Проведен сравнительный анализ влияния различных факторов, определяющих характер восстановления блокирующей способности карбид-кремниевых диодов. Показано, что доминирующим является механизм, обусловленный большой величиной отношения подвижностей электронов и дырок вSiC. Именно этот механизм приводит к тому, что, независимо от асимметрии эффективности эмиттеров и вызванной ею начальной неоднородности плазмы в высокоомной базе, эффект сверхбыстрого (субнаносекундного) обрыва тока может наблюдаться при восстановлении карбид-кремниевых диодов с базой p-типа, а \glqq мягкое\grqq восстановление присуще только диодам с базой n-типа.
Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н. О быстром восстановлении блокирующей способности карбид-кремниевых диодов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1148

Реализован метод эпитаксиального формирования инжекционных лазеров на диапазон длин волн1.3 мкм на подложках GaAs. Метод основан на использовании метаморфной гетероструктуры с содержанием индия около20%, осаждаемой на переходном буферном слое, предназначенном для релаксации напряжения рассогласования. Вкачестве активной области лазера используются квантовые ямы с более высоким (около40%) содержанием индия. Влазерах полосковой конструкции шириной 100 мкм продемонстрирована лазерная генерация при комнатной температуре на длине волны 1.29 мкм с минимальной пороговой плотностью тока 3.3 кА/см2 (0.4 кА/см2 при85 K).
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Семенова Е.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Никитина Е.В., Крыжановская Н.В., Гладышев А.Г., Шерняков Ю.М., Мусихин Ю.Г., Максимов М.В., Леденцов Н.Н., Устинов В.М., Алферов Ж.И. Метаморфные лазеры спектрального диапазона1.3 мкм, выращенные методом молекулярно-пучковой эпитаксии наподложкахGaAs // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1143

Исследовались фазовые, структурные и электрофизические свойства многослойных контактных систем Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs, используемых в технологическом процессе формирования диодов Ганна на основе GaAs. Дои после быстрых термических обработок в атмосфере водорода при T=400, 600 и800oC в течение60 с исследовались: фазовый состав и уровень остаточных механических напряжений методом рентгеновской дифракции; морфологические особенности поверхности пленок золота--- методом атомно-силовой микроскопии; вольт-амперные характеристики вобласти слабого электрического поля. Показано, что вплоть до температуры отжига T=600oC сохраняются буферные свойства TiBx. Установлена роль внутренних механических напряжений в деградации омических контактов Au--Mo--TiBx--AuGe--GaAs.
Болтовец Н.С., Иванов В.Н., Конакова Р.В., Литвин П.М., Литвин О.С., Миленин В.В., Прокопенко И.В. Фазовые и структурные изменения в многослойных контактах кn-GaAs, стимулированные быстрыми термическими обработками // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1138

Исследованы распределение заряженных центров N(w), квантовый выход излучения испектры люминесценции голубых изеленых светодиодов на основе p-n-гетероструктур InGaN / AlGaN / GaN. Множественные квантовые ямы InGaN / GaN были модулированно легированы донорамиSi вGaN-барьерах. Концентрации доноров иакцепторов на границах перехода, определенные гетеродинным методом динамической емкости, были порядка NA>=1·1019 см-3>> ND>=1·1018 см-3. Функции N(w) имели максимумы иминимумы, спериодом 11-18 нм (±2-3 нм). Построена энергетическая диаграмма структур. Сдвиги спектральных максимумов сизменением тока (J=10-6-3·10-2 А) малы (3-12 мэВ для голубых и20-50 мэВ для зеленых диодов), меньше, чем для диодов снелегированными барьерами (до150 мэВ). Это объясняется экранированием пьезоэлектрических полей вямах электронами. Квантовый выход излучения взависимости от тока коррелирует сраспределением зарядов иособенностями вольт-амперных характеристик диодов.
Мамакин С.С., Юнович А.Э., Ваттана А.Б., Маняхин Ф.И. Электрические свойства испектры люминесценции светодиодов наоснове гетеропереходов InGaN / GaN смодулированно-легированными квантовыми ямами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 9, Стр. 1131

Исследованы электролюминесцентные характеристики одиночной гетероструктуры IIтипа p-Ga0.84In0.16As0.22Sb0.78/ n-In0.83Ga0.17As0.80Sb0.20 в интервале температур 77-300 K. Предложена и реализована новая улучшенная лазерная структура на основе разъединенного гетероперехода IIтипа p-GaInAsSb/n-InGaAsSb в активной области и получена одномодовая генерация на длине волны lambda=3.14 мкм при плотности порогового тока jth=400 А/см2 (T=77 K). Обнаружено преобладание TM-поляризации над TE-поляризацией излучения как для спонтанного, так и для когерентного режима работы новой лазерной структуры, что может быть объяснено участием в рекомбинации легких дырок, туннелирующих через гетерограницу.
Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Особенности спонтанного и когерентного инфракрасного излучения лазеров, изготовленных наоснове одиночного разъединенного гетероперехода IIтипа // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 1010

