Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr
Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1427

Рассмотрены дрейфовые волны в мелкослоистой полупроводниковой периодической структуре, помещенной в электрическое поле, под действием которого возникает дрейф носителей разного знака. Показано, что дрейфовые волны в такой структуре могут распространяться под углом к направлению тока, а их свойства определяются толщинами слоев и направлением распространения. Эти волны образуются из волн концентрации в отдельных слоях, т. е. являются \glqq коллективными\grqq волнами. Получены условия возникновения неустойчивостей и аналитические соотношения для инкрементов нарастания. Возникновение неустойчивостей связано с обменом энергией между дрейфовыми волнами отдельных слоев. PACS: 73.20.Mf
Булгаков А.А., Шрамкова О.В. Дисперсия инеустойчивость дрейфовых волн вмелкослоистой полупроводниковой структуре // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1420

Методом термообработки кристаллов n-InSe в воздушной среде получены выпрямляющие фоточувствительные гетеропереходы n-Ox/n-InSe, где n-Ox--- собственный окиселInSe. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности впервые полученных гетеропереходов в естественном и линейно поляризованном излучении. Показано, что в полученных гетеропереходах наблюдается широкополосная фоточувстительность и при наклонном падении линейно поляризованного излучения возникает фотоплеохроизм. Обсуждается природа обнаруженного фотоплеохроизма. Сделан вывод о возможностях применения изотипных структур Ox/InSe в качестве фотопреобразователей естественного и линейно поляризованного излучений. PACS: 73.40.Lq, 73.50.Pz, 81.40.Tv, 81.65.Mq, 85.60.Dw
Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Украинец В.О. Гетерофотоэлементы n-Ox/n-InSe: создание и свойства // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1356

Метод спектроскопии комбинационного рассеяния света использовался для контроля состава и деформаций пленок твердых растворов GexSi1-x с 0.17=<q x=<q 1.0. Состав и деформации в пленках были определены также из данных дифракции рентгеновских лучей. Вспектрах комбинационного рассеяния анализировалось не только положение, но и интенсивность пиков рассеяния на колебаниях Ge-Ge-, Ge-Si- иSi-Si-связей. Это позволило существенно уточнить некоторые параметры модели для расчета состава и деформаций в гетероструктурах GexSi1-x/Si(100) из данных спектроскопии комбинационного рассеяния. PACS: 63.22.+m, 81.15.Hi, 78.30.Am
Володин В.А., Ефремов М.Д., Дерябин А.С., Соколов Л.В. Определение состава имеханических деформаций вGexSi(1-x)-гетероструктурах из данных спектроскопии комбинационного рассеяния света: уточнение параметров модели // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1349

Изучены инфракрасные спектры многократного нарушенного полного внутреннего отражения и пропускания кремниевых пластин, полученных методом прямого сращивания (бондинга) в широком диапазоне температур (200-1100oC). Исследованы свойства \glqq захороненного\grqq на границе раздела слоя окисла кремния в зависимости от температуры отжига. Показано, что толщина слоя SiO2 растет с увеличением температуры отжига с4.5 до6.0 нм. Анализ частот оптических фононов показал, что с ростом температуры отжига происходит релаксация механических напряжений в слое SiO2. Исследовано изменение характера химических связей на границе раздела кремниевых пластин, сращенных при низкой температуре (20-400oC), в зависимости от химической обработки поверхности пластин перед бондингом. Предложены модели процесса низкотемпературного бондинга после различной химической активации поверхности. PACS: 81.20.Vj, 81.65.Cf, 78.30.Am
Милехин А.Г., Himcinschi C., Friedrich M., Hiller K., Wiemer M., Gessner T., Schulze S., Zahn D.R.T. Инфракрасная спектроскопия кремниевых сращенных пластин // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1338

В диэлектрических пленках, изолирующих полупроводник от металлического электрода, присутствуют подвижные примеси в виде ионов и нейтральных образований. При достаточно высоких температурах и поляризующих электрических полях примеси концентрируются у границы раздела изолятор-полупроводник, где обмениваются электронами с полупроводником. Показано, что парное взаимодействие частиц через поле упругих напряжений, связанных с концентрационным расширением изолятора, может приводить к неустойчивости однородного вдоль контакта распределения примеси. Врастворе точечных дефектов возникает стационарное мелкомасштабное упорядочение частиц вдоль контакта изолятора с полупроводником, что сопровождается кольцевыми потоками частиц. PACS: 68.55.Ln, 73.20.Hb, 73.40.Qv
Гольдман Е.И. Концентрационно-упругие неустойчивости распределения ионов инейтральных частиц визолирующем слое на поверхности полупроводника // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1209

