Созданы и исследованы светодиоды на основе p-n-гомо- и гетероструктур с активными слоями из InAsSbP и InGaAs, мощностью излучения от 0.2 мВт (lambda=4.3 мкм) до 1.33 мВт (lambda=3.3 мкм) и коэффициентами преобразования от 30(InAsSbP, lambda=4.3 мкм) до 340 мВт/А·см2 (двойная гетероструктура InAsSb/InAsSbP, lambda=4.0 мкм). Сростом тока наблюдалось уменьшение коэффициента преобразования, связанное в основном с джулевым разогревом p-n-гомопереходов. Насыщение мощности при увеличении тока в светодиодах на основе двойных гетероструктур не было связано с нагревом активной области. При повышении температуры светодиодов (lambda=3.3, 4.3 мкм) от 20 до 180oC происходило падение мощности излучения в7 и 14 раз, достигая при 180oC значений 50(1.5 A) и7 мкВт(3 A) соответственно.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Электролюминесценция светодиодов наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP (lambda =3.3-4.3 мкм) винтервале температур 20-180o C (продолжение*) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 5, Стр. 619

Рассматриваются вопросы взаимного теплового влияния лазеров с вертикальным выводом излучения, работающих в режиме матрицы. Оцениваются тепловые сопротивления для различных конфигураций лазеров в матрице.
Захаров С.М. Перекрестное взаимное тепловое влияние вматрицах поверхностно излучающих лазеров с <<вертикальным>> выводом излучения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 499

Исследовались диоды Шоттки на основе эпитаксиальных пленок 6H-SiC. Структуры были подвержены облучению протонами с энергией 1000 МэВ дозой 3·1014 см-2. Воздействие высокоэнергетичных протонов изучалось при помощи прецизионной alpha-спектрометрии. Параметры глубоких уровней, вводимых протонами, измерялись методом нестационарной емкостной спектроскопии. Число вакансий, возникающих в треке протона, определялось по программе TRIM. Ширина области пространственного заряда и диффузионная длина для дырок определялись до и после облучения обработкой результатов по alpha-спектрометрии и емкостных измерений. Установлено незначительное изменение транспортных свойств заряда в детекторах на основе6H-SiC.
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Лебедев А.А., Миронов Ю.Т., Рябов Г.А., Иванов Е.М. Радиационная стойкость SiC-детекторов ионов квоздействию релятивистских протонов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 495

Проведены электронно-микроскопические исследования структуры эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs двух типов на подложках полуизолирующего арсенида галлия ориентации < 100>. Измерены низкотемпературные спектры фотолюминесценции и проанализированы их особенности. Показано, что образование ростовых дислокаций в таких структурах существенно влияет на спектры фотолюминесценции и ухудшает параметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов на их основе.
Лисица М.П., Моцный Ф.В., Моцный В.Ф., Прокопенко И.В. Влияние ростовых дислокаций наструктуру, фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев i-n--n-n+-GaAs ипараметры сверхвысокочастотных полевых транзисторов наихоснове // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 492

Описаны три приближения для учета влияния фонового заряда на "островке" в предложенной двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора. С их использованием можно получить хорошее согласование с экспериментом при расчете вольт-амперных характеристик одноэлектронных транзисторов по разработанной модели в самых разнообразных случаях. Показана эффективность применения приближений на конкретных примерах расчета вольт-амперных характеристик транзисторов.
Абрамов И.И., Новик Е.Г. Учет фонового заряда на "островке" при моделировании одноэлектронных транзисторов // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 489

В 6H-SiC-МОП транзисторе обедненно-обогащенного типа обнаружен и исследован неравновесный эффект поля, обусловленный глубокими поверхностными состояниями на границе раздела SiO2/6H-SiC. Анализ релаксации проводимости канала транзистора (при повышенных температурах) после неравновесного заполнения поверхностных ловушек электронами показал, что эти ловушки распределены по энергиям в виде узкого гауссовского пика в верхней половине запрещенной зоны 6H-SiC: энергия в максимуме распределения EC-Etm=1.19 эВ, уширение пика Delta Et~ 85 мэВ, сечение захвата электронов sigman~ 10-14 см2. Как мы полагаем, данные состояния имеют фундаментальную природу и представляют собой "дефекты окисления" типа Pb- центров в системе SiO2--Si (оборванные кремниевые связи).
Иванов П.А., Самсонова Т.П., Пантелеев В.Н., Поляков Д.Ю. Исследование глубоких ловушек наинтерфейсе SiO2/6H-SiC методом неравновесного эффекта поля // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 482

