Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

151.

Расщепление резонансных оптических мод вмикрорезонаторах Фабри-Перо     

Голубев В.Г., Дукин А.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Экспериментально исследовано расщепление резонансных оптических мод в микрорезонаторах Фабри-Перо с распределенными брэгговскими отражателями. Расщепление проявляется в поляризованном свете при больших углах падения на внешнюю границу микрорезонатора. Построена теоретическая модель явления, котор...
152.

Инжекционный ИК лазер (lambda =2.775 мкм) на основе двойной гибридной гетероструктуры AlGaAsSb / InAs / CdMgSe, выращенной методом молекулярно-пучковой эпитаксии     

Иванов С.В., Моисеев К.Д., Кайгородов В.А., Соловьев В.А., Сорокин С.В., Мельцер Б.Я., Гребенщикова Е.А., Седова И.В., Терентьев Я.В., Семенов А.Н., Астахова А.П., Михайлова М.П., Торопов А.А., Яковлев Ю.П., Копьев П.С., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Впервые продемонстрирована лазерная генерация всреднем ИК диапазоне при инжекционной накачке (длина волны lambda=2.775 мкм, пороговая плотность тока Jth=3-4 кА / см2 при 77 K) двойной гибридной гетероструктуры p-AlGaAsSb / n0-InAs / n-CdMgSe, выращенной методом двухстадийной молекулярно-пучковой ...
153.

Эффективный кремниевый светодиод стемпературно-стабильными спектральными характеристиками     

Емельянов А.М., Соболев Н.А., Мельникова Т.М., Pizzini S. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Описывается влияние температуры на параметры зона-зонного спектра излучения изготовленного из монокристаллического кремния светодиода, вкотором наблюдается самая высокая из известных температурная стабильность как интенсивности электролюминесценции вмаксимуме распределения по длинам волн (ImEL), ...
154.

Обнаружение примеси водорода вкремниевых детекторах излучения     

Макаренко Л.Ф., Коршунов Ф.П., Ластовский С.Б., Замятин Н.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Исследовано поведение кремниевых детекторов частиц, облученных электронами с энергией 2.5 МэВ, при отжиге. Обнаружено, что отжиг при 100-250oC приводит к образованию двух ловушек с уровнями Ec-0.32 эВ и Ev+0.29 эВ. При повышении температуры отжига до 300oC обе ловушки исчезают. Наосновании получе...
155.

Тепловая и токовая перестройка длины волны излучения квантово-размерных лазеров диапазона 2.0-2.4 мкм     

Астахова А.П., Баранов А.Н., Висе А., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Стоянов Н.Д., Черняев А., Яреха Д.А., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Спектры излучения GaInAsSb/GaAlAsSb квантово-размерных диодных лазеров изучены в интервале температур -10/+20oC и токов 50-200 мА в импульсном и квазинепрерывном режимах. При превышениях тока над пороговым значением до30% обычно наблюдалась одномодовая генерация. Дальнейшее увеличение тока об...
156.

3C-SiCp-n-структуры, полученные методом сублимации наоснове подложек6H-SiC     

Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов Д.В., Савкина Н.С., Трегубова А.С., Кузнецов А.Н., Соловьев В.А., Полетаев Н.К. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Методом сублимационной эпитаксии ввакууме наоснове 6H-SiC выращены слои 3C-SiC n- иp-типа проводимости. Наоснове полученной эпитаксиальной p-n-структуры были сформированы диоды и проведены исследования их параметров методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик, методом DLTS и электролюм...
157.

Транспорт всверхрешетках со слабыми барьерами ипроблема терагерцового блоховского генератора     

Андронов А.А., Нефедов И.М., Соснин А.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Обсуждаются транспортные свойства сверхрешеток со слабыми барьерами ивозможность создания блоховского генератора на основе таких сверхрешеток. Предлагается терагерцовый блоховский генератор всверхрешетке на основе структур n-GaAs--GaAlAs со слабыми барьерами. Из-за межминизонного туннелирования т...
158.

Туннельная эмиссия электронов вфотополевых детекторах ивоже-транзисторе всверхсильных электрических полях     

Калганов В.Д., Милешкина Н.В., Остроумова Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Исследовалось влияние сильного электрического поля, (5-7)· 107 B/см, на эмиссию электронов из полупроводника ввакуум вполевых фотодетекторах и вструктурах металл--диэлектрик--полупроводник стуннельно-прозрачным слоем диэлектрика воже-транзисторе Al--SiO2--n-Si. Впервые показано, что существо...
159.

Овнутреннем квантовом выходе стимулированного излучения InGaAsP/InP-гетеролазеров (lambda =1.55 мкм)     

Скрынников Г.В., Зегря Г.Г., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Шамахов В.В., Тарасов И.С. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Проведено экспериментальное и теоретическое исследование внутреннего квантового выхода стимулированного излучения лазерных диодов на основе двойных InGaAsP/InP-гетероструктур раздельного ограничения (lambda=1.5-1.6 мкм). Лазерные гетероструктуры сразличным дизайном волноводного слоя изготавливали...
160.

Электрические свойства поверхностно-барьерных диодов на основе CdZnTe     

Косяченко Л.А., Раренко И.М., Захарчук З.И., Склярчук В.М., Склярчук Е.Ф., Солончук И.В., Кабанова И.С., Маслянчук Е.Л. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2003
Исследованы диодные структуры, полученные вакуумным напылением Al на поверхность монокристалла p-Cd1-xZnxTe (x=0.05). Врамках модели генерации--рекомбинации носителей Саа--Нойса--Шокли достигнуто количественное описание электрических характеристик диодов. ...