Экспериментально исследовано расщепление резонансных оптических мод в микрорезонаторах Фабри-Перо с распределенными брэгговскими отражателями. Расщепление проявляется в поляризованном свете при больших углах падения на внешнюю границу микрорезонатора. Построена теоретическая модель явления, которая позволяет количественно описать все наблюдаемые особенности расщепления.
Голубев В.Г., Дукин А.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. Расщепление резонансных оптических мод вмикрорезонаторах Фабри-Перо // ФТП, 2003, том 37, выпуск 7, Стр. 860

Впервые продемонстрирована лазерная генерация всреднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой эпитаксии ихарактеризующейся экстремально высокими асимметричными потенциальными барьерами (~ 1.5 эВ) для электронов идырок вInAs активной области. Выходная мощность спонтанного излучения при 300 K составила не менее 0.3 мВт для светодиодов скруглой мезой.
Иванов С.В., Моисеев К.Д., Кайгородов В.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Гребенщикова Е.А., Седова И.В., Терентьев Я.В., Семенов А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Торопов А.А., Яковлев Ю.П., Копьев П.С., Алферов Ж.И. Инжекционный ИК лазер (lambda =2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 762

Описывается влияние температуры на параметры зона-зонного спектра излучения изготовленного из монокристаллического кремния светодиода, вкотором наблюдается самая высокая из известных температурная стабильность как интенсивности электролюминесценции вмаксимуме распределения по длинам волн (ImEL), так идлины волны, соответствующей этому максимуму (lambdam). Внутренняя квантовая эффективность светодиода при комнатной температуре оценивается величиной не менее 0.1%. ВеличинаImEL изменяется не более чем на ~ 10% при изменении температуры от120 до300 K. lambdam практически не изменяется вдиапазоне температур 200-300 K. Рекордная стабильность lambdam связывается синтерференционными эффектами вокисной пленке, через которую выводится излучение светодиода. Показано, что одной из важных причин, определяющих стабильность ImEL, является уменьшение времени жизни неосновных носителей заряда суменьшением температуры.
Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Pizzini S. Эффективный кремниевый светодиод стемпературно-стабильными спектральными характеристиками // ФТП, 2003, том 37, выпуск 6, Стр. 756

Исследовано поведение кремниевых детекторов частиц, облученных электронами с энергией 2.5 МэВ, при отжиге. Обнаружено, что отжиг при 100-250oC приводит к образованию двух ловушек с уровнями Ec-0.32 эВ и Ev+0.29 эВ. При повышении температуры отжига до 300oC обе ловушки исчезают. Наосновании полученных данных сделан вывод о том, что обнаруженные ловушки связаны с водородосодержащими комплексами. Результатом наличия водорода в кристалле явилось понижение температуры отжига комплексов вакансия--кислород (VO) и <межузельный углерод>--<межузельный кислород>(CiOi). Причина этого эффекта связана с пассивацией этих комплексов водородом, с образованием электрически активного центра VOH (уровень Ec-0.32 эВ) на одной из промежуточных стадий этого процесса. Предполагается, что водород попал в исследованные структуры во время одной из технологических операций их изготовления.
Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Замятин Н.И. Обнаружение примеси водорода вкремниевых детекторах излучения // ФТП, 2003, том 37, выпуск 5, Стр. 629

Спектры излучения GaInAsSb/GaAlAsSb квантово-размерных диодных лазеров изучены в интервале температур -10/+20oC и токов 50-200 мА в импульсном и квазинепрерывном режимах. При превышениях тока над пороговым значением до30% обычно наблюдалась одномодовая генерация. Дальнейшее увеличение тока обычно приводило к добавлению еще 3-5 длинноволновых мод резонатора, свидетельствуя о росте коэффициента усиления в этой области спектра из-за взаимодействия мод. Водномодовом режиме длина волны излучения увеличивалась с ростом температуры с наклоном (2-3) Angstrem/K из-за нагревания лазера питающим током и вследствие роста коэффициента преломления. Оценено быстродействие нагревания лазера током--- 0.1 мкс.
Астахова А.П., Баранов А.Н., Висе А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Стоянов Н.Д., Черняев А., Яреха Д.А., Яковлев Ю.П. Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2.0-2.4 мкм // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 502

