Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 212, для научной тематики: Границы раздела иповерхность

11.

Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений     

Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализ...
12.

Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре     

Булгаков А.А., Шрамкова О.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойств...
13.

Гетерофотоэлементы n-Ox/n-InSe: создание и свойства     

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Украинец В.О. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Методом термообработки кристаллов n-InSe в воздушной среде получены выпрямляющие фоточувствительные гетеропереходы n-Ox/n-InSe, где n-Ox--- собственный окиселInSe. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности впервые полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном...
14.

Определение состава имеханических деформаций вGexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели     

Володин В.А., Ефремов М.Д., Дерябин А.С., Соколов Л.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света использовался для контроля состава и деформаций пленок твердых растворов GexSi1-x с 0.17=
15.

Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин     

Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла...
16.

Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника     

Гольдман Е.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обм...
17.

Механизм протекания тока всплавном омическом контакте In-GaN     

Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In--GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответс...
18.

Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе     

Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией элек...
19.

Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения     

Генцарь П.А., Власенко А.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на...
20.

Cтруктурные дефекты нагетерограницах ифотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире     

Кладько В.П., Чорненький С.В., Наумов А.В., Комаров А.В., Tacano M., Свешников Ю.Н., Витусевич С.А., Беляев А.Е. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2006
Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира(0001). Определены значения компонентов деформаций и плотнос...