Сообщается о создании перестраиваемых током диодных лазеров на основе гетероструктуры InAsSb / InAsSbP с узкой линией излучения (7-10 МГц) на диапазон длин волн3.2-3.4 мкм, работающих при низких температурах (15--60 K). Показано, что быстрая частотная модуляция излучения при низких температурах происходит только при значительных превышениях тока над пороговым значением. Это связано с тем, что плавный оптический волновод создается только при достаточном превышении концентрации неравновесных носителей заряда на боковых краях резонатора над пороговой величиной. Отмечается, что увеличение cтоком концентрации дырок вблизи p-области из-за уменьшения эффективного времени жизни носителей заряда в лазерном режиме приводит к дополнительному увеличению диапазона частотной перестройки. Приводится спектр поглощения аммиака в диапазоне волновых чисел3232-3237 см-1, измеренный с использованием созданного лазера.
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Спектральная ширина линии излучения перестраиваемых током лазеров наоснове InAsSb / InAsSbP принизкой температуре // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 622

Моделируется процесс лавинного электронного умножения в кремниевой BIB-структуре, описывающий ее в режиме счета одиночных фотонов. При движении электрона учитываются его ускорение в линейном по координате электрическом поле, упругое рассеяние на продольных акустических фононах, неупругое рассеяние на междолинных фононах и ионизация примесных центров. Предложен простой алгоритм, позволяющий провести прямое вычисление координат всех ионизованных центров в лавине и функцию вероятности выхода из лавиныN электронов при входе в область умножения одного электрона. Показано, что эта функция имеет максимум вблизи< N> (среднее по функции вероятности выхода), что соответствует экспериментальным данным.
Синица С.П. Моделирование лавинного умножения электронов вфотоприемниках сблокированной прыжковой проводимостью // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 618

Получены и исследованы мелкие и сверхтонкие переходы, изготовленные методом стимулированной диффузииP из фосфоросиликатного стекла иB из боросиликатного стекла в Si при импульсном фотонном отжиге; исследованы их электрические, фотоэлектрические и оптические свойства. Установлены особенности стимулированной диффузииP иB в приповерхностной области кремния при фотонном отжиге. Полученные результаты обсуждаются на основе различных механизмов диффузии--- kick-out, вакансионно-межузельного и диссоциативного; профили распределения примеси объясняются моделью парной вакансионно-межузельной диффузии и моделью стимулированной диффузии с учетом временной зависимости поверхностной концентрации примеси и концентрационной зависимости коэффициента диффузии.
Шишияну С.Т., Шишияну Т.С., Райлян С.К. Мелкие p-n-переходы вSi, изготовленные методом импульсного фотонного отжига // ФТП, 2002, том 36, выпуск 5, Стр. 611

Исследованы электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур Pd--p-InP после многолетней выдержки на воздухе. Выявлено увеличение высоты барьера Шоттки на 0.2--0.3 эВ и рост фоточувствительности. Механизм токопереноса определяется генерационно-рекомбинационным током итуннелированием через уровни0.28 и0.40 эВ. Предполагается, что эти примесные центры находятся вприповерхностном слое p-InP у гетерограницы с Pd.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Долговременные изменения электрических ифотоэлектрических характеристик диодных структур Pd--p-InP // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 500

С помощью развитой квазигидродинамической модели субмикронного полевого транзистора исследовано влияние эффекта всплеска дрейфовой скорости на характер насыщения тока стока. Показано, что в субмикронных транзисторных структурах на основе многодолинных полупроводников насыщение тока стока определяется насыщением скорости дрейфа электронов в канале, обусловленным эффективным междолинным рассеянием. Показано также, что максимальная скорость дрейфа электронов в канале обратно пропорциональна длине затвора транзистора.
Гергель В.А., Кулькова Е.Ю., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Хренов Г.Ю. Особенности электронного дрейфа всубмикронных GaAs-структурах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 4, Стр. 496

