Изучаются изменения характеристик туннельной МОП структуры Al / SiO2 / n-Si, происходящие при снижении ее поперечных размеров в диапазоне от микрометра до нескольких нанометров. При моделировании учитывается квантование движения носителей в плоскости, перпендикулярной направлению туннелирования. Для большей наглядности МОП структура рассматривается как инжектор (туннельный МОП эмиттер) биполярного транзистора. Показано, что уменьшение размеров не вызывает качественных изменений электрических характеристик прибора, но приводит к некоторому снижению коллекторного тока и в особенности усиления. Полученные данные важны как сами по себе, так и в связи со скейлингом полевых транзисторов, поскольку транзистор с туннельным МОП эмиттером является одним из практически интересных режимов включения обычного полевого транзистора.
Векслер М.И., Грехов И.В., Шулекин А.Ф. О влиянии поперечного квантования наэлектрические характеристики туннельной МОП структуры субмикрометровых размеров // ФТП, 2005, том 39, выпуск 12, Стр. 1430

Проведено численное моделирование динамики фазовых переходов, инициируемых в CdTe наносекундным излучением рубинового лазера. Показано, что испарение атомов кадмия приводит к охлаждению поверхности, формируя немонотонный профиль температурного поля с максимальной температурой, находящейся в объеме полупроводника на расстоянии ~(10-30) нм от поверхности. Образовавшийся под поверхностью расплав при плотностях энергии излучения, превышающих пороговое значение, распространяется как к поверхности, так и в объем полупроводника. Кристаллизация происходит как с поверхности в глубь образца в результате роста зародышей в условиях сильного обеднения расплава атомами кадмия и интенсивного теплоотвода, так и по направлению к поверхности путем эпитаксиального роста от подложки.
Ковалев А.А., Жвавый С.П., Зыков Г.Л. Динамика лазерно-индуцированных фазовых переходов втеллуриде кадмия // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1345

Предложен и создан новый тип гетероструктур, основанных на прямом контакте объемного полупроводника со слоем диэлектрика с рассредоточенной в нем мелкодисперсной фазой полупроводника. На гетероструктурах изSi иGaAs обнаружено выпрямление и фотовольтаический эффект. Показано, что при освещении таких структур со стороны слоя диэлектрика с мелкодисперсной фазой полупроводника возникает широкополосный фотовольтаический эффект в глубине фундаментального поглощения объемного полупроводника.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Ушакова Т.Н. Фоточувствительность гетероструктур намелкодисперсной фазе полупроводников // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1340

Рассмотрена кинетика электронных процессов в структурах металл--диэлектрик--полупроводник, в которых слой диэлектрика обладает небольшой проводимостью. При питании структуры постоянным напряжением в полупроводниковом слое возникает неравновесная обедненная область. Проанализированы условия, необходимые для формирования устойчивой обедненной области и для образования в ней фотоэлектрических сигналов. Приведены оценки длительности переходных процессов и параметров слоев структуры.
Ковтонюк Н.Ф., Мисник В.П., Соколов А.В. Чувствительность структур диэлектрик--полупроводник кнестационарным световым потокам // ФТП, 2005, том 39, выпуск 11, Стр. 1336

Проведено исследование влияния дополнительной имплантации ионов водорода в область границы раздела между отсеченным слоем кремния и скрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе с последующим высокотемпературным отжигом на параметры структур и их радиационные свойства. Такая модификация структур кремний-на-изоляторе приводит к следующим эффектам. Происходит закрепление подвижного заряда, присутствующего в окисле исходных структур, что стабилизирует характеристики структур кремний-на-изоляторе, при одновременном увеличении фиксированного заряда вблизи границы с отсеченным слоем кремния. Кроме того, в окисле вводятся дополнительные ловушки, преимущественно ловушки для электронов, которые при облучении накапливают отрицательный заряд. Врезультате заряд в окисле структур кремний-на-изоляторе несколько убывает на начальном этапе облучения, а затем практически не меняется до доз107 рад. На второй границе структуры при облучении идет обычное накопление положительного заряда, которое характерно и для исходных, немодифицированных структур кремний-на-изоляторе.
Антонова И.В. Стабилизация заряда награнице соскрытым диэлектриком структур кремний-на-изоляторе // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1195

