Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

111.

Особенности отжига радиационных дефектов вкремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа     

Комаров Б.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовано образование комплексов <радиационный дефект>--<остаточная примесь в кремнии>. Установлено, что термические обработки диффузионных Si p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами, приводят к активации остаточно...
112.

Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник сиспользованием метода селективного удаления атомов     

Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. Вкачестве п...
113.

Излучательная рекомбинация вкремниевой туннельной МОП структуре     

Asli N., Векслер М.И., Грехов И.В., Seegebrecht P., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Экспериментально изучены спектры рекомбинационной люминесценции туннельных МОП структур Al / SiO2 / p-Si. Проведена математическая реконструкция спектров, учитывающая потери на перепоглощение. Впервые приводятся результаты измерений в абсолютных единицах (Вт / эВ). Показана взаимосвязь формы спек...
114.

Взаимодействие молекулC60 споверхностью (100)W--- адсорбция, начальные стадии роста пленок итермическая трансформация адсорбционного слоя     

Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок и трансформация адсорбционного слоя из молекулC60 на поверхности(100)W при нагреве. Показано, что молекулыC60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, т...
115.

Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния ипленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства     

Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В., Юрре Т.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Методами вакуумного термического осаждения фталоцианинаCuPc на поверхность кристаллического кремния и последующего магнетронного распыления мишени ZnO с добавкой Al впервые созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al--p-CuPc--n-Si. Максимальная фоточувствительность этих структур SUm~ 20 ...
116.

Границы раздела слоев ишероховатость вмногослойной кремниевой структуре     

Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Приведены результаты спектральных эллипсометрических исследований сложной многослойной системы <подложкаSi>-<слойSiO2>-<слой поликристаллическогоSi>. Предложена методика анализа многослойной структуры, основанная на сильной зависимости экспериментальных данных спектральной эллип...
117.

Исследование собирания носителей вCdZnTe-детекторах рентгеновского иgamma -излучения фотоэлектрическим методом     

Косяченко Л.А., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Рассмотрена схема возбуждения фотопроводимости, когда внешнее электрическое поле действует параллельно направлению распространения излучения. Проанализированы пространственное распределение неравновесных электронов и условия разделения электронно-дырочных пар (собирания носителей) в зависимости о...
118.

Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного идиодного типов при облучении протонами8 МэВ     

Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n+-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной~30 мкм--- диодные. Установлен...
119.

Устойчивость обработанных протонамиGaAs фотодетекторов кгамма-нейтронному облучению     

Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-G...
120.

Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник     

Берман Л.С., Титков И.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2004
Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb0.95La0.05Ti0.8Zr0.2O3 и La1.85Sr0.15CuO4. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины ...