Методом математического моделирования исследовано распределение потока туннельной рекомбинации по области пространственного заряда p-n-перехода. Показано, что при малых значениях вероятности туннелирования скорость рекомбинации достигает насыщения. Приведено выражение для вольт-амперной характеристики p-n-перехода в случае туннельной рекомбинации. Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик кремниевых лавинных диодов, содержащих дислокации. Результаты численных расчетов на основе модели туннельной рекомбинации согласуются с экспериментальными данными.
Булярский С.В., Ионычев В.К., Кузьмин В.В. Туннельная рекомбинация вкремниевых лавинных диодах // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 117

Электролюминесцентным методом проведено исследование спектрального состава излучения лазерной гетероструктуры на основе вертикально-связанных квантовых точекInGaAs. Исследования проводились в широком диапазоне температур (77-300 K) и при различных плотностях тока накачки. Обнаружено, что во всем диапазоне температур лазерная генерация происходит через основное состояние квантовых точек. Предложено объяснение температурной независимости максимума излучения, соответствующего второму возбужденному состоянию в квантовых точках.
Гордеев Н.Ю., Зайцев С.В., Карачинский Л.Я., Копчатов В.И., Новиков И.И., Устинов В.М., Копьев П.С. Особенности электролюминесценции инжекционных лазеров наоснове вертикально-связанных квантовых точек вблизи порога лазерной генерации // ФТП, 2003, том 37, выпуск 1, Стр. 114

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии ствердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si собогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Денисов Д.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Устинов В.М., Pohl H.-J. Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1486

Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния 28Si собогащением99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия ирамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.
Годисов О.Н., Калитеевский А.К., Сафронов А.Ю., Королев В.И., Аруев П.Н., Бер Б.Я., Давыдов В.Ю., Забродская Н.В., Забродский В.В., Калитеевский М.А., Копьев П.С., Коварский А.П., Суханов В.Л. Получение изотопно-чистых слоев кремния28Si методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 12, Стр. 1484

Исследованы инжекционные лазеры с активной областью на основе нескольких рядов самоорганизующихся квантовых точек на подложках GaAs, излучающие, в зависимости от количества рядов квантовых точек и уровня оптических потерь, в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Продемонстрирована рекордная внешняя дифференциальная эффективность 88% и характеристическая температура порогового тока145 K. Внутренние потери, а также пороговые и спектральные характеристики соотнесены с оптическим усилением и эффективностью излучательной рекомбинации, зависящими от дизайна активной области и режимов ее выращивания.
Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Васильев А.П., Семенова Е.С., Устинов В.М., Кулагина М.М., Никитина Е.В., Сошников И.П., Шерняков Ю.М., Лившиц Д.А., Крыжановская Н.В., Сизов Д.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Bimberg D., Алферов Ж.И. Высокоэффективные (eta D>80%) длинноволновые (lambda >1.25 мкм) лазеры наоснове квантовыхточекнаподложкахGaAs // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1400

Экспериментально и аналитически исследованы возможности достижения максимальной оптической мощности излучения в одномодовом режиме генерации для лазерных диодов мезаполосковой конструкции, выполненных на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения. Показано, что основным требованием обеспечения одномодового режима работы в широком диапазоне токов накачки для лазерных диодов является точный выбор значений скачка эффективного показателя преломленияDelta nL в плоскости, параллельной p-n-переходу. Методом МОС-гидридной эпитаксии разработана InGaAsP/InP-гетероструктура раздельного ограничения со ступенчатым волноводом с пороговой плотностью тока180 А/см2 и внутренним квантовым выходом стимулированного излучения93-99%. Проведена оптимизация мезаполосковой конструкции лазерного диода для разработанной InGaAsP/InP-гетероструктуры, с целью достижения максимальной оптической мощности в одномодовом режиме генерации. Достигнута выходная непрерывная мощность излучения185 мВт при одномодовом режиме работы лазерного диода с шириной мезаполоска W=4.5 мкм (lambda=1480 нм), максимальная непрерывная мощность составила300 мВт. Полуширина излучения параллельного дальнего поля возросла на1o относительно порогового значения.
Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. Мощные одномодовые лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур (lambda =1.3-1.6 мкм) // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1393

