Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу IIтипа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зонDelta на гетерогранице. Экспериментально установлено, что для структуры Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs разъединенный тип гетероперехода IIтипа наблюдается во всем интервале исследуемых составов, 0.03
Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Переход отразъединенного гетероперехода IIтипа кступенчатому всистеме GaInAsSb/InAs(GaSb) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 166

Изучено влияние пассивации в сульфидных растворах на вид спектров фотопроводимости GaP : Cu. Положение и форма дополнительного экстремума при энергиях выше порога собственного поглощения связываются с эффектами перераспределения неравновесных носителей заряда в поле поверхностного потенциала. PACS:73.50.Pz, 81.65.Rv
Кожевников А.А., Прибылов Н.Н. Влияние пассивации поверхности насобственную фотопроводимость фосфида галлия, компенсированного медью // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 164

Методом направленной кристаллизации расплава выращены монокристаллы соединения n-CuIn5Se8 гексагональной модификации. На основании экспериментальных исследований его термического взаимодействия с кислородом воздуха предложен метод получения новых гетеропереходов окисел/n-CuIn5Se8. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства полученных структур. Показано, что процесс взаимодействия CuIn5Se8 гексагональной модификации с кислородом воздуха обеспечивает получение гетеропереходов с высокой фоточувствительностью. Сделан вывод о возможности применения новой технологии при создании широкополосных фотопреобразователей на основе кристаллов CuIn5Se8. PACS: 61.10.-i, 61.82.Fk
Боднарь И.В., Вайполин А.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И. Получение и фотоэлектрические свойства гетеропереходов окисел/CuIn5Se8 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 160

Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа. PACS: 73.40.Kp, 79.40.+z
Ахметоглы (Афраилов) М.А., Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+- GaSb/n0- GaInAsSb/N+- GaAlAsSb IIтипа // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 154

В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомовGe на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si иGe в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана--- порядка2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt
Орлов Л.К., Ивин С.В. Особенности пиролиза молекул наэпитаксиальной поверхности приросте слоев Si1-xGex изгидридов ввакууме // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 56

Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz
Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 53

Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразованияeta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостейeta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленкахIn2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e
Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 48

На кристаллах p-CuIn3Se5 созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn3Se5, Al/p-CuIn3Se5 и In/p-CuIn3Se5. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn3Se5. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn3Se5 при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. PACS: 73.30.+y, 73.50.Pz, 84.60.Jt
Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Фотоэлектрические явления вбарьерах Шоттки Cu(Al, In)/p-CuIn3Se5 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 44

-1 Исследуются вольт-фарадные характеристики структуры In-SiO2-<варизонный слой Cd0.71-0.27Hg0.29-0.73Te>-p-Cd0.27Hg0.73Te-GaAs при температуре 80 K и выше. Характеристики имеют гистерезис: при прямом ходе развертки (от обогащения к инверсии) характеристика близка к обычной высокочастотной, а при обратном ходе имеется протяженная полка, на которой емкость области пространственного заряда примерно в 2раза больше. Для объяснения хода вольт-фарадной характеристики рассматривается эффект частичной экранировки варизонной части области пространственного заряда от электрического поля тестирующего сигнала, а также эффект формирования потенциальной ямы для электронов у поверхности за счет перезарядки донорных уровней. PACS: 73.40.Cg, 73.40.Lq
Васильев В.В., Машуков Ю.П. Вольт-фарадные характеристики структур наоснове p-Cd0.27Hg0.73Te сширокозонным варизонным слоем наповерхности // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 38

Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на~ 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC. PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1432