Исследовано влияние термического отжига кремния перед нанесением палладиевого контакта на чувствительность кводороду барьерных структур палладий--<естественный окисел>--кремний. Показано, что структуры на основе отожженного кремния имеют существенно большую чувствительность кводороду именьшее время отклика, чем структуры на основе кремния, не подвергавшегося отжигу. Полученные результаты обсуждаются сточки зрения структурных изменений, происходящих при термообработке на границе раздела кремния--<естественный окисел>.
Калыгина В.М., Хлудкова Л.С., Балюба В.И., Давыдова Т.А. Влияние состояния поверхности кремния на чувствительность кводороду барьерных структур Pd/n-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1215

Выращены однородные кристаллы тройных соединений CuIn3Se5, CuGa3Se5, CuGa5Se8 иопределены их физико-химические параметры. На основе указанных соединений впервые созданы фоточувствительные структуры, исследованы спектральные зависимости относительной квантовой эффективности фотопреобразования иоценена ширина запрещенной зоны. Показано, что эти соединения являются материалами спрямыми межзонными переходами. Установлено, что ширина запрещенной зоны тройных соединений I--IIIn--VIm определяется природой исодержанием образующих элементарную ячейку атомов.
Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Якушев М.В. Фоточувствительность структур на основе тройных соединений I--IIIn--VIm супорядоченными вакансиями // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1211

Всверхвысоковакуумных условиях изучена адсорбция, начальные стадии роста пленок из молекулC60 иих трансформация на поверхности (100) Si винтервале температур 300-1400 K. Показано, что молекулы C60 сохраняют свою природу вадсорбированном состоянии вплоть до700 K, при больших температурах происходит их постепенный распад, при~1300 K высвободившиеся атомы углерода полностью \glqq забывают\grqq освоем происхождении иобразуют карбид кремния, растущий вглубь образца. При комнатной температуре рост пленки фуллерита идет по механизму, близкому кмеханизму Странского--Крастанова, собразованием кристаллитов поверх монослойного покрытия. Занимаемая кристаллитами доля площади слабо зависит от времени экспозиции исоставляет50-60%.
Галль Н.Р., Рутьков Е.В., Тонтегоде А.Я. Адсорбция итрансформация молекулC60 наповерхности (100)Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1084

Рассмотрены основные механизмы прохождения носителей заряда в контакте металл--сверхпроводящий полупроводник. Проведены расчеты вольт-амперной характеристики контакта для токов термоэлектронной, термополевой и туннельной эмиссии. Определены зависимости условий токопрохождения от значений параметров контакта и приложенного напряжения. Показано, что переход полупроводника в сверхпроводящее состояние приводит к уменьшению тока через контакт в интервале напряжений, определяемых высотой потенциального барьера и параметром энергетической щели сверхпроводника.
Кузнецов Г.В. Прохождение носителей заряда вконтакте металл--сверхпроводящий полупроводник // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1077

Исследованы оптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, имеющих различную концентрацию азота вслоях. Показано, что оптические свойства слоев GaAsN висследованном диапазоне условий роста определяются рекомбинацией носителей через локализованные состояния, вызванные существенной неоднородностью распределения состава твердого раствора. Увеличение концентрации азота приводит кусилению неоднородности состава и увеличению энергии локализации носителей.
Воловик Б.В., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Ковш А.Р., Цацульников А.Ф., Chi J.Y., Wang J.S., Wei L., Устинов В.М. Влияние локализации носителей наоптические свойства гетероструктур GaAsN / GaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1072

Продолжено исследование фоточувствительности МДП структуры In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te с непрозрачным полевым электродом. Рассматривается эффект резкого уменьшения фоточувствительности при повышении инвертирующего напряжения, который проявляется как при немодулированном освещении (измерение фотоемкости), так и при модулированном (измерение фотоэдс), причем фотоэдс начинает спадать раньше, чем фотоемкость. Эффект обусловлен, по нашему мнению, аномальной генерацией на границе полупроводник--диэлектрик, в результате которой уменьшается сопротивление индуцированного p-n-перехода, а также возрастанием продольного сопротивления инверсионного слоя.
Васильев В.В., Кравченко А.Ф., Машуков Ю.П. Полевая зависимость фоточувствительности МДП структур In--SiO2--Cd0.28Hg0.72Te снепрозрачным полевым электродом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1068

В гетероструктуре n-InSb--SiO2--p-Si легко реализуются необходимые условия для существования оптической памяти--- наличие потенциальных барьеров и глубоких ловушек. Коэффициент памяти, измеренный на прямой ветви вольт-амперной характеристики, составляет максимальную величину~104. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
Никольский Ю.А. Оптическая память гетероструктурыn-InSb--SiO2--p-Si // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1065

Методами просвечивающей электронной микроскопии, инфракрасной спектроскопии, регистрации вольт-амперных характеристик и емкостных измерений исследовалось влияние термообработки и дальнодействующее влияние облучения обратной стороны пластины Si ионами аргона, неона икремния на состояние слоя SixNy, синтезированного на лицевой стороне. Установлено, что наиболее эффективным для формирования изолирующих слоев нитрида кремния является ионная бомбардировка аргоном сподогревом мишени до 500oC. Отсутствие заметного влияния облучения ионами неона и кремния согласуется с ранее предложенной моделью спонтанно-акустического механизма дальнодействия при облучении кремния аргоном.
Карзанов В.В., Марков К.А., Сдобняков В.В., Демидов Е.С. Изменения свойств ионно-синтезированной гетеросистемы SixNy--Si врезультате термических иионно-лучевых обработок // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1060

Обнаружено существование двух пиков вспектрах фотолюминесценции слоев твердого раствора GaAsN, выращенных на подложке GaAs, при комнатной температуре. Расстояние между пиками увеличивается сростом содержания азота втройном твердом растворе. Присутствие вспектрах двух переходов сучастием легкой итяжелой дырки предложено вкачестве объяснения такого вида спектров фотолюминесценции. Эффект расщепления уровней энергии легкой итяжелой дырок обусловлен действием упругой деформации слоев GaAsN при выращивании их на поверхностиGaAs.
Егоров А.Ю., Семенова Е.С., Устинов В.М., Hong Y.G., Tu C. Экспериментальное наблюдение расщепления уровней энергии легких итяжелых дырок вупругонапряженном GaAsN // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1056

Проведены сравнительные исследования катодолюминесцентных свойств пленок ZnO в гетероэпитаксиальных структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3 и ZnO/alpha-Al2O3, выращенных методом химических транспортных реакций в проточном реакторе пониженного давления. Установлена сверхлинейная зависимость интенсивности экситонной полосы спектра катодолюминесценции структур ZnO/GaN/alpha-Al2O3 от тока электронного пучка, свидетельствующая о стимулированном характере излучения при относительно низких пороговых значениях уровня возбуждения. Показано, что пленкиZnO, выращенные наGaN, обладают значительно более эффективной катодолюминесценцией по сравнению с пленками на alpha-Al2O3. Обнаружена высокая термостойкость люминесцентных свойств слоевZnO в структурах ZnO/GaN/alpha-Al2O3, подвергнутых длительной термообработке при 750oC в атмосфере кислорода.
Чукичев М.В., Атаев Б.М., Мамедов В.В., Аливов Я.И., Ходос И.И. Катодолюминесценция гетероэпитаксиальных структур ZnO/GaN/alpha -Al2O3, полученных методом химического транспорта // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1052