Врамках последовательной квантово-механической модели численно найдены отклик и мощность когерентной генерации резонансно-туннельного диода в широком интервале частот с учетом межэлектронного взаимодействия. Показано, что \glqq квантовый режим\grqq генерации сохраняется и при учете межэлектронного взаимодействия. Таким образом, возможна генерация большой мощности на частотах, превосходящих ширину резонансного уровня. В\glqq классическом \grqq режиме следует ожидать даже улучшения параметров генерации, вчастности уменьшения порога генерации. Это связано с ростом отрицательной дифференциальной проводимости из-за межэлектронного взаимодействия.
Елесин В.Ф., Катеев И.Ю., Подливаев А.И. Высокочастотный отклик инелинейная когерентная генерация резонансно-туннельного диода вшироком интервале частот сучетом межэлектронного взаимодействия // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1133

На подложках монокристаллического кремния получены солнечные элементы Al/ZnO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al и Al/ITO/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al. Исследованы фотоэлектрические свойства полученных солнечных элементов в естественном и линейно поляризованном излучении при T=300 K. Обнаружена поляризационная фоточувствительность солнечных элементов, возникающая в условиях наклонного падения линейно поляризованного излучения. Установлены главные закономерности наведенного фотоплеохроизма солнечных элементов с просветляющими покрытиямиZnO иITO. Обнаружены осцилляции в спектре наведенного фотоплеохроизма, которые связываются с интерференционными явлениями в пленках окислов. Полученные результаты показывают возможность применения солнечных элементов в качестве селективных фотоанализаторов, а метод поляризационной спектроскопии может обеспечить эффективный мониторинг просветляющих покрытий солнечных элементов.
Николаев Ю.А., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Теруков Е.И., Fuhs W., Froitzheim A. Фотоэлектрические явления всолнечных элементах ZnO(ITO)/a-Si : H(n)/c-Si(p)/Al // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1128

Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и640 мэВ (300 K) изопериодного сInAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход IIрода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В., Кузнецов В.В., Когновицкая Е.А. Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs дляприборов инфракрасной оптоэлектроники // ФТП, 2002, том 36, выпуск 8, Стр. 1010

Было получено, что обработка образцов эпитаксиального n-GaAs изначально свысоким качеством поверхности ватомарном водороде как при наличии, так и при отсутствии на поверхности n-cлоя защитной пленки SiO2 может приводить каморфизации поверхности и тонкого ~ 7 нм приповерхностного слоя, что сопровождается образованием гидридной фазы. Отсутствие водородной подрешетки вприповерхностном слое может указывать на то, что основными движущими силами впроцессе аморфизации эпитаксиального n-GaAs являются химические вазимодействия ближнего порядка между атомами водорода, а также между атомами водорода и атомами основной матрицы кристалла.
Торхов Н.А., Ивонин И.В., Черников Е.В. Аморфизация приповерхностной области эпитаксиального n-GaAs подвоздействием атомарного водорода // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 885

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов для диапазона длин волн 3.3-7 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои In(Ga)As, InAsSb(P) или InAs на подложке n+-InAs (ширина полосы ~ lambdamax/10) илиInSb (ширина полосы ~1 мкм), в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Всветодиодах с иммерсионными линзами получен коэффициент преобразования 0.08-3 мВт/А, сравнимый или превосходящий данные для ряда инжекционных светодиодов.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талала -кин Г.Н. \flqq Иммерсионные\frqq инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове узкозонных полупроводниковA IIIB V // ФТП, 2002, том 36, выпуск 7, Стр. 881

Проведено исследование двухфотонного поглощения света с длиной волны 1.55 мкм в серии лазерных гетероструктур InGaAsP/InP с квантовыми ямами. Наибольшая нелинейная чувствительность составила величину0.78 нА/мВт2. Минимальная детектируемая пиковая мощность излучения 60 мкВт позволяет эффективно использовать волноводы такого типа в качестве детектора в оптическом автокорреляторе для исследования временных характеристик сигналов малой мощности.
Гордеев Н.Ю., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Фетисова Н.В., Тарасов И.С., Копьев П.С. Волноводные фотоприемники в системеInGaAsP/InP дляизмерения автокорреляционных функций излучения малой мощности надлине волны1.55 мкм // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 754

Представлены результаты исследования 4H-SiC ионно-легированных алюминием p+-n-переходов в качестве детекторов частиц высокой энергии. Переходы созданы на основе эпитаксиальных пленок SiC, изготовленных методом газотранспортной эпитаксии. Концентрация нескомпенсированных доноров в исходном материале составляла (3-5)· 1015 см-3, диффузионная длина носителей заряда Lp=2.5 мкм. Детекторы облучались alpha-частицами с энергией 4.8--5.5 МэВ при 20oC. Эффективность собирания наведенного заряда достигала величины0.35. Анализируются возможности работы SiC-детекторов при повышенных температурах ~500oC.
Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О. Карбидкремниевые детекторы частиц высокой энергии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 750

Исследованы фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе ионно-легированного алюминием 4H-SiC, сформированных в слаболегированных эпитаксиальных слоях n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Показано, что такие фотодетекторы удачно сочетают достоинства фотоструктур, сформированных на основе барьеров Шоттки и эпитаксиальных p-n-переходов. Результаты теоретического расчета спектральных характеристик ионно-легированных фотодетекторов находятся вхорошем согласии с экспериментальными данными. Структуры обладают близкой к 100% эффективностью собирания неравновесных носителей заряда в спектральном диапазоне энергии квантов 3.5--4.25 эВ.
Виолина Г.Н., Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Онушкин Г.А., Коссов В.Г., Яфаев Р.Р., Халлен А., Константинов А.О. Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 746

Проведены исследования спектров спонтанного и вынужденного излучения в нанослоях оксида цинка на окисленном кремнии при оптической накачке. Наблюдался режим одномодовой лазерной генерации ультрафиолетового излучения с длиной волны 397 нм на связанной продольной моде пленки ZnO при комнатной температуре. Найдены оптимальные параметры тонкопленочных нанорезонаторов типа ZnO--SiO2--Si для понижения порога и реализации одномодового режима лазерной генерации.
Грузинцев А.Н., Волков В.Т., Бартхоу К., Беналул П. Спонтанное и вынужденное излучение тонкопленочных нанорезонаторов ZnO--SiO2--Si, полученных методом магнетронного напыления // ФТП, 2002, том 36, выпуск 6, Стр. 741

Впервые экспериментально обнаружены СВЧ колебания напряжения вгигагерцовом диапазоне при прохождении обратного тока длительностью~300 нс иплотностью несколькокА/см2 через кремниевый p+\kern-1pt-p-n+-диод без базы. Теоретически рассмотрен механизм возникновения таких колебаний. Показано, что частота и глубина модуляции СВЧ колебаний определяются плотностью тока иградиентом концентрации легирующей примеси в плоскости p-n-перехода.
Дарзнек С.А., Любутин С.К., Рукин С.Н., Словиковский Б.Г. Генерация колебаний сверхвысокой частоты безбазовым диодом // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 629