Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолновому сдвигу и уменьшению полуширины спектров электролюминесценции. Наблюдаемый эффект объясняется уменьшением размеров квантовых точек и улучшением их однородности по размерам. Обнаружена сильная зависимость величины пороговой плотности тока от ширины спектра спонтанной люминесценции. Пороговая плотность тока при комнатной температуре лазеров с одним слоем квантовых точек и с минимальной полушириной спектра спонтанной люминесценции (54 мэВ) составила 210 А/см2.
Евтихиев В.П., Кудряшов И.В., Котельников Е.Ю., Токранов В.Е., Титков А.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010] // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1482

Анализ вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции вызван широким распространением низкоомных материалов в современной твердотельной электронике. Показано, что в ходе такого анализа неприменима чисто плазменная модель полупроводника, так как необходимо учитывать зависимость подвижности носителей заряда от их концентрации mu(n). Проанализированы условия возникновения резко сверхлинейных вольт-амперных характеристик в области начального изменения mu(n) только за счет темпа изменения подвижности основных носителей (lambda-эффект). На экспериментальных вольт-амперных характеристиках lambda-эффект проявляется в виде резких скачков тока и соответствующих им высоких значений дифференциальной степени вольт-амперной (J-V) характеристики (alpha=d\lg J/d\lg V), определяемых изменением дифференциальной степени зависимости подвижности носителей заряда от концентрации lambda(n)=d\lgmu/d\lg n. Расчет показал, что механизм возникновения lambda-эффекта может быть определен при достижении уровней инжекции до~1017 см-3.
Володин Н.М., Смертенко П.С., Федоренко Л.Л., Ханова А.В. Особенности вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1476

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены переходные характеристики фотокатода при мгновенном включении и выключении оптического возбуждения в одноимпульсном и двухимпульсном режимах возбуждения. Определены критические значения интенсивности освещения, соответствующие проявлению эффектов ограничения заряда и прекращению эмиссии фотоэлектронов. Показано, что заряд эмиссии в импульсе является немонотонной функцией интенсивности возбуждения и сильно зависит от величин отрицательного электронного сродства и эффективной прозрачности барьера в активирующем слое. В режиме ограничения заряда время установления фотонапряжения и тока эмиссии при включении возбуждения определяется в основном установлением равновесия между потоками электронов и дырок к поверхности и убывает обратно пропорционально интенсивности освещения. Время восстановления характеристик фотокатода после выключения освещения обратно пропорционально скорости захвата дырок на глубокие нейтральные центры в процессе их туннелирования к поверхности через барьер области объемного заряда и может достигать микросекунд.
Резников Б.И., Субашиев А.В. Переходные процессы в фотокатодах при больших интенсивностях лазерного излучения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 12, Стр. 1467

Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности на вид вольт-амперной характеристики диода учитывается изменение постоянной составляющей тока, протекающего через p-n-структуру, вследствие разогрева свободных носителей заряда и детекторного эффекта.
Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1399

Проведено систематическое исследование влияния внутренних механических напряжений на параметры светодиодов из арсенида галлия. Светоизлучающие структуры выращивались методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема раствора--расплава GaAs вGa. Раствор--расплав легировался кремнием или кремнием и оловом. Показано, что величина и знак внутренних механических напряжений в эпитаксиальном слое определяються концентрацией примеси в растворе--расплаве. Светодиоды, изготовленные из эпитаксиальных структур с минимальными внутренними механическими напряжениями, имеют максимальную квантовую эффективность и наименьшую скорость деградации параметров. Предложена модель перестройки дефектной структуры арсенида галлия, описывающая наблюдаемые явления.
Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И. Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия // ФТП, 1998, том 32, выпуск 11, Стр. 1393

Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метода выращены и исследованы лазерные структуры для оптической накачки, содержащие ZnSSe / ZnCdSe-короткопериодные сверхрешетки или множественные квантовые ямы. Применимость метода показана также для роста гетерострукутр, включающих халькогениды бериллия и содержащих их тройные твердые растворы. Продемонстрирована генерация при 300 K лазерного диода с BeZnSe / ZnSe-сверхрешеткой, используемой в качестве волноводной области.
Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Лебедев А.В., Седова И.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Лугауэр Х.Д., Решер Г., Кайм М., Фишер Ф., Вааг А., Ландвер Г. Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур длясине-зеленых лазеров наоснове ZnSe // ФТП, 1998, том 32, выпуск 10, Стр. 1272

В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указывает на возможность создания биполярных SiC-транзисторов с туннельным МОП эмиттером.
Грехов И.В., Векслер М.И., Иванов П.А., Самсонова Т.П., Шулекин А.Ф. Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC стуннельно-тонким диэлектриком // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1145

Показаны особенности спектров непрерывной генерации многомодовых диодных лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP для спектральной области 3.3 мкм. Сообщается о наблюдении при криогенных температурах как длинноволнового, так и коротковолнового переключения мод. Показано, что подавление ближайших к основной боковых продольных мод приводит к большим модовым скачкам по энергии в процессе их токовой перестройки. Выявленные особенности объяснены неоднородностью спектра усиления вследствие спектрального выгорания дыр в узкозонных полупроводниках. Сделаны оценки времен внутризонной релаксации носителей заряда в активной области.
Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP вспектральной области вблизи 3.3 мкм // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1139

Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, использующей два черных тела, которые располагаются внутри азотного криостата и имеют температуры 260 и 320 K соответственно. Показано, что ошибки в определении нижней или верхней из указанных температур на 1 K приводят к ошибке lambdac примерно на 0.3 и 0.2 мкм соответственно, если lambdac=10 мкм. Измерения на фотодиодах, изготовленных на основе эпитаксиальных слоев Cd0.24Hg0.76Te (lambdac=8.1 мкм), показали, что различие в величинах lambdac, полученных данным методом и из спектральных измерений, составляет не более нескольких десятых долей мкм. Предлагается использовать данный метод как стандартный.
Васильев В.В., Машуков Ю.П. Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1135

В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряжения. Для стационарного случая получены аналитические зависимости квантового выхода от фотонапряжения и интенсивности излучения. Найдено критическое значение интенсивности освещения, соответствующей переходу в режим ограничения заряда эмиссии. Показано, что время выхода на стационарный режим зависит от величины установившегося фотонапряжения на барьере и определяется в основном временем установления равновесия между потоками электронов и дырок на поверхностные центры рекомбинации. При больших интенсивностях освещения время установления обратно пропорционально интенсивности освещения, что приводит при интенсивностях, соответствующих полному запиранию катода, к ограничению заряда эмиссии. Время релаксации фотонапряжения может достигать микросекунд. Сравнение результатов расчета зависимости квантового выхода от фотонапряжения с экспериментом позволяет восстановить зависимость туннельной прозрачности активационного слоя от фотонапряжения.
Резников Б.И., Субашиев А.В. Эффекты ограничения заряда эмиссии вGaAs-фотокатодах привысоких интенсивностях оптического возбуждения // ФТП, 1998, том 32, выпуск 9, Стр. 1125