Спомощью трехмерной модели Монте-Карло исследовалось влияние моновакансий на диффузионный обмен между ступенями на поверхности (111) алмазоподобного кристалла впроцессе сублимации. Определялась критическая ширина террас Lcr (расстояние от края ступени до ближайших устойчивых вакансионных островков) взависимости от соотношения энергий образования адатома на гладкой террасеEn идесорбции адатома стеррасыEd при сохранении суммы этих энергий Esub=En+Ed, которая характеризует сублимацию вещества. На полученных зависимостях Lcr(En) имеется четко выраженный максимум. Предложена формула, хорошо описывающая зависимости Lcr(En) при различных величинахEsub. Экстраполяция зависимости Lcr(En) для значения Esub=4.2 эВ, характерного для кремния, позволила провести сравнение модельных результатов сэкспериментальными данными других авторов. Предложено объяснение трехкратного увеличения ширины террас, наблюдаемое экспериментально вобласти температур1500 K.
Зверев А.В., Неизвестный И.Г., Шварц Н.Л., Яновицкая З.Ш. Влияние моновакансий на ширину террас при сублимации споверхности (111) алмазоподобного кристалла // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 674

Созданы первые фоточувствительные структуры на основе монокристаллов CdGa2Se4: поверхностно-барьерные структуры In / CdGa2Se4 игетероструктуры InSe / CdGa2Se4. Исследованы вольт-амперные характеристики испектры квантовой эффективности полученных структур. Обнаружена поляризационная фоточувствительность структур In / CdGa2Se4. Обсуждаются процессы фоточувствительности структур сучетом фотоактивного поглощения вкристаллах CdGa2Se4 впримесной исобственной областях спектра. Сделан вывод овозможностях практического применения монокристаллов CdGa2Se4 вфотопреобразователях естественного илинейно поляризованного излучения.
Вайполин А.А., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fernelius N. Фоточувствительные структуры на монокристаллах CdGa2Se4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 572

До ипосле быстрого термического отжига ввакууме (10-2 Па) винтервале температур 450--1100oC исследованы поверхностно-барьерные структуры Ni/n-21R-SiC (0001) иNi/n-21R-SiC (0001), сформированные на монокристаллах 21R-SiC, выращенных методом Лели сконцентрацией легирующей примеси (1-2)· 1018 см-3. Методами рентгеновской дифракции иоже-анализа показано, что висходных образцах наряду счистым никелем гексагональной модификации наблюдаются силициды никеля NiSi2 кубической модификации, иdelta-Ni2Si, NiSi ромбической модификации. Быстрый термический отжиг приводит кполиморфным превращениям этих фаз, обусловливающим уже при T>~= 600o трансформацию барьерного контакта вомический независимо от типа грани карбида кремния. Обсуждаются физические механизмы деградации этих барьерных структур.
Литвинов В.Л., Демаков К.Д., Агеев О.А., Светличный А.М., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В. Особенности формирования ихарактеристики диодов Шоттки Ni/21R-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 473

Исследованы генерационно-рекомбинационные токи вповерхностно-барьерных структурах на основе CdTe, легированного ванадием. Найдена глубина залегания исечение захвата уровней, ответственных за эффективную генерацию--рекомбинацию виспользуемых монокристаллах.
Косяченко Л.А., Паранчич С.Ю., Танасюк Ю.В., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Маслянчук Е.Л., Мотущук В.В. Генерационно-рекомбинационные центры вCdTe : V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 469

Бесконтактными методами исследованы характеристики рабочей итыльной сторон подложек монокристаллического арсенида галлия, подвергнутого обработке тыльной стороны ионами аргона низких энергий. Обнаружены изменения оптических ифотоэлектрических свойств облучаемых инеоблучаемых сторон. Предложен солитонный механизм проникновения дефектов вглубь кристалла.
Алалыкин А.С., Крылов П.Н., Федотова И.В., Федотов А.Б. Влияние обработки ионами Ar низких энергий на характеристики рабочей итыльной сторон подложки монокристаллического GaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 465

Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света, электроотражения имасс-спектроскопии нейтральных частиц (SNMS) исследованы гетероструктуры Si / SiGe / SiGe : C / SiGe / Si. Показано, что легирование углеродом (1.5%) слояSiGe, лежащего между нелегированными слоями SiGe, приводит кпочти полной релаксации внем механических напряжений. Установлено, что высокотемпературный фотонный отжиг обусловливает частичную релаксацию напряжений внижнем буферном слое SiGe, но при этом увеличивает внем концентрацию атомовSi. Низкотемпературная обработка вводородной высокочастотной плазме приводит кзначительной релаксации механических напряжений вэтом слое без изменения его компонентного состава. Результаты, полученные из спектров электроотражения испектроскопии SNMS, коррелируют сданными, полученными методом спектроскопиикомбинационного рассеяния света.
Валах М.Я., Джаган В.Н., Матвеева Л.А., Оберемок А.С., Романюк Б.Н., Юхимчук В.А. Исследования влияния углерода на свойства гетероструктурSi / SiGe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 460

Ионно-легированные слои создавали имплантацией ионов серы вмонокристаллический GaAs, а также вэпитаксиальные пленки GaAs на полуизолирующих подложках споследующим термическим отжигом. Дополнительную радиационную обработку проводили спомощью галогенных ламп (фотонный отжиг). По планарной технологии изготавливали приборы Ганна и интегральные схемы на их основе. Показано, что дополнительная обработка приводит кросту подвижности электронов вслоях за счет снижения концентрации центров рассеяния. Структуры приборов Ганна, подвергнутые фотонному отжигу, характеризуются лучшей однородностью и более высоким значением перепада тока. Слои генерируют близкие кидеальным импульсы тока; отсутствуют эффекты, связанные сзахватом на ловушки, а также ударная ионизация.
Ардышев М.В., Ардышев В.М. Характеристики арсенидгаллиевых структур иприборов Ганна наихоснове, изготовленных сприменением радиационно-термической технологии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 456

На основе методов псевдопотенциала и матрицы рассеяния изучено влияние внутренних полей на туннельный ток в нитридных структурах w-GaN/AlxGa1-xN(0001) с напряженными барьерными слоями. Показано, что в симметричных двухбарьерных структурах спонтанная поляризация и пьезоэлектрическое поле приводят к асимметрии вольт-амперной характеристики при изменении направления внешнего поля, а в несимметричных структурах, дополнительно к этому, вызывают зависимость тока от расположения слоев вдоль полярной оси. Вограниченных сверхрешетках внутренние поля формируют штарковскую лестницу электронных состояний, которая проявляется в пиках тока при относительно слабом внешнем поле (~10 кВ/см). Выраженные особенности в туннельном токе наблюдаются при толщинах слоев, примерно в2раза меньших по сравнению со структурами GaAs/AlGaAs(001). Зависимость туннельного тока от толщины и положения слоев, температуры и степени легирования объяснена из анализа эффекта Штарка для резонансных состояний.
Гриняев С.Н., Разжувалов А.Н. Влияние внутренних полей натуннельный ток внапряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 450

Исследованы накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении их электронами (энергия2.5 МэВ) и gamma-квантами (энергия662 кэВ). Обнаружено, что в скрытом диэлектрике структур после облучения появляется дополнительный положительный заряд. Концентрация ловушек для дырок, генерируемых в окисле облучением, вблизи границы с подложкой выше, чем у границы сращивания <отсеченный слой кремния>/окисел. Показано, что наличие даже небольшого встроенного поля в структурах (F>~= 5· 103 В/см) приводит к эффективному разделению носителей. Генерация дополнительных состояний на границах Si/SiO2 в структурах кремний-на-изоляторе отсутствует при обоих видах облучения, хотя наблюдается в исходном термическом окисле.
Николаев Д.В., Антонова И.В., Наумова О.В., Попов В.П., Смагулова С.А. Накопление заряда вдиэлектрике исостояния на границах структур кремний-на-изоляторе при облучении электронами иgamma -квантами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 443

Исследован эффект полного отражения электронной волны от гетерограницы для структур AlxGa1-xAs/AlAs. Анализ проведен на основе расчетов по методу псевдопотенциала, а также аналитически и численно в рамках упрощенной трехдолинной модели. Показано, что появление нуля в коэффициенте прохождения электронов через гетерограницу AlxGa1-xAs/AlAs, обнаруживаемое при некоторой энергии в интервале между дном X1-долины AlAs и X1-долины AlxGa1-xAs, обусловлено многодолинным характером энергетического спектра электронов. Установлено, что это полное отражение реализуется за счет взаимной компенсации вкладов от различных долин и не связано с каким-либо резонансным интерфейсным состоянием.
Гриняев С.Н., Караваев Г.Ф., Чернышов В.Н. Особенности рассеяния электронов нагетерограницах AlxGa1-xAs/AlAs(001) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 435