При исследовании границы раздела ZnS-CdxHg1-xTe с помощью C-V-характеристик МДП структур на спутниковых образцах в процессе изготовления n+-p-переходов на p-CdxHg1-xTe была получена плотность состояний в пределах Ns\kern-0.2pts=(1-6)· 1011 см-2эВ-1 при T=78 K. Эксперименты показали, что технологические режимы, применяемые при изготовлении n+-p-переходов, слабо изменяют состояние границы раздела ZnS-CdHgTe. Причем отрицательные значения напряжения плоских зон VFB указывают (даже если первоначально после нанесения пленкиZnS было VFB>0) на обогащение приповерхностного слоя ZnS-p-CdHgTe основными носителями, дырками, что приводило к уменьшению тока утечки по поверхности. Получено было также, что при длительном сроке хранения (до~15 лет) на воздухе при комнатной температуре у таких n+-p-переходов с защитной пленкойZnS не деградировали дифференциальное сопротивлениеRd, токовая чувствительностьSi и обнаружительная способностьD*.
Бирюлин В.П., Дудко С.А., Коновалов С.А., Пелевин Ю.А., Туринов В.И. Исследование границы раздела ZnS-CdHgTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1431

Обоснована и сформулирована математическая модель термостимулированного гетеровалентного замещения анионов в поверхностном слое AIIIBV при халькогенидной пассивации из газовой фазы. Модель представлена в виде нелинейной системы дифференциальных уравнений. Показано, что существенное влияние на кинетику оказывает исходное состояние поверхности (начальная поверхностная концентрация анионных вакансий).
Антюшин В.Ф., Буданов А.В., Кухаренко Д.С., Палишкин Д.А. Кинетика начальной стадии халькогенидной пассивации полупроводников A IIIB V // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1349

Методом направленной кристаллизации расплава выращены кристаллы соединенияIn2S3. Определены состав иструктура полученных кристаллов иихэлектрофизические характеристики. Наоснове выращенных кристаллов впервые созданы фоточувствительные структуры иизмерены спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования ячеек H2O/In2S3. Обсуждается характер межзонного поглощения иоценены энергии прямых инепрямых оптических переходов для кристалловIn2S3. Указана возможность применения кристалловIn2S3 вширокодиапазонных (1.5-3.5 эВ) фотопреобразователях неполяризованного излучения, втом числе вразработках солнечных элементов.
Боднарь И.В., Полубок В.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фоточувствительные структуры накристаллахIn2S3 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1346

Исходя из данных емкостной спектроскопии глубоких уровней в работе проведена оценка флуктуаций заряда на границе <отсеченный слой кремния>-<скрытый диэлектрик> в структурах кремний-на-изоляторе. Граница создана сращиванием кремния с термически окисленной подложкой. Определена величина флуктуаций заряда на границе, равная или превышающая значение (1.5-2.0)· 1011 см-2 на фоне заряда ~ 5· 1011 см-2 на данной границе. Показано, что флуктуации связаны скорее всего с отрицательным зарядом на поверхностных состояниях, а не с флуктуациями фиксированного положительного заряда вокисле.
Антонова И.В., Стучинский В.А., Наумова О.В., Николаев Д.В., Попов В.П. Флуктуации заряда на границе сращивания вструктурах кремний-на-изоляторе // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1341

Исследованы спектры низкочастотного внутреннего трения и поведение эффективного модуля сдвига Geff(T) в монокристаллическом кремнии, выращенном по методу Чохральского, после механической и химико-механической обработок поверхности и после естественного старения при комнатных температурах в течение длительного времени. Показано, что механическая обработка поверхности Si приводит к инициации необычных структурных фазовых превращений, сопровождающихся обратным гистерезисом зависимости Geff(T). Высказано предположение о том, что такое поведение Geff(T) связано с образованием несоразмерных фаз. Обнаружено также, что старение при комнатной температуре в течение более 10 000 ч приводит к началу распада пересыщенного твердого раствора кислорода в Si и возникновению в образцах существенных напряжений, инициирующих структурные фазовые превращения.
Олейнич-Лысюк А.В., Бешлей Н.П., Фодчук И.М. О влиянии реальной поверхности монокристаллического Si нанизкочастотное внутреннее трение иповедение эффективного модуля сдвига // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1337

