Методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней (DLTS) исследовано образование комплексов <радиационный дефект>--<остаточная примесь в кремнии>. Установлено, что термические обработки диффузионных Si p+-n-переходов, облученных быстрыми электронами, приводят к активации остаточной примеси Fe и образованию комплексов FeVO (ловушкаE0.36) и FeV2 (ловушка H0.18). Формирование этих ловушек сопровождается ранней (100-175oC) стадией отжига основных вакансионных радиационных дефектов: A-центра (VO) и дивакансии (V2). Обнаруженные комплексы электрически активны, вводят новые электронный (E0.36: Eet=Ec-0.365 эВ, sigman=6.8·10-15 см2) и дырочный (H0.18: Eht=Ev+0.184 эВ, sigmap=3.0·10-15 см2) уровни в запрещенную зону полупроводника и проявляют высокую термическую стабильность. Полагается, что наблюдавшимся ранее в литературе неизвестным дефектом с энергией Eet=Ec-(0.34-0.37) эВ, возникающим при отжиге облученных диффузионныхSi p+-n-переходов, является комплекс FeVO.
Комаров Б.А. Особенности отжига радиационных дефектов вкремниевых p-n-структурах: роль примесных атомов железа // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1079

Исследована возможность формирования потенциального рельефа в полупроводнике путем создания на его поверхности металлической пленки, полученной селективным удалением атомов (СУА) кислорода пучком ускоренных протонов (с энергией около1 кэВ) из предварительно нанесенного оксида металла. Вкачестве полупроводникового материала выбраны пленки эпитаксиально выращенного GaAs толщиной~ 100 нм и с концентрацией электронов 2· 1017 см-3, а в качестве металла--- W, полученный из WO3. Потенциальный рельеф формировался за счет образования барьера Шоттки на границе W/GaAs. Обнаружено, что при использовании метода СУА формируется заметно более высокий барьер Шоттки на контактеW сGaAs (~ 1 эВ), чем при использовании обычной технологии нанесения металла (0.8 эВ для W/GaAs). Представлены данные, свидетельствующие об отсутствии дефектной прослойки в подзатворной области структур, наиболее подвергаемой воздействию протонов. Вчастности, показано, что подвижность электронов в этой области совпадает с подвижностью объемного GaAs с тем же уровнем легирования.
Гурович Б.А., Аронзон Б.А., Рыльков В.В., Ольшанский Е.Д., Кулешова Е.А., Долгий Д.И., Ковалев Д.Ю., Филиппов В.И. Формирование потенциальных барьеров на контакте металл--полупроводник сиспользованием метода селективного удаления атомов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1074

Экспериментально изучены спектры рекомбинационной люминесценции туннельных МОП структур Al / SiO2 / p-Si. Проведена математическая реконструкция спектров, учитывающая потери на перепоглощение. Впервые приводятся результаты измерений в абсолютных единицах (Вт / эВ). Показана взаимосвязь формы спектра с энергией инжектируемых электронов, задаваемой прикладываемым напряжением. Проведена оценка темпа потерь энергии на излучение фотонов. Рассмотрены проявления деградации окисла на характеристиках люминесценции МОП структур.
Asli N., Векслер М.И., Грехов И.В., Seegebrecht P., Тягинов С.Э., Шулекин А.Ф. Излучательная рекомбинация вкремниевой туннельной МОП структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1068

В сверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок и трансформация адсорбционного слоя из молекулC60 на поверхности(100)W при нагреве. Показано, что молекулыC60 из первого адсорбционного слоя претерпевают существенную трансформацию уже при комнатной температуре, тогда как молекулы во втором и последующих адсорбционных слоях сохраняют свою природу в адсорбированном состоянии вплоть до700 K. При комнатной температуре наблюдается послойный рост пленки фуллерита. Обнаружено, что при термической десорбции фуллеренов на поверхности остается их значительное количество, соответствующее примерно двум монослоям, и предложена физическая модель, объясняющая это явление.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Взаимодействие молекулC60 споверхностью (100)W--- адсорбция, начальные стадии роста пленок итермическая трансформация адсорбционного слоя // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1061

Методами вакуумного термического осаждения фталоцианинаCuPc на поверхность кристаллического кремния и последующего магнетронного распыления мишени ZnO с добавкой Al впервые созданы фоточувствительные структуры n-ZnO : Al--p-CuPc--n-Si. Максимальная фоточувствительность этих структур SUm~ 20 В/Вт реализуется при освещении со стороны пленки ZnO и наблюдается в диапазоне 1--3.2 эВ при T=300 K. При наклонном падении линейно поляризованного излучения со стороны ZnO обнаруживается наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в результате интерференции линейно поляризованного излучения в пленке ZnO. Сделан вывод о перспективах использования предложенных структур в широкополосных фотопреобразователях естественного излучения и экспрессно перестраиваемых фотоанализаторах линейно поляризованного излучения.
Ильчук Г.А., Климова Н.В., Коньков О.И., Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Рудая Л.И., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В., Юрре Т.А. Фоточувствительные структуры на основе монокристаллического кремния ипленок фталоцианина CuPc. Получение и свойства // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1056

