--ZnS/n-A IIB VI // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 332

Методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии (300-400oC) выращены пленки GexSi1-x / Si (001) постоянного состава с x=0.19-0.32, а также двухступенчатые гетероструктуры с долей Ge в верхней ступени до 0.41. Спомощью просвечивающей электронной микроскопии показано, что основной причиной повышения плотности пронизывающих дислокаций с ростом доли Ge в пластически релаксированных пленках является зарождение дислокационных полупетель с поверхности, обусловленное в свою очередь образованием трехмерного рельефа на поверхности растущей или отжигаемой пленки. PACS: 81.05.Cy, 81.15.Hi, 68.55.Ac, 68.55.Jk
Болховитянов Ю.Б., Дерябин А.С., Гутаковский А.К., Ревенко М.А., Соколов Л.В. Озарождении дислокаций несоответствия споверхности привыращивании пленок GeSi / Si (001) методом низкотемпературной (300-400o C) молекулярной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 324

Методом фотоэлектрической спектроскопии на барьерах полупроводника с металлом и электролитом исследовано образование дефектов в приконтактной области GaAs иSi при осажденииPd на поверхность. Показано, что возникающий в результате химического взаимодействияPd с полупроводником при 100oC слой дефектов с глубокими уровнями простирается на глубину ~0.4 мкм в GaAs и ~1 мкм вSi. Если в приконтактной области GaAs встроены один или несколько напряженных слоев квантовых ям InGaAs, то дефекты практически не проникают дальше первой квантовой ямы. Это позволяет уменьшить глубину дефектного слоя, но при этом значительно увеличивается объемная концентрация дефектов в этом слое. PACS: 72.40.+w, 73.40.Mr, 73.40.Ns, 73.20.Hb
Карпович И.А., Тихов С.В., Шоболов Е.Л., Андрющенко И.А. Образование дефектов вGaAs иSi приосажденииPd наповерхность // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 319

Проведены расчеты вольт-амперных характеристик обратно смещенной МОП структуры Al/SiO2/n-Si с учетом неоднородности распределения толщины окисла по площади при номинальной толщине 1--3 нм. Известно, что в определенном диапазоне средних толщин SiO2 характеристики имеют S-образную форму, свидетельствуя о бистабильности прибора. Предсказан сдвиг напряжений удержания и включения, связанный с наличием статистического разброса толщины. Под действием электрического стресса среднеквадратичное отклонение толщины SiO2 увеличивается; это приводит к сдвигу напряжений переключения в сторону больших значений. Расчеты дополнены экспериментальными данными. PACS: 73.40.Qv
Тягинов С.Э., Векслер М.И., Шулекин А.Ф., Грехов И.В. Влияние неоднородности толщины диэлектрика напереключение туннельной МОП структуры Al/SiO2/n-Si приобратном смещении // ФТП, 2006, том 40, выпуск 3, Стр. 314

Работа посвящена изучению свойств поверхностиCuInS2(CIS) ивлияния на них тонких органических слоев. Исследованные слои CIS обладают фоточувствительностью в области 1.5-3.0 эВ. Квадратичная аппроксимация длинноволнового края спектральной зависимости фотоэдс дает значение ширины запрещенной зоны Eg=1.46±0.02 эВ. Показано, что основной вклад в формирование барьера у свободной поверхности CIS дают акцепторные уровни, расположеные на~0.1 и~0.2 эВ выше потолка валентной зоныCIS. При нанесении полимерного слоя на свободную поверхность CIS одновременно происходит небольшое уменьшение высоты потенциального барьера и увеличение эффективности переноса носителей заряда, а при нанесении на свободную поверхностьCIS органического полупроводника p-типа происходит частичная нейтрализация центров захвата и уменьшение скорости рекомбинации носителей заряда у поверхности пленкиCIS. PACS: 42.70.Fk, 78.66.Qn, 79.60.Fr
Вербицкий А.Б., Верцимаха Я.И., Луцик П.Н., Студзинский С.Л., Березнев С., Койс Ю. Свойства поверхности CuInS2 ивлияние на них органических слоев // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 202

Кинетика тока генерации неосновных носителей заряда I(t) в структурах Al--n+-Si--SiO2--n-Si с туннельно проницаемым окислом обнаруживает необычный вид. При обедняющих потенциалах затвора Vg
Ждан А.Г., Чучева Г.В., Гольдман Е.И. Проявление туннельной проводимости тонкого подзатворного изолятора вкинетике генерации неосновных носителей заряда вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 195

Методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100) выращены эпитаксиальные слои Si, легированные различными примесями. Легирование фосфором слоев было проконтролировано в диапазоне концентраций электронов от 2· 1013 до 1019 см-3. Высокая концентрация легирующей примеси (~ 1020 см-3) была получена при использовании испарения из частично расплавленных кремниевых источников. Возможность управления сортом и концентрацией примеси в процессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии продемонстрирована при выращивании многослойных структур типа p+-n+. PACS: 68.55.Bs, 81.40.Rs, 81.40.Tv
Шенгуров В.Г., Светлов С.П., Чалков В.Ю., Шенгуров Д.В., Денисов С.А. Методы легирования слоев кремния впроцессе сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 188

Исследована вольт-фарадная характеристика МОП структуры на основе крупноблочной пленки p-CdTe. Немонотонная зависимость объясняется перезарядкой глубоких акцепторных уровней на границе полупроводник--окисел и изменением степени компенсации поверхностных состояний. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Qv
Исмаилов Х.Х., Жанабергенов Ж., Мирсагатов Ш.А., Каражанов С.Ж. Динамика перезарядки дефектов в крупноблочных пленках p-CdTe // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 185

Получены электролюминесцентные, излучающие в видимой области спектра, структуры на основе пористого кремния (por-Si), сформированного на подложке p-Si электролитически с использованием внутреннего источника тока. Изучены фото- и электролюминесцентные свойства, вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики. Электролюминесценция наблюдается только при прямом смещении, механизм электролюминесценции--- инжекционный, связан с излучательной рекомбинацией электронов и дырок в квантово-размерных нанокристалахSi. Инжекция дырок определяется режимом их аккумуляции в области пространственного заряда p-Si, невысокой концентрацией электронных состояний на границе por-Si/p-Si. Токопрохождение в por-Si обусловлено прямым туннелированием носителей между квантовыми уровнями, что обеспечивается значительным числом квантово-размерных нанокристалловSi. Токи утечки малы благодаря малой дисперсии размеров нанокристалловSi, отсутствию крупных нанокристаллов. PACS: 73.40.Kp, 78.60.Fi
Евтух А.А., Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Семененко Н.А. Механизм токопрохождения в электролюминесцентных структурах пористый кремний / монокристаллический кремний // ФТП, 2006, том 40, выпуск 2, Стр. 180

Изучено влияние gamma-облучения (60Co) на фоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5. Установлено, что спектральная зависимость эффективности фотопреобразования сохраняется при облучении гетеропереходов потоками до 2·1019 квант / см2. Изучены зависимости фотонапряжения холостого хода и тока короткого замыкания от потока gamma-квантов. Показано, что при потоках Phi1017 квант / см2 фототок проявляет монотонный спад, а фотонапряжение имеет максимум, после которого возвращается к исходному значению. Обнаружена возможность использования гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5 в условиях повышенного радиационного фона. PACS: 78.66.-w, 78.66.Li, 72.40.+w, 73.50.Pz
Байрамов Б.Х., Боднарь И.В., Емцев В.В., Полоскин Д.С., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Исследование влияния gamma -облучения нафоточувствительность гетеропереходов ZnO / CuIn3Se5 // ФТП, 2006, том 40, выпуск 1, Стр. 67