Представлено экспериментальное исследование сопротивления сплавного омического контакта In--GaN. Показано, что в интервале температур 180-320 K сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры, что характерно для металлического типа проводимости и не соответствует механизмам протекания тока согласно термоэлектронной, полевой или термополевой эмиссии. Предполагается, что омический контакт In--GaN образуется за счет появления проводящих шунтов в результате осаждения атомов индия на дислокациях. Определенное из зависимости сопротивления контакта от температуры количество шунтов на1 см2 площади контактов (107-108) близко к измеренной плотности дислокаций в исходном материале (108 см-2). PACS: 73.40.Cg, 73.40.Ns
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Константинов О.В., Никитин В.Г., Поссе Е.А. Механизм протекания тока всплавном омическом контакте In-GaN // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1204

Исследованы электрические характеристики барьеров Шоттки на электронном дифосфиде кадмия. Установлено, что область объемного заряда является слоем Шоттки и образуется большой концентрацией глубоких центров. Перенос заряда в прямом направлении в таких структурах связан с надбарьерной эмиссией электронов и описывается диффузионной теорией для одного или двух типов носителей заряда. Большая концентрация ионизованных центров в области объемного заряда приводит к туннельному механизму пробоя в обратном направлении. Частотные зависимости комплексной проводимости определяются обменом носителями заряда между зоной проводимости и донором, определяющим тип проводимости материала, а также перезарядкой центров с большей энергией залегания. Получено хорошее согласие рассматриваемых явлений с теорией. PACS:71.55.Gs, 72.30.+q, 72.80.Ey, 73.20.At, 72.30.+q, 73.30.+y
Стамов И.Г., Ткаченко Д.В. Влияние уровней собственных дефектов взапрещенной зоне CdP2 на электрические свойства структур сбарьером Шоттки наего основе // ФТП, 2006, том 40, выпуск 10, Стр. 1196

Сделан анализ связи осцилляций Келдыша--Франца с электронными параметрами полупроводниковых материалов при сильнополевом режиме измерений. Возможности использования модуляционной спектроскопии электроотражения для исследования электронных свойств поверхности полупроводников продемонстрированы на примере спектров электроотражения гомоэпитаксиальных пленок n-GaAs(100) с концентрацией 1017-1018 см-3. Спектры измерены методом барьера Шоттки при комнатной температуре, в неполяризованном свете, в спектральном диапазоне 1.3-1.65 эВ в области перехода E0 (Gamma8V-Gamma6C). Из количественного анализа спектров электроотражения получены электронные параметры пленок: энергия электронного переходаE0, электрооптическая энергияhtheta, поверхностное электрическое полеFs, энергетическое время релаксации носителей зарядаtau, протяженность осцилляции волновой функции квантово-механической частицыlambdaKF с приведенной эффективной массойmu при данном поверхностном электрическом полеFs, величина электронной подвижностиmue. PACS: 78.20.Bh, 78.20.Jq, 78.40.Fy, 78.68.+m
Генцарь П.А., Власенко А.И. Исследование электронных свойств поверхности полупроводников методом модуляционной спектроскопии электроотражения // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1094

Проведена комплексная рентгенодифрактометрическая и спектрально-оптическая характеризация эпитаксиальных слоев GaN и AlxGa1-xN (x=0.25), выращенных методом металлорганической газофазной эпитаксии на подложках монокристаллического сапфира(0001). Определены значения компонентов деформаций и плотности дислокаций, изучено их влияние на интенсивность и спектры фотолюминесценции. Результаты исследования позволили лучше понять природу и объяснить механизмы дефектообразования в эпитаксиальных гетероструктурах AlGaN/GaN. PACS: 61.10.Nz, 68.35.Ct, 68.55.Jk, 78.55.Cr
Кладько В.П., Чорненький С.В., Наумов А.В., Комаров А.В., Tacano M., Свешников Ю.Н., Витусевич С.А., Беляев А.Е. Cтруктурные дефекты нагетерограницах ифотолюминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaN и AlGaN/GaN, выращенных на сапфире // ФТП, 2006, том 40, выпуск 9, Стр. 1087