На фотодиодах CdxHg1-xTe при исследовании туннельного тока Jt через уровни в запрещенной зоне определены их энергии залегания Et-Ev и концентрацияNt. Практически для всех фотодиодов характерно наличие мелких акцепторных уровней с Et-Ev=8-12 мэВ, создаваемых однозарядными вакансиямиVHg+. Вряде фотодиодов были отмечены глубокие уровни Et=Ev+0.26Eg, проявляющие себя как рекомбинационные. Были обнаружены еще и более глубокие уровни Et=Ev+0.6Eg, которые могут вести себя и как рекомбинационные, и как глубокие ловушки с малым сечением захвата дырок.
Туринов В.И. Исследование глубоких уровней вCdHgTe методом туннельного тока фотодиодов // ФТП, 2004, том 38, выпуск 9, Стр. 1129

Исследован ток утечки Ip по поверхности фотодиодов из CdxHg1-xTe с граничной длиной волны спектра фоточувствительности lambdaco=9.8-11.6 мкм, изготовленных имплантацией ионов Zn++ в твердый раствор p-типа проводимости. На поверхностный характер токаIp указывает координатный сдвиг пика на профиле чувствительности n+-p-переходов, измеряемом в режиме сканирования лучом лазера на CO2 (длина волны 10.6 мкм), при увеличении напряженияU на фотодиоде, а также смещение спектральных характеристик в коротковолновую область при увеличенииU.
Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование утечек по поверхности фотодиодов наCdHgTe // ФТП, 2004, том 38, выпуск 7, Стр. 890

Исследованы ватт-амперные, температурные и спектральные характеристики длинноволновых (1.46-1.5 мкм) лазеров, выращенных на подложках GaAs, с активной областью на основе квантовых точек InAs--InGaAs. Для достижения требуемой длины волны квантовые точки формировались на метаморфном буферном слое InGaAs с содержанием индия около 20%. Максимальная выходная мощность лазеров составила 7 Вт в импульсном режиме при комнатной температуре. Дифференциальная эффективность прибора с длиной резонатора 1.5 мм составила 50%. Температурная зависимость пороговой плотности тока в диапазоне 10-73oC описывается характеристической температурой61 K.
Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Мусихин Ю.Г., Леденцов Н.Н., Жуков А.Е., Васильев А.П., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Никитина Е.В., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Мощные лазеры на квантовых точках InAs--InGaAs спектрального диапазона 1.5 мкм, выращенные на подложках GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 763

Проведены исследования мощностных, спектральных и пространственных характеристик излучения инжекционных лазеров с активной областью на основе твердого раствора InGaAsN, выращенных на подложкх GaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77--300 K) при различных плотностях тока накачки. Показано, что увеличение содержания азота в твердом растворе InGaAsN может приводить к модификации структуры квантовой ямы, выражающейся в спонтанном формировании нанокластеров InGaAsN. Эти изменения приводят к возникновению N-образной температурной зависимости пороговой плотности тока и дифференциальной ватт-амперной эффективности.
Карачинский Л.Я., Гордеев Н.Ю., Новиков И.И., Максимов М.В., Ковш А.Р., Wang J.S., Hsiao R.S., Chi J.Y., Устинов В.М., Леденцов Н.Н. Температурные электролюминесцентные исследования излучательных характеристик инжекционных лазеров на основе InGaAsN/GaAs // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 757

Изучено влияние электрического стресса на вольт-амперные характеристики МОП диодов Al/SiO2/p+-Si стуннельно-тонким диэлектриком (2.5-3.0 нм). Проведены испытания образцов при постоянном токе и при постоянном напряжении. Впроцессе стресса при постоянном напряжении, наряду сувеличением тока, связанным смягким пробоем, внекоторых случаях отмечено скачкообразное уменьшение тока. Подобный срыв тока имеет место преимущественно при высоких напряжениях и может быть обусловлен специфическим проявлением мягкого пробоя. При сильной пространственной дисперсии толщины SiO2 данный эффект играет существенную роль, даже если пробой локализован вдостаточно малой области.
Шулекин А.Ф., Тягинов С.Э., Khlil R., El Hdiy A., Векслер М.И. Мягкий пробой как причина спада тока втуннельной МОП структуре // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 753

Сообщается о создании кристаллов на основе GaSb в виде ступенчатой пирамиды со сглаженными ступенями для изготовления светодиодов, в которых коротковолновая полоса излучения двухзарядного природного акцептора трансформируется в длинноволновую без потери количества излучаемых фотонов. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение отношения площади светодиодного кристалла к его объему увеличивает внешний квантовый выход фотонов и достигнута его величина 5.1% для природного акцептора вGaSb.
Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Сиповская М.А., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Трансформация коротковолновой полосы излучения двухзарядного природного акцептора вдлинноволновую всветодиодах наосновеGaSb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 6, Стр. 745

Для различных токов исследована кинетика нарастания и спада электролюминесценции эффективного кремниевого светодиода, сформированного методом диффузии и характеризующегося высокой температурной стабильностью спектральных параметров электролюминесценции в области зона-зонных переходов. Параметры кинетики электролюминесценции сравниваются с эффективными временами жизни неосновных носителей и характеристиками кинетики тока. Обнаружен эффект задержки начала интенсивного роста электролюминесценции относительно начала подачи на диод напряжения и описаны результаты измерения распределения излучения по площади диода.
Емельянов А.М., Николаев Ю.А., Соболев Н.А., Мельникова Т.М. Кинетика электролюминесценции вэффективном кремниевом светодиоде стемпературно-стабильными спектральными характеристиками // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 634

Исследована конструкция активной области инжекционных лазеров на основе одиночных квантовых ям InGaAsN. Продемонстрирована длинноволновая (1.27--1.3 мкм), низкопороговая (50%) лазерная генерация при комнатной температуре в структурах на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, в барьерах GaAs или InGaAsN. Исследованы основные характеристики лазеров (пороговые, температурные, мощностные) в геометрии широкого полоска для структур с активной областью указанных типов. Проведен сравнительный анализ характеристик инжекционных лазеров с активной областью различных конструкций.
Одноблюдов В.А., Егоров А.Ю., Кулагина М.М., Малеев Н.А., Шерняков Ю.М., Никитина Е.В., Устинов В.М. Низкопороговые инжекционные лазеры на основе одиночных квантовых ям InGaAsN, работающие вдиапазоне длин волн1.3 мкм // ФТП, 2004, том 38, выпуск 5, Стр. 630

Приведены результаты тепловых расчетов различных конструктивных моделей pin-диодов на основе SiC с емкостью структуры 0.2 пФ при толщинах подложки360, 50 и2 мкм. Проведено сравнение с кремниевой pin-структурой на интегральном теплоотводе.
Гамулецкая П.Б., Кириллов А.В., Лебедев А.А., Романов Л.П., Смирнов В.А. Тепловой расчет pin-диодов наоснове карбида кремния // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 504

Исследованы электрические характеристики из 8-элементных сурьмянисто-индиевых фотодиодных линеек при T=78-145 K. Коэффициенты взаимной связи соседних p-n-переходов не превышали4.3%. При исследовании поверхности имплантированных цинком p-n-переходов в режиме вторичных электронов и методом наведенного тока в растровом микроскопе у них выявлены дефекты под пленкойZnS, а также локальные неоднородности тока через p-n-переходы.
Бирюлин П.В., Туринов В.И., Якимов Е.Б. Исследование характеристик фотодиодных линеек наInSb // ФТП, 2004, том 38, выпуск 4, Стр. 498