Сообщается о создании высокоэффективных светодиодных структур, полностью перекрывающих спектральный диапазон 1.6-2.4 мкм на основе GaSb, и твердых растворов на его основе. Были исследованы электролюминесцентные характеристики и их зависимости от тока и температуры. Изучены механизмы излучательной и безызлучательной рекомбинации и их влияние на величину квантового выхода. Достигнуты значения квантового выхода в квазистационарном режиме при комнатной температуре в диапазоне 40-60%. Оптическая мощность в режиме коротких импульсов достигала170 мВт.
Стоянов Н.Д., Журтанов Б.Е., Астахова А.П., Именков А.Н., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные светодиоды спектрального диапазона 1.6-2.4 мкм длямедицинской диагностики иэкологического мониторинга // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 996

Сообщается об исследовании физических механизмов, подавляющих неустойчивость в электронно-дырочной плазме при инверсии заселенности и способствующих генерации одной лазерной линии и ее частотной перестройке при изменении питающего тока: неоднородной инжекции и пространственных колебаний лазерного потока. Приводятся результаты измерения быстродействия токовой и тепловой перестройки частоты генерации. Показано, что эффективная постоянная времени для тепловой перестройки составляет ~1 мкс, а для токовой меньше по крайней мере на порядок. Диапазон тепловой перестройки не превышает несколькихAngstrem, а диапазон токовой перестройки достигает 100 Angstrem. Сообщается о создании одномодового быстроперестраиваемого гетеролазера для диодно-лазерной спектроскопии в диапазоне 2.8-3.6 мкм, работающего при температурах 12-120 K, и сканировании таким лазером спектров поглощения газовых средOCS, NH3, CH3Cl, CH4, N2O иH2O.
Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. Одномодовые быстроперестраиваемые лазеры длядиодно-лазерной спектроскопии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 985

Светодиоды (длина волны lambda=3.3-4.5 мкм) изготовлены на основе гетероструктур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Применение метода газофазной эпитаксии позволило существенно увеличить содержание фосфора вбарьерных слоях (до50%) по сравнению страдиционным методом жидкофазной эпитаксии и,следовательно, улучшить ограничение носителей заряда вактивной области структур. Исследованы фотолюминесцентные свойства слоев InAsSb, электролюминесцентные свойства светодиодов, зависимости мощности излучения от тока. Изготовлены светодиоды двух типов: свыводом излучения через подложку (типA) исвыводом излучения через эпитаксиальный слой (типB). При комнатной температуре светодиоды вимпульсном режиме (скважность20) имели мощность излучения1.2 мВт.
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Пушный Б.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов, изготовленных наоснове структур InAsSbP / InAsSb, выращенных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 980

В данной работе сообщаются результаты исследований, направленных на создание высокоэффективных фотодиодов для спектрального диапазона 0.9-2.55 мкм сдиаметрами фоточувствительной площадки такими большими, как 1-3 мм. Разработан широкий ряд фотодиодов на основе гетероструктур GaSb / GaInAsSb / GaAlAsSb сдлинноволновой границей спектральной чувствительности lambda=2.4 и2.55 мкм. Отличительными особенностями фотодиодов являются высокая токовая монохроматическая чувствительность вмаксимуме спектра, высокое быстродействие, атакже низкое значение плотности обратных темновых токов. Обнаружительная способность фотодиодов, оцененная по измеренной величине уровня шумов итоковой монохроматической чувствительности, вмаксимуме спектра достигает величины D*(lambdamax,1000,1)=(0.8-1.0)·1011 Гц1/2 см/Вт.
Андреев И.А., Ильинская Н.Д., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Высокоэффективные фотодиоды наоснове GaInAsSb / GaAlAsSb дляспектрального диапазона 0.9-2.55 мкм сбольшим диаметром чувствительной площадки // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 974

Впоследнее время большое внимание уделяется измерению иконтролю ультрафиолетового излучения Солнца иискусственных источников. Мы представляем фотодетекторы на основе различных широкозонных поверхностно-барьерных структур, которые имеют линейную характеристику плотность потока излучения--фототок вдиапазоне 10-2-103 Вт / м2 ипозволяют регистрировать разные типы ультрафиолетового излучения. Так, фотодетекторы на основе GaP при использовании фильтра УФС-6 имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий ультрафиолетовому излучению Солнца, регистрируемому на поверхности Земли. 4H-SiC-поверхностно-барьерные фотоприемники имеют диапазон спектральной фоточувствительности, соответствующий спектральной кривой бактерицидного воздействия ультрафиолетового излучения. Для объяснения процесса коротковолнового фотоэлектропреобразования вэтих структурах разработана модель, согласно которой фотоэлектроны ифотодырки могут связываться вгорячие экситоны иисключаться из процесса фотоэлектропреобразования. Экспериментально установленный факт роста квантовой эффективности стемпературой для фотодетекторов на основе барьеров Шоттки объясняется захватом фотоносителей вловушки, обусловленные флуктуациями дна зоны проводимости ипотока валентной зоны, споследующей термодиссоциацией. Эти флуктуации связаны снесовершенствами вприповерхностной области полупроводника, что подтверждается независимостью квантовой эффективности фотодетекторов на основе p-n-структур от температуры.
Бланк Т.В., Гольдберг Ю.А., Калинина Е.В., Константинов О.В., Поссе Е.А. Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе структур металл--широкозонный полупроводник // ФТП, 2003, том 37, выпуск 8, Стр. 968