Исследован механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики анизотипной гетероструктуры с контактом Шоттки p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd. Выявленная зависимость I прапорционально V3 объяснена двойной инжекцией носителей в дрейфовом приближении. Обнаружено гашение (уменьшение) прямого тока при освещении светом в интервале lambda=0.7-1.2 мкм. Этот эффект объяснен особенностями захвата световых неосновных носителей, дырок, и их рекомбинации с темновыми электронами.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В., Малинин Ю.Г. Гашение тока светом вдиодных структурах p-Si--n+-ZnO--n-ZnO--Pd // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 479

Показано, что вольт-амперные характеристики структур с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структур) на основе Si : As при засветке инфракрасным излучением из области чувствительности имеют два четко выраженных участка. Напервом участке величина фототока определяется величиной потока инфракрасного излучения и лавинным примесным пробоем. Навтором участке фототок определяется смыканием слоя обеднения с контактной N++-областью. Показано, что режим лавинного умножения может быть использован в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах. Однородность фотоэлектрических параметров по массиву элементов в фокальных многоэлементных фотоприемных устройствах, работающих в режиме лавинного умножения, практически не уступает таковой, наблюдаемой в BIB-матрицах, работающих без лавинного умножения.
Есаев Д.Г., Синица С.П. Фотоэлектрические характеристики инфракрасных фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 474

Работа посвящена созданию и исследованию новых длинноволновых фотодиодов на основе гетеропереходов IIтипа в изопериодных системах GaSb/InGaAsSb/GaInAsSb и GaSb/InGaAsSb/AlGaAsSb, выращенных методом жидкофазной эпитаксии. Подбор последовательности широкозонных и узкозонных слоев в структурах позволяет варьировать условия на границах, характер зонной энергетической диаграммы и, как следствие, параметры фотодиодов. Проведены исследования электрических и фотоэлектрических характеристик и механизмов темнового тока. Выбрана оптимальная конструкция фотодиодной структуры, содержащей два разъединенных гетероперехода IIтипа и p-n-переход в узкозонной активной области. Получена величина обнаружительной способности при комнатной температуре на длине волны lambda=4.7 мкм D*lambda=4.1· 108 см·Гц1/2/Вт. Показана перспективность использования гетеропереходов IIтипа для создания высокоэффективных неохлаждаемых фотодиодов диапазона длин волн 1.6--4.8 мкм, необходимых для газового анализа, экологического мониторинга и контроля продуктов горения и взрывов.
Стоянов Н.Д., Михайлова М.П., Андрейчук О.В., Моисеев К.Д., Андреев И.А., Афраилов М.А., Яковлев Ю.П. Фотодиоды на основе гетеропереходов IIтипа всистеме GaSb/InGaAsSb дляспектрального диапазона 1.5--4.8 мкм // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 467

Исследовано влияние наносекундного импульсного излучения неодимового лазера (длительность импульсов tau=10 нс, длина волны lambda=1.06 мкм) при 300 K на параметры фоторезисторов на основе Cd0.19Hg0.81Te. Установлено, что при оптимальной величине плотности энергии W=0.2-0.3 Дж/см2 происходит плавление поверхности с образованием инверсного слоя толщиной 0.04--0.52 мкм; при этом наблюдается рост чувствительности и обнаружительной способности фоторезисторов. Дальнейшее увеличение плотности энергии W приводит к ухудшению параметров фоторезисторов и росту темнового сопротивления.
Рыжков В.Н., Ибрагимова М.И., Барышев Н.С. Влияние импульсного лазерного отжига на параметры фоторезисторов наоснове CdxHg1-xTe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 4, Стр. 464