Методом МОС-гидридной эпитаксии получены лазеры на гетероструктурах InGaAsP/InP с широким мезаполосковым контактом, излучающие в диапазоне 1.3--1.5 мкм. Исследованы ватт-амперные и спектральные характеристики в импульсном и непрерывном режимах генерации в диапазоне температур 10-60oC. Определен перегрев активной области лазерного диода на 30-60oC относительно медного теплоотвода при насыщении мощности излучения в непрерывном режиме генерации. Установлено сильное влияние температурной зависимости дифференциальной квантовой эффективности на максимальную мощность в непрерывном режиме генерации гетеролазеров. В лазерах с мезаполосковым контактом шириной 100 мкм достигнута оптическая мощность излучения 3 и 2.6 Вт в непрерывном режиме генерации, 9 и 6.5 Вт--- вимпульсном режиме генерации соответственно на длинах волн 1.3 и 1.5 мкм.
Голикова Е.Г., Курешов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Рябоштан Ю.А., Скрынников Г.А., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Cвойства гетеролазеров на основе InGaAsP/InP c широким мезаполосковым контактом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 886

Приведены данные о пороговых токах, дифференциальной квантовой эффективности, спектральном составе, токовой перестройке и мощности излучения диодных мезаполосковых лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP на диапазон длин волн lambda=3.0-3.3 мкм с длиной резонатора 70-150 мкм в интервале температур 50-107 K. Получены значения пороговых токов Ith
Айдаралиев М., Beyer T., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Лазеры на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP (lambda =3.0-3.3 мкм) для диодно-лазерной спектроскопии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 881

Проведены расчеты в рамках одномерной диффузионно-дрейфовой модели характеристик фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe с варизонными слоями. Показано, что параметры диодов можно улучшить, если p-n-переход помещать не в центральную гомогенную часть структуры, а в проповерхностную варизонную область. Установлено, что диоды с n-слоем, прилежащим к подложке, имеют преимущество перед диодами с p-слоем у подложки при освещении со стороны подложки.
Васильев В.В., Есаев Д.Г., Кравченко А.Ф., Осадчий В.М., Сусляков А.О. Исследование влияния варизонности эпитаксиальных слоев на эффективность работы фотодиодов на основе твердых растворов CdxHg1-xTe // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 877

Получено точное аналитическое решение задачи о распределении электрического поля в плоском конденсаторе с бесконечно длинной щелью, тонкими электродами и неоