Диоды с планарно-легированным потенциальным барьером--- приборы с переносом заряда основными носителями, для которых возможно управление высотой потенциального барьера и формой вольт-амперных характеристик за счет определенного сочетания слоев при выращивании эпитаксиальных структур. Эти приборы выступают в качестве потенциальной замены диодов с барьером Шоттки для ряда сверхвысокочастотных применений. В настоящей работе мы исследуем некоторые типичные проблемы, возникающие при выращивании структур с планарно-легированным потенциальным барьером методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Предлагается технология получения структур, основанная на сочетании газофазной эпитаксии с молекулярно-пучковой эпитаксией. Исследуются различные методы формирования омических контактов в структурах с планарно-легированным потенциальным барьером. Разработана технология, обеспечивающая малые контактные сопротивления (95%). Изготовленные сверхвысокочастотные диоды с планарно-легированным потенциальным барьером сопоставляются с диодами Шоттки на основе арсенида галлия.
Малеев Н.А., Волков В.В., Егоров А.Ю., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Кокорев М.Ф., Устинов В.М. Исследование планарно-легированных структур на основе арсенида галлия для сверхвысокочастотных диодов собъемным потенциальным барьером // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 346

Исследована температурная зависимость квантовой эффективности фотодиодов на основе кремниевых p-n-структур в области энергий фотонов 1.1-5.2 эВ и интервале температур 77-300 K. Показано, что для энергий фотонов, превышающих 1.4 эВ, изменение квантовой эффективности не превосходит 0.01% на градус. Проводится сопоставление температурной зависимости фотоотклика кремниевых фотодиодов и фотодиодов на основе GaAs и GaP барьеров Шоттки.
Гольдберг Ю.А., Забродский В.В., Оболенский О.И., Петелина Т.В., Суханов В.Л. Температурная зависимость квантовой эффективности кремниевых p-n-фотоприемников // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 344

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс диодных структур Pd/por-Si/n-Si в интервале температур 106-300 K. Прямая ветвь вольт-амперной характеристики при комнатной температуре экспоненциальна с коэффициентом неидеальности n>~= 12. При низкой температуре и высоком уровне инжекции зависимость тока от напряжения носит степенной характер с показателем степени, равным4.1. Обнаружено усиление фототока при увеличении обратного смещения; коэффициент усиления достигал значения103 при смещении более10 В и при106 K. Сделан вывод о преобладании механизма двойной инжекции носителей заряда в процессе переноса тока через пористый слой. При воздействии газообразного водорода фотоэдс уменьшается по величине на3, а темновые токи--- на 1порядок. Исследованные структуры характеризуются значительными релаксационными временами как нарастания токов, так и восстановления токов и фотоэдс--- после воздействия водорода. Влияние водорода на фотоэлектрические характеристики связывается с образованием дополнительного дипольного слоя на границе Pd/por-Si, понижающего барьер Шоттки.
Слободчиков С.В., Горячев Д.Н., Салихов Х.М., Сресели О.М. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодных структур n-Si/пористый кремний/Pd ивлияние наних газообразноговодорода // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 340

Исследована возможность получения методом жидкофазной эпитаксии твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y, изопериодных GaSb, вблизи границы области несмешиваемости. Изучен эффект влияния кристаллографической ориентации подложки на состав выращиваемых твердых растворов, наблюдался рост концентрации индия от 0.215 до 0.238 в твердой фазе Ga1-xInxAsySb1-y в ряду (100), (111)A, (111)B ориентаций подложки. Изменение состава твердого раствора приводит к сдвигу длинноволнового края спектрального распределения фоточувствительности. Использование подложки GaSb (111)B позволило, не снижая температуры эпитаксии, увеличить содержание индия в твердой фазе до 23.8% и создать длинноволновые фотодиоды со спектральной границей чувствительности lambdath=2.55 мкм. Описаны особенности технологии и основные характеристики таких фотодиодов. Предложенный технологический метод может быть перспективен для создания оптоэлектронных приборов (лазеров, светодиодов, фотодиодов) на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y с красной границей до 2.7 мкм.
Андреев И.А., Куницына Е.В., Михайлова М.П., Яковлев Ю.П. Длинноволновые фотодиоды на основе твердых растворов Ga1-xInxAsySb1-y c составом вблизи границы области несмешиваемости // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 249

Исследована перестройка длины волны излучения в диодных лазерах на основе структур InAsSb / InAsSbP. Рассматривается упрощенная математическая модель, учитывающая пространственно однородную накачку и зависимость диэлектрической проницаемости от концентрации носителей заряда. Показано, что в зависимости от величины тока накачки и параметров диодных структур возможно увеличение или уменьшение длины волны лазерного излучения с током, что наблюдается экспериментально. Процесс перестройки длины волны от тока является практически безынерционным процессом, определяющимся временем жизни фотона в резонаторе и частично временем жизни неравновесных носителей заряда.
Данилова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Степанов М.В., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Безынерционная перестройка частоты генерации диодных лазеров наоснове гетероструктур InAsSb / InAsSbP (lambda =3.3 мкм), обусловленная нелинейными оптическими эффектами // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 243

Созданы и исследованы светодиоды, излучающие в области длин волн 1.9--2.1 мкм, на основе двойных гетероструктур AlGaAsSb / GaInAsSb / AlGaAsSb с большим содержанием As(64%) в широкозонных областях. Светодиоды имеют конструкцию, позволяющую расположить активную область близко к отводящим тепло частям корпуса, а свет вывести через подложку GaSb, незаслоненную контактом. Светодиоды обладают в большом интервале токов линейной зависимостью мощности излучения от тока. Достигнута в квазинепрерывном режиме мощность излучения 4.6 мВт, а в импульсном режиме пиковая мощность 190 мВт при комнатной температуре. Показано, что еще при длительностях импульса 5 мкс переход от линейной к сублинейной зависимости мощности излучения от тока определяется не нагревом, а процессами оже-рекомбинации в активной области светодиода.
Данилова Т.Н., Журтанов Б.Е., Закгейм А.Л., Ильинская Н.Д., Именков А.Н., Сараев О.Н., Сиповская М.А., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Мощные светодиоды, излучающие вобласти длин волн 1.9-2.1 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 239

Показано, что в зависимости от состава активной области и (или) ограничивающих слоев на гетерограницах могут быть реализованы гетеропереходыI илиIIтипа. Это определяет различие в механизмах излучательной рекомбинации, температурных зависимостях длины волны излучения, типе поляризации излучения, вольт-амперных характеристиках.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Механизмы излучательной рекомбинации влазерах наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb / InAsSbP, работающих вдиапазоне3.0/ 3.6 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 233

Исследованы изменения спектров люминесценции и электрических свойств светодиодов на основе гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN в процессе длительной работы. Изучались голубые и зеленые светодиоды с одиночными квантовыми ямами InGaN в течение 102/ 2· 103 ч при токах до80 мА. Обнаружено увеличение интенсивности люминесценции при рабочих токах (15 мА) на 1-й стадии старения (100/ 800 ч) и медленное падение--- на 2-й. Наибольшие изменения спектров наблюдались при малых токах (
Ковалев А.Н., Маняхин Ф.И., Кудряшов В.Е., Туркин А.Н., Юнович А.Э. Изменения люминесцентных электрических свойств светодиодов изгетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при длительной работе // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 224

В рамках простой теоретической модели получен аналитический вид зависимости усиления от плотности тока накачки для лазеров с активной областью на основе самоорганизующихся квантовых точек. Показано, что преложенная модель хорошо описывает экспериментальные данные, полученные для лазерных диодов на основе квантовых точек InGaAs в матрице AlGaAs/GaAs, а также квантовых точек InAs в матрице InGaAs/InP. Изучены обнаруженные ранее эффекты насыщения усиления и перехода лазерной генерации с основного на возбужденное состояние квантовых точек. В рамках предложенной модели рассмотрен вопрос о влиянии плотности массива квантовых точек на пороговые характеристики лазеров на их основе.
Ковш А.Р., Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Копьев П.С. Особенности усиления в инжекционных лазерах на основе самоорганизующихся квантовых точек // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 215

Вольт-амперные характеристики, фоточувствительность и импеданс были исследованы для структур Al/пористый кремний/c-Si (p-типа) с толщиной пористого слоя 0.2/6 мкм и пористоcтью 80%. Показано, что в области обратных и небольших прямых смещений ток определяется потенциальным барьером подложки c-Si у изотипного гетероперехода <пористый кремний>/c-Si. Фоточувствительность определяется поглощением света в подложке c-Si. Потенциальный барьер контакта металл/<пористый кремний> не влияет на фоточувствительность и на вольт-амперные характеристики структур. Экспериментальные зависимости импеданса структур от приложенного постоянного смещения, толщины слоя пористого кремния и частоты хорошо согласуются с теоретическими, если использовать эквивалентную схему, включающую две последовательно соединенные параллельные RC-цепочки из сопротивления и геометрической емкости слоя пористого кремния, а также сопротивления и емкости потенциального барьера подложкиc-Si.
Яркин Д.Г. Транспортные свойства и фоточувствительность структур металл/пористый кремний/c-Si // ФТП, 1999, том 33, выпуск 2, Стр. 211