Получены и исследованы \glqq длинные\grqq p-n-гетеропереходы Ge--GaAs. Измерена термоэдс гетероперехода в зависимости от разности температур на торцах от 10 до 180 K, при постоянной средней температуре, равной300 K. Найдено, что при большом градиенте температуры эксперимент согласуется с теорией, учитывающей появление неосновных носителей за счет тепловой эмиссии.
Гаджиалиев М.М., Пирмагомедов З.Ш. Термоэдс полупроводникового p-n-гетероперехода // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1334

Методом магнетронного распыления получены пленки оксида цинка, легированные алюминием (ZnO : Al). На основании исследования их электрических свойств показано, что концентрация электронов в них достигает 5·1020 см-3 и в диапазоне температур 77-300 K практически постоянна, что указывает на высокую эффективность легирования ZnO примесью Al. Установлено, что осаждение тонких пленок (d~1 мкм) на поверхность(111) p-Si приводит к получению гетероструктур с максимальной фоточувствительностью ~400 В/Вт при T=300 K, которая осциллирует в спектральном диапазоне 1.3-3.5 эВ. При наклонном падении линейно поляризованного излучения в таких гетероструктурах возникает наведенный фотоплеохроизм, величина которого осциллирует в диапазоне 5-40% (theta~75o), что связано с интерференционными явлениями в пленках ZnO. Сделано заключение о возможностях применения полученных гетероструктур в качестве узкоселективных фотосенсоров естественного и линейно-поляризованного излучений.
Никитин С.Е., Николаев Ю.А., Полушина И.К., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Фотоэлектрические явления в гетероструктурах ZnO : Al--p-Si // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1329

Кристаллизацией из расплава и газовой фазы выращены монокристаллы тройного соединения CdGa2S4. Определены параметры кристаллической решетки и некоторые физические свойства однородных кристаллов, имеющих решетку дефектного халькопирита с точечной группой симметрии I4(S24). На указанных монокристаллах впервые созданы фоточувствительные структуры: барьеры Шоттки, гетероструктуры, фотоэлектрохимические ячейки и барьеры естественный белок--- CdGa2S4. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных структур в естественном и линейно-поляризованном свете при T=300 K. Определены основные параметры структур и сделан вывод о возможности их применения в фотосенсорах оптического излучения.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Вайполин А.А., Боднарь И.В., Fernelius N. Фоточувствительные структуры намонокристаллах CdGa2S4 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1321

Изучена излучательная рекомбинация вблизи разъединенной гетерограницы IIтипа p-GaInAsSb / p-InAs винтервале температур 4-100 K. Показано, что полоса электролюминесценции hnuA=0.37 эВ может быть приписана вбольшей степени рекомбинации электронов из полуметаллического канала вблизи интерфейса сучастием глубокого акцепторного уровня на границе раздела, тогда как полоса hnuB=0.40 эВ отвечает за излучательные переходы вобъеме InAs на мелкий природный акцептор. Участие интерфейсных состояний врекомбинации через гетерограницуII типа GaInAsSb / InAs становится значительным за счет перекрытия волновых функций дырок, локализованных вблизи границы раздела со стороны твердого раствора, сволновыми функциями состояний на глубоком акцепторе.
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П., Освальд И., Гулициус Э., Панграц И., Шимечек Т. Электролюминесценция вполуметаллическом канале на одиночной разъединенной гетерогранице IIтипа // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1214

Сиспользованием методов сканирующей туннельной микроскопии обнаружено, что пленка собственного оксида эпитаксиального n-GaAs (100) образована плотно смыкающимися между собой нанокластерами, состоящими из оксидов Ga, As иизбыточного слояAs на интерфейсе Ga2O3 / n-GaAs. При этом фрактальная структура поверхности кластеров образована тремя уровнями подобных элементов зерновидной формы, пространственные размеры которых удовлетворяют соотношению 9:3:1. Втрехмерном случае на одном \glqq зерне\grqq может располагаться около6 меньших по размеру зерен. Было рассмотрено 2 возможных случая формирования фрактальной структуры кластеров. Впервом случае, когда потоки количества веществ As2O3 иAs по поверхности равны, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии As по поверхности кластера. Во втором, когда поток As превышает поток As2O3, формирование структуры кластеров определяется процессом диффузии Ga по поверхности кластера. Рост кластеров при нормальных условиях и, следовательно, увеличение толщины пленки оксида прекращаются, когда кластеры плотно смыкаются между собой. Это затрудняет диффузию реагентов через пленку оксида ипротекание химических реакций.
Торхов Н.А. Формирование структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1205