Рассмотрены проблемы формирования потенциальных барьеров в нелегированных неупорядоченных полупроводниках. На примере контакта металл--аморфный гидрогенизированный кремний рассмотрена обобщенная модель формирования потенциальных барьеров в таких структурах. Показано, что свойства барьеров в неупорядоченных полупроводниках определяются характером распределения по энергии локализованных состояний в щели подвижности. Это позволило получить аналитическое выражение для электрического поля и потенциала в области пространственного заряда неупорядоченного полупроводника и предложить новый способ формирования поверхностных квазиомических контактов.
Вишняков Н.В., Вихров С.П., Мишустин В.Г., Авачев А.П., Уточкин И.Г., Попов А.А. Формирование потенциальных барьеров внелегированных неупорядоченных полупроводниках // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1189

Экспериментально определены параметры решетки, ширина запрещенной зоны для структур Si--Si1-xGex в зависимости от соотношения химических компонентовx (0=<q x=<q 1). Исследованы распределение компонентов по толщине твердых растворов Si1-xGex и некоторые фотоэлектрические свойства. Экспериментальные данные указывают на совершенство полученных структур. Варизонные твердые растворы Si1-xGex (0=<q x=<q 1) могут быть применены для изготовления фотоэлектрических приборов, чувствительных к излучению в видимой и ближней инфракрасной областях, а также использоваться как подложечный материал для выращивания на нем GaAs и его твердых растворов.
Сапаев Б., Саидов А.С. Исследование некоторых свойств структур Si--Si1-xGex (0=&lt;q x=&lt;q 1), выращенных из ограниченного оловянного раствора--расплава методом жидкофазной эпитаксии // ФТП, 2005, том 39, выпуск 10, Стр. 1183

Методами математического моделирования исследованы характерные особенности высокополевого дрейфа электронов в субмикронных n+-n-n+-структурах в квазигидродинамическом приближении. Сиспользованием альтернативных зависимостей подвижности и времени энергетической релаксации от электронной температуры рассчитаны профили распределения потенциала, температуры, дрейфовой скорости и плотности потока тепловой энергии электронов. Показано, что в субмикронной ситуации существенная часть тепловой энергии, приобретаемой электроном в высокоомной n-области, рассеивается в низкоомном n+-контакте. Этот эффект снижает темп нарастания электронной температуры в пролетной области с ростом напряжения, повышает эффективную подвижность и препятствует насыщению дрейфовой скорости, как это показывают приведенные расчетные вольт-амперные характеристики.
Гергель В.А., Гуляев Ю.В., Якупов М.Н. Моделирование особенностей эффекта насыщения дрейфовой скорости всубмикронных кремниевых структурах // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1075

Методом селенизации получены поликристаллические пленки Zn2-2xCuxInxSe2 (ZCIS) p-типа проводимости с толщинами1-2 мкм. На основе пленок созданы фоточувствительные поверхностно-барьерные структуры In/p-ZCIS. Исследованы спектры относительной квантовой эффективности структур, полученных селенизацией исходных пленок ZnSe/(Cu--In) и (Zn--Cu--In). Определена оптическая ширина запрещенной зоны Zn2-2xCuxInxSe2 пленок. Сделаны выводы о перспективах применения полученных пленок в качестве широкополосных фотопреобразователей естественного излучения.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Гременок В.Ф., Зарецкая Е.П., Сергеева О.Н. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур наоснове пленокZn2-2xCuxInxSe2, полученных селенизацией // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1070

В рамках задачи об искривлении энергетических зон установлена связь их изгиба на поверхности полупроводника, вызванного адсорбцией субмонослойной металлической пленки, с изменением работы выхода системы. Проанализированы экспериментальные данные по адсобции металлов на подложках GaAs и SiC n- и p-типа.
Давыдов С.Ю., Павлык А.В. Влияние субмонослойной металлической пленки навеличину изгиба зон полупроводниковой подложки // ФТП, 2005, том 39, выпуск 9, Стр. 1068