Исследованы спектры излучения и диаграммы направленности диодных лазеров на основе гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP с различной длиной резонатора, излучающие в спектральном диапазоне3-4 мкм. Экспериментально установлено, что при длинах резонатора 200-300 мкм и его ширине18 мкм осуществляется одномодовая генерация, при которой длина волны уменьшается с током на величину около100 Angstrem, а вершина диаграммы направленности раздваивается, свидетельствуя о поперечных пространственных колебаниях лазерного потока. При длинах резонатора 300-500 мкм генерируется несколько десятков мод в основном с длинноволновой стороны от моды, первоначально преобладающей на пороге генерации, а пространственные колебания лазерного потока отсутствуют. Осуществление одномодовой генерации объясняется тем, что поперечные колебания лазерного потока сглаживают фазовую динамическую диэлектрическую решетку, обычно создаваемую взаимодействием генерирующих мод и предотвращают увеличение усиления с длинноволновой стороны от преобладающей моды.
Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. Сглаживание фазовой динамической диэлектрической решетки вдиодном лазере иполучение одномодовой генерации при поперечных колебаниях излучаемого потока // ФТП, 2002, том 36, выпуск 11, Стр. 1388

Сиспользованием разработанной численной модели одноэлектронных двухостровковых цепочек туннельных переходов исследовано влияние параметров конструкции иматериалов на их вольт-амперные характеристики. Установлено, что данные характеристики наиболее чувствительны кизменению максимальной ширины туннельного перехода ивысоты потенциального барьера изолятора. Вто же время изменения фоновых зарядов на островках, относительной диэлектрической проницаемости изолятора ирабочей температуры приводят кразнообразным трансформациям вольт-амперных характеристик.
Абрамов И.И., Игнатенко С.А., Новик Е.Г. Влияние параметров конструкции иматериалов на вольт-амперные характеристики двухостровковых одноэлектронных цепочек // ФТП, 2002, том 36, выпуск 10, Стр. 1272

Разработана технология МОС-гидридной эпитаксии лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs и оптимизированы геометрия и профиль легирования структуры для снижения внутренних оптических потерь. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды с пороговыми плотностями тока Jth=150-200 A/см2, внутренними оптическими потерями alphai=1.6-1.9 см-1 и внутренним квантовым выходом etai=85-95%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 6.5 Вт из лазерного диода с апертурой100 мкм на длине волны излучения 0.98 мкм, ограниченная катастрофической оптической деградацией зеркал. Расходимость излучения в плоскости, перпендикулярной p-n-переходу, составляла theta normal =25-30o. Показано, что использование широкозонных волноводных слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, снижает температурную чувствительность лазерных гетероструктур в системе твердых растворов InGaAs/GaAs/AlGaAs в температурном диапазоне 0-70oC.
Булаев П.В., Капитонов В.А., Лютецкий А.В., Мармалюк А.А., Никитин Д.Б., Николаев Д.Н., Падалица А.А., Пихтин Н.А., Бондарев А.Д., Залевский И.Д., Тарасов И.С. InGaAs/GaAs/AlGaAs-лазеры с широким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1144

Методом электростатической силовой микроскопии изучено распределение потенциала вэпитаксиально-диффузионном n+-n-p-p+-кремниевом диоде. Исследования методом электростатической силовой микроскопии проводились на сколе диода, пересекающем формирующие его слои. Первоначально были найдены распределения потенциала иемкости по поверхности скола. По вариациям поверхностного потенциала иемкости ссубмикронным пространственным разрешением были определены положение ипротяженность n-p-перехода ипрослежено распределение вдиоде приложенного прямого смещения. Обнаружено существование висследовавшейся структуре заметного дополнительного потенциального барьера вобласти n+-n-перехода сподложкой. При плотности тока инжекции более 100 мА/см2 падение потенциала на этом барьере становится сопоставимым сизменениями потенциала на рабочем n-p-переходе.
Анкудинов А.В., Титков А.Н., Laiho R., Козлов В.А. Исследование распределений потенциала впрямо смещенном кремниевом диоде методом электростатической силовой микроскопии // ФТП, 2002, том 36, выпуск 9, Стр. 1138