Нанесением пленок полигомосопряженных элементоорганических соединений на поверхность кремния впервые получены выпрямляющие фоточувствительные гетеропереходы. Изучены фотоэлектрические свойства полученных структур и определены их основные фотоэлектрические параметры. Сделан вывод о перспективах использования новых гетеропереходов в качестве фотопреобразователей естественного излучения.
Блинова Н.В., Краснопеева Е.Л., Николаев Ю.А., Осадчев А.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Шаманин В.В. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов кремний--полигомосопряженные элементоорганические соединения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 53

Исследован характер изменения спектральной плотности шума ивремени жизни неосновных носителей заряда вкремниевых p-n-структурах стонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов. Показано, что изменение частотных свойств шума p-n-структур при термическом отжиге связано свосстановлением поверхностных состояний. Предложено качественное объяснение самоограничения лавинного процесса вструктурах стонкой областью умножения.
Барановский О.К., Кучинский П.В., Савенок Е.Д. Шумовые характеристики кремниевых p-n-структур стонкой областью умножения при термическом отжиге радиационных дефектов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 50

Рассмотрены возможные структурные комплексы, образующиеся при высокотемпературном термическом окислении кремния впограничном слое всистеме Si--SiO2. На основании концепции пограничного слоя предложена математическая модель кинетики полимеризации кремний-кислородных кластеров. Отмечено влияние диффузионного потока этих кластеров на процентное содержание цепочек SiO4-тетраэдров разной длины вобъеме SiO2.
Красников Г.Я., Зайцев Н.А., Матюшкин И.В. Математическое моделирование кинетики высокотемпературного окисления кремния иструктуры пограничного слоя всистеме Si--SiO2 // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 44

Изучено влияние размерного эффекта фотолюминесценции на двухфотонное поглощение при переизлучении в нелегированных варизонных твердых растворах AlxGa1-xAs. Показано, что эффективность двухфотонного поглощения возрастает с увеличением протяженности возбуждаемой области кристалла. Определены условия, влияющие на соотношение вклада частотной и поляризационной составляющих вероятности двухфотонного поглощения в его спектральную зависимость.
Коваленко В.Ф., Шутов С.В. Размерный эффект двухфотонного поглощения рекомбинационного излучения вваризонных твердых растворах AlxGa1-xAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 39

Представлена новая точка зрения на магниточувствительность транзисторных структур с диффузионным переносом инжектированных носителей. Показано, что традиционное объяснение этого механизма, основывающееся на отклонении диффузионного потока носителей магнитным полем, существенно некорректно. Аименно, ответственный за этот эффект член в уравнении непрерывности обращается в нуль и, таким образом, из традиционной теории следует отсутствие магниточувствительности при отсутствии электрического поля в базе. Этот факт проинтерпретирован физически как циркуляция возбужденных магнитным полем токов вдоль линий уровня в поле концентрации. Предлагаемая теория предполагает задание граничных условий третьего рода на коллекторном переходе вместо условий Дирихле. При этом абсолютная чувствительность определяется разностью концентраций инжектированных нисителей между наиболее удаленными точками коллектора.
Глауберман М.А., Егоров В.В., Козел В.В., Канищева Н.А. Исследование магниточувствительности транзисторных структур сдиффузионным переносом инжектированных носителей // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 32

Фотоемкостным методом определены уровни ванадия вn- и p-Si. Показано, что в n-Si ванадий создает уровни только в верхней части запрещенной зоны с энергиями ионизации порядка Ec-0.21, Ec-0.52 эВ, в то время как в p-Si--- как в верхней, так и в нижней частях запрещенной зоны: Ec-0.26, Ev+0.31, Ev+0.42, Ev+0.52 эВ. Установлено, что для всех уровней ванадия сечения фотоионизации для электронов больше, чем для дырок. Показано, что концентрация электрически активных центров ванадия вn-Si и p-Si зависит как от концентрации примесей с мелкими уровнями, так и от времени диффузии ванадия вSi.
Игамбердиев Х.Т., Мамадалимов А.Т., Муминов Р.А., Усманов Т.А., Шоюсупов Ш.А. Исследование фотоемкости диодов изкремния, легированного ванадием // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 29

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены тройные гетероструктуры GaAs/GaAsN/InGaAs на подложках GaAs иисследованы их оптические свойства. Сопоставление спектров фотолюминесценции, измеренных экспериментально, сизвестными значениями параметров зонной диаграммы соединений (In, Ga)As, позволило оценить взаимное расположение краев энергетических зон вгетероструктурах GaAs/GaAsN иInGaAs/GaAsN. Показано, что гетеропереход GaAs/GaAsN является гетеропереходом Iрода, агетеропереход InxGa1-xAs/GaAsN может быть переходом I или IIрода взависимости отx.
Егоров А.Ю., Одноблюдов В.А., Крыжановская Н.В., Мамутин В.В., Устинов В.М. Взаимное расположение краев энергетических зон вгетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1440

Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней вэпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами сэнергией1 МэВ идозой1012 см-2. Наблюдалось введение глубокого уровняEP1 вверхней половине запрещенной зоны сэнергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного кбарьеру Шоттки во время облучения.
Соболев М.М., Соболев Н.А., Усиков А.С., Шмидт Н.М., Якименко А.Н., Гусинский Г.М., Найденов В.О. Глубокий уровень, образующийся вслоях GaN при облучении протонами // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1437

Установлены характерные особенности изменений вольт-амперных характеристик тока медленных моноэнергетических электронов, проходящих из вакуума в монокристаллическийGaAs (110), при удалении слоя естественного окисла с поверхности. Показано, что работа выхода уменьшается, а коэффициент прозрачности поверхностного потенциального барьера увеличивается с температурой отжига кристалла в условиях высокого вакуума. Процесс удаления окисла параллельно контролировался эллипсометрически. Толщина удаляемого слоя, согласно расчетам по уравнениям Друдэ, не превышает20 Angstrem.
Асалханов Ю.И., Абарыков В.Н. Влияние адсорбата наработу выхода ипрозрачность поверхностного потенциального барьера монокристаллаGaAs (110) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1367

Исследованы электрические свойства барьеров Шоттки Al--Hg1-xMnxTe (x=0.08-0.1). Выявлены особенности электрических характеристик диодов, обусловленные узкой запрещенной зоной и сильным различием эффективных масс носителей заряда. Определены основные параметры диодной структуры и механизмы переноса заряда, ответственные за ее характеристики,--- туннелирование и надбарьерное (диффузионное) прохождение носителей. Результаты, полученные экспериментально и теоретически, свидетельствуют о достаточно высокой обнаружительной способности исследуемых диодов.
Косяченко Л.А., Марков А.В., Остапов С.Э., Раренко И.М., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф. Электрические свойства диодов Шоттки наоснове узкозонногоHgMnTe // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1217