Методом сублимационной эпитаксии ввакууме наоснове 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- иp-типа проводимости. Наоснове полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюминесценции. Показано, что характеристики исследованных диодов близки к характеристикам диодов на основе объемного 3C-SiC. Сделан вывод оприменимости метода сублимационной эпитаксии для получения 3C-SiCp-n-структур на основе подложек других политипов карбида кремния.
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Кузнецов А.Н., Соловьев В.А., Полетаев Н.К. 3C-SiCp-n-структуры, полученные методом сублимации наоснове подложек6H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 4, Стр. 499

Обсуждаются транспортные свойства сверхрешеток со слабыми барьерами ивозможность создания блоховского генератора на основе таких сверхрешеток. Предлагается терагерцовый блоховский генератор всверхрешетке на основе структур n-GaAs--GaAlAs со слабыми барьерами. Из-за межминизонного туннелирования ток является растущей функцией поля, так что образование доменов невозможно. В то же время туннелирование иблоховские колебания приводят кдинамической отрицательной проводимости втерагерцовой области. Расчеты методом Монте--Карло показывают, что динамическая отрицательная проводимость существует вобласти частот 1-7 ТГц для сверхрешеток сумеренной подвижностью при77 K. Блоховский генератор должен состоять из сверхрешетки в350-700 периодов по150 Angstrem, помещенной между двумя контактными областями, которые представляют собой также отрезок полосковой линии (резонатор генератора). Предположительно он будет работать при77 K внепрерывном режиме.
Андронов А.А., Нефедов И.М., Соснин А.В. Транспорт всверхрешетках со слабыми барьерами ипроблема терагерцового блоховского генератора // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 378

Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника ввакуум вполевых фотодетекторах и вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник стуннельно-прозрачным слоем диэлектрика воже-транзисторе Al--SiO2--n-Si. Впервые показано, что существование глубоких самосогласованных квантовых колодцев на поверхности полупроводника всильном электрическом поле позволяет управлять энергией быстрых электронов, участвующих вударной ионизации вблизи базы оже-транзистора и изменяет фоточувствительность узкозонных полевых фотокатодов винфракрасной области спектра за счет образования транзисторной структуры на границе полупроводник--вакуум. Показано также, что и вполевых фотодетекторах, и втуннельных транзисторных структурах Al--SiO2--n-Si нужно учитывать только туннельный ток электронов и не учитывать ток дырок, поскольку ввакууме существует только ток электронов, а вструктуре Al--SiO2--n-Si туннелирование дырок из полупроводника вметалл маловероятно из-за большой эффективной массы дырок ввалентной зонеSiO2.
Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. Туннельная эмиссия электронов вфотополевых детекторах ивоже-транзисторе всверхсильных электрических полях // ФТП, 2003, том 37, выпуск 3, Стр. 372

Проведено экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего квантового выхода стимулированного излучения лазерных диодов на основе двойных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения (lambda=1.5-1.6 мкм). Лазерные гетероструктуры сразличным дизайном волноводного слоя изготавливались методом МОС-гидридной эпитаксии. Максимальное значение внутреннего квантового выхода стимулированного излучения etaist~ 97% было достигнуто вструктуре сдвойным ступенчатым волноводом, характеризующейся минимальными утечками в p-эмиттер за порогом генерации. Высокое значение etaist обусловлено низкими пороговой концентрацией и концентрацией неравновесных носителей на границе волновод p-эмиттер. Расчет значений etaist для исследуемых лазеров дал хорошее согласие сданными, полученными из эксперимента.
Скрынников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Тарасов И.С. Овнутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 243

Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла p-Cd1-xZnxTe (x=0.05). Врамках модели генерации--рекомбинации носителей Саа--Нойса--Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов.
Косяченко Л.А., Раренко И.М., Захарчук З.И., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Солончук И.В., Кабанова И.С., Маслянчук Е.Л. Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe // ФТП, 2003, том 37, выпуск 2, Стр. 238