Приведены результаты спектральных эллипсометрических исследований сложной многослойной системы <подложкаSi>-<слойSiO2>-<слой поликристаллическогоSi>. Предложена методика анализа многослойной структуры, основанная на сильной зависимости экспериментальных данных спектральной эллипсометрии от глубины проникновения зондирующего излучения при различных длинах волн видимого диапазона. Определена реальная структура системы и параметры слоев. Обработка эллипсометрических данных дала возможность обнаружить естественный шероховатый поверхностный окисный слойSiO2, а также переходный слой на границе раздела <слой поликристаллическогоSi>-<слой естественного окисла>, определены их состав и толщина. Показано, что осажденный слойSi представляет собой смесь кристаллической и аморфной фаз, найдено их процентное содержание.
Беляева А.И., Галуза А.А., Коломиец С.Н. Границы раздела слоев ишероховатость вмногослойной кремниевой структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1050

Рассмотрена схема возбуждения фотопроводимости, когда внешнее электрическое поле действует параллельно направлению распространения излучения. Проанализированы пространственное распределение неравновесных электронов и условия разделения электронно-дырочных пар (собирания носителей) в зависимости от величины приложенного к кристаллу напряжения. Предложена методика определения времени жизни электронов из измерений фотопроводимости.
Косяченко Л.А., Маслянчук Е.Л., Раренко И.М., Склярчук В.М. Исследование собирания носителей вCdZnTe-детекторах рентгеновского иgamma -излучения фотоэлектрическим методом // ФТП, 2004, том 38, выпуск 8, Стр. 1018

Исследовались детекторы ядерного излучения на базе SiC со структурой: легированная подложка n+-типа / эпитаксиальный слой p-типа / барьер Шоттки. Структуры со слоем политипа 6H-SiC толщиной~10 мкм проявляли транзисторные свойства, а со слоем 4H-SiC толщиной~30 мкм--- диодные. Установлено, что у структур транзисторного типа наблюдается более чем десятикратное усиление сигнала. Усиление сохраняется при облучении протонами с энергией 8 МэВ как минимум до дозы 5·1013 см-2 при значении разрешающей способности=<10%. Вструктурах \glqq диодного\grqq типа усиления сигнала не наблюдалось. Но даже при максимальной дозе 2·1014 см-2 имелась группа образцов с разрешением~3%, приемлемым для ряда задач.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Козловский В.В., Syvajarvi M., Yakimova R. Радиационная стойкость SiC-детекторов транзисторного идиодного типов при облучении протонами8 МэВ // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 841

Исследованы характеристики облученных протонами эпитаксиальных i-GaAs-структур фотодетекторов со встречно-штыревой системой электродов до и после воздействия гамма-нейтронного облучения. Чтобы уменьшить темновой ток фотодетекторов, металлизация электродов производилась на облученных протонами i-GaAs-структурах, а затем проводилось вжигание при температуре300oC в течение30 мин, что приводило к частичному восстановлению проводимости эпитаксиального слоя. На основании измерений спектральных зависимостей фоточувствительности структур показано, что при энергиях оптических квантов, близких к ширине запрещенной зоны, фоточувствительность облученных протонами структур устойчива к воздействию гамма-нейтронного облучения, что позволяет предложить их для создания радиационно-стойких фотодетекторов.
Мурель А.В., Оболенский С.В., Фефелов А.Г., Киселева Е.В. Устойчивость обработанных протонамиGaAs фотодетекторов кгамма-нейтронному облучению // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 834

Исследованы структурные дефекты на границе раздела между Pb0.95La0.05Ti0.8Zr0.2O3 и La1.85Sr0.15CuO4. Использован метод изотермической релаксации тока. Были рассмотрены два случая. а) Толщина дефектного слоя много меньше толщины области объемного заряда. б) Толщина дефектного слоя больше толщины области объемного заряда. Показано, что в исследованных образцах толщина дефектного слоя больше 50-100 Angstrem, а в интервале энергий Ev+(0.55-0.65) эВ плотность состояний глубокоуровневых центров порядка 3· 1020 см-3 эВ-1, что соответствует плотности поверхностных состояний порядка 2· 1014 см-2 эВ-1. Показано, что плотность состояний глубокоуровневых центров возрастает от границы раздела в глубь полупроводника.
Берман Л.С., Титков И.Е. Структурные дефекты на границе раздела сегнетоэлектрик-полупроводник // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 710