Исследованы электрофизические свойства кремния, имплантированного ионами эрбия и кислорода в широком диапазоне доз. Определена зависимость подвижности электронов от концентрации электрически активных центров в слоях кремния, легированного эрбием в диапазоне концентраций 9·1015-8·1016 см-3. При дозах имплантации ионов эрбия, превышающих пороговую дозу аморфизации, на концентрационных профилях распределения электрически активных центровn(x) и атомов эрбияC(x) наблюдаются изломы, связанные с особенностями процесса сегрегацииEr при твердофазной эпитаксиальной перекристаллизации. Вблизи поверхности профилиn(x) иC(x) практически совпадают. При дозах имплантации ионов эрбия выше порога аморфизации наблюдается линейный рост максимальной концентрации электрически активных центров при примерно постоянном эффективном коэффициенте их активацииk. При концентрации эрбия свыше 7·1019 см-3 происходит насыщение концентрации вводимых электрически активных центров и падениеk.
Александров О.В., Захарьин А.О., Соболев Н.А., Николаев Ю.А. Электрофизические свойства слоев кремния, имплантированных ионами эрбия икислорода вшироком диапазоне доз итермообработанных вразличных температурных режимах // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 379

Показана возможность внутреннего усиления сигнала (~в100 раз) в детекторах короткопробежных ионов на основе карбида кремния. Детекторы создавались ростом эпитаксиальных слоев p-типа на 6H-SiC n+-подложках. Толщина пленок ~10 мкм, а уровень легирования составлял 2.8·1015 см-3. Барьеры Шоттки формировались на пленках магнетронным распылениемNi. Детекторы имели структуру n-p-n+, их параметры исследовались в режиме "плавающей базы". Использовались alpha-частицы 244Cm с энергией5.8 МэВ и исследовалось увеличение сигнала (E) с ростом приложенного напряжения(U). Облучаемые структуры эквивалентны фототриоду. Был обнаружен сверхлинейный ростE со значительным (десятки раз) усилением вводимого alpha-частицей неравновесного заряда.
Строкан Н.Б., Иванов А.М., Савкина Н.С., Давыдов Д.В., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Применение SiC-триодных структур как детекторов ядерных частиц // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 375

Исследованы одномодовые и многомодовые лазерные диоды с длиной волны излучения1.0 и1.58 мкм, изготовленные из квантово-размерных гетероструктур раздельного ограничения методом газофазной эпитаксии из металлогранических соединений. На основе экспериментальных зависимостей пороговой плотности тока и дифференциальной квантовой эффективности от длины резонатора лазерных диодов проведен анализ пороговой плотности тока и усиления. Врамках модельных представлений получено разложение порогового тока на основные составляющие. Использованы теоретические приближения, учитывающие оже-рекомбинацию, выброс электронов из квантовых ям в волноводные слои и растекание тока в пассивные области меза-полоскового лазера.
Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Тарасов И.С. Анализ пороговой плотности тока иусиления вквантово-размерных лазерах наоснове твердых растворовInGaAsP // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 364

Наоснове поликристаллических пленок твердых растворов CuIn1-xGaxSe2, полученных импульсным лазерным испарением исходных мишеней, впервые созданы солнечные элементы. Изучены вольт-амперные характеристики полученных солнечных элементов и определены их основные фотоэлектрические параметры. Установлена оптимальная концентрация галлия, обеспечивающая повышение эффективности фотопреобразования тонкопленочных солнечных элементов и пленок твердых растворов со структурой халькопирита.
Гременок В.Ф., Боднарь И.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.-W. Солнечные элементы наоснове пленок CuIn1-xGaxSe2, полученных импульсным лазерным испарением // ФТП, 2002, том 36, выпуск 3, Стр. 360

Получено точное аналитическое решение задачи минимизации сопротивления дрейфовой области мощных монополярных приборов. Показано, что оптимальный профиль легирования N(x) имеет минимум в центральной части дрейфовой области и неограниченно возрастает при приближении к обеим ее границам.
Кюрегян А.С. Оптимальное легирование дрейфовой области монополярных диодов итранзисторов // ФТП, 2002, том 36, выпуск 2, Стр. 244