Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

281.

Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]     

Евтихиев В.П., Кудряшов И.В., Котельников Е.Ю., Токранов В.Е., Титков А.Н., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Исследованы электролюминесценция и генерация лазеров с одним слоем InAs квантовых точек, выращенных в одном процессе молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках (001) GaAs, разориентированных в направлении [010] на 2, 4 и 6o. Обнаружено, что увеличение угла разориентации приводит к коротковолново...
282.

Особенности вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции     

Володин Н.М., Смертенко П.С., Федоренко Л.Л., Ханова А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Анализ вольт-амперных характеристик длинных полупроводниковых структур на сверхвысоких уровнях двойной инжекции вызван широким распространением низкоомных материалов в современной твердотельной электронике. Показано, что в ходе такого анализа неприменима чисто плазменная модель полупроводника,...
283.

Переходные процессы в фотокатодах при больших интенсивностях лазерного излучения     

Резников Б.И., Субашиев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены переходные характеристики фотокатода при мгновенном включении и выключении оптического возбуждения в одноимпульсном и двухимпульсном режимах возбуждения. Определены критические значения интенсивности освещения, соответствующие проявлению эффе...
284.

Возникновение отрицательного сопротивления в структурах на основе p-n-перехода в СВЧ поле     

Усанов Д.А., Скрипаль А.В., Угрюмова Н.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Приведены результаты теоретических и экспериментальных исследований эффекта возникновения отрицательного дифференциального сопротивления диодных структур на основе p-n-перехода при воздействии на них высокого уровня СВЧ мощности. При теоретическом анализе влияния высокого уровня СВЧ мощности н...
285.

Влияние внутренних механических напряжений на характеристики светодиодов из арсенида галлия     

Сидоров В.Г., Сидоров Д.В., Соколов В.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Проведено систематическое исследование влияния внутренних механических напряжений на параметры светодиодов из арсенида галлия. Светоизлучающие структуры выращивались методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного объема раствора--расплава GaAs вGa. Раствор--расплав легировался кремнием или кремни...
286.

Молекулярно-пучковая эпитаксия переменно-напряженных многослойных гетероструктур длясине-зеленых лазеров наоснове ZnSe     

Иванов С.В., Торопов А.А., Сорокин С.В., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Лебедев А.В., Седова И.В., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Лугауэр Х.Д., Решер Г., Кайм М., Фишер Ф., Вааг А., Ландвер Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Для получения высококачественных гетероструктур на основе ZnSe методом молекулярно-пучковой эпитаксии предложен режим управления молекулярными потоками, не требующий остановок роста на интерфейсах и реализующий концепцию компенсации разнополярных напряжений. С использованием разработанного метод...
287.

Эффект усиления фототока в МОП-структурах Au/SiO2/n-6H-SiC стуннельно-тонким диэлектриком     

Грехов И.В., Векслер М.И., Иванов П.А., Самсонова Т.П., Шулекин А.Ф. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В МОП структурах Au/SiO2/n-6H-SiC с туннельно-тонким диэлектриком впервые обнаружен эффект усиления тока фотогенерации. Практически этот эффект может быть использован для повышения эффективности существующих фотодиодов на основе 6H-SiC для ультрафиолетовой области излучения и, кроме того, указыва...
288.

Спектральные и модовые характеристики лазеров InAsSbP/InAsSb/InAsSbP вспектральной области вблизи 3.3 мкм     

Попов А.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Показаны особенности спектров непрерывной генерации многомодовых диодных лазеров, созданных на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP для спектральной области 3.3 мкм. Сообщается о наблюдении при криогенных температурах как длинноволнового, так и коротковолнового переключения мод. ...
289.

Определение длины волны отсечки фоточувствительности инфракрасных фотоприемников с использованием двух низкотемпературных излучателей     

Васильев В.В., Машуков Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
Продолжено рассмотрение метода определения длины волны отсечки lambdac инфракрасных фотоприемников, основанного на облучении образца двумя черными телами с разичными температурами. Чем выше lambdac, тем более низкие температуры излучателей целесообразно применять. Приводятся параметры системы, ис...
290.

Эффекты ограничения заряда эмиссии вGaAs-фотокатодах привысоких интенсивностях оптического возбуждения     

Резников Б.И., Субашиев А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1998
В рамках нелинейной диффузионной модели рассмотрены стационарные характеристики фотокатода и характерные времена переходных процессов при мгновенном включении и выключении освещения в условиях высокой интенсивности возбуждения, с учетом зависимости параметров приповерхностного слоя от фотонапряже...