Для SiC полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором показана возможность стабилизации зарядового состояния поверхности канала, выступающей в таких транзисторах в роли дополнительного "плавающего" затвора, путем ее обработки в водородной плазме при комнатной температуре. Продемонстрировано, что необходимость такой стабилизации особенно актуальна для транзисторов с относительно низкой концентрацией доноров в канале (высоковольтных), в которых поверхностный заряд может сильно модулироваться напряжением стока из-за влияния короткоканальных эффектов.
Иванов П.А., Коньков О.И., Пантелеев В.Н., Самсонова Т.П. Влияние плазменной обработки поверхности карбида кремния нахарактеристики полевых транзисторов со скрытым p-n-затвором // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1404

Проведен микроскопический анализ механизма внутризонного поглощения излучения дырками с переходом их в спин-орбитально отщепленную зону. Показано, что такой механизм внутризонного поглощения существенно влияет на пороговые характеристики и квантовую эффективность гетеролазеров на основе InAs. Подробно проанализированы зависимости пороговых характеристик лазера от температуры и параметров лазерной гетероструктуры с учетом нового канала внутризонного поглощения дырками.
Гунько Н.А., Зегря Г.Г., Зотова Н.В., Соколова З.Н., Стусь Н.М., Халфин В.Б. Влияние межподзонного поглощения в валентной зоне на пороговые характеристики длинноволновых лазеров на основе InAs // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1396

Диодные мезаполосковые лазеры на основе InAsSb/InAsSbP двойных гетероструктур с низким пороговым током (~12 мА) и узкой шириной полоска (~10 мкм) исследовались в большом интервале токов вплоть до 5 пороговых. Обнаружено, что в таких лазерах моды в измеренном интервале токов смещаются в коротковолновую сторону почти на величину межмодового расстояния вследствие возрастания концентрации неравновесных носителей в активной области. Скорость смещения мод с током разная в разных интервалах токов и зависит от степени одномодовости лазерного спектра.
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Перестройка током длины волны излучения мезаполосковых низкопороговых лазеров на основе InAsSb / InAsSbP двойных гетероструктур, излучающих в области 3.3 мкм // ФТП, 1997, том 31, выпуск 11, Стр. 1392

Теоретически исследован механизм влияния внешнего электрического смещения на фотоэлектрические свойства структур Al/туннельно-тонкий SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем. Особенностью рассматриваемой структуры являетс наличие специальной инверсной гребенки, между которой и подложкой прикладывается положительное напряжение. Получены соотношения, выражающие функциональную зависимость параметров структуры и выходных электрических характеристик фотоэлектрических преобразователей на ее основе от величины напряжения смещения. Представлены результаты численных расчетов, иллюстрирующие эффективность использования внешнего электрического смещения для повышения коэффициента полезного действия фотоэлектрических преобразователей на основе структур Al/SiO2/p-Si с индуцированным инверсным слоем.
Буджак Я.С., Ерохов В.Ю., Мельник И.И. Влияние внешнего электрического смещения нафотоэлектрические свойства кремниевых MIS/IL-структур // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1273

Показано, что в уравнении баланса тепловых потоков в объеме образца (упрощенное уравнение Иоффе--Стильбанса) необходимо учитывать теплоту Пельтье, которую раньше рассматривали как чисто контактную характеристику. В результате самосогласованного расчета с учетом температурной зависимости теплоты Пельтье получены аналитические выражения для распределения температуры в нагруженном термоэлементе, описывающие основные отклонения от линейного распределения. Получены формулы кпд термоэлемента, обобщающие формулы Иоффе на случай больших перепадов температуры и больших потоков тепла.
Ордин С.В. Оптимизация режимов работы термоэлементов с учетом нелинейности температурного распределения // ФТП, 1997, том 31, выпуск 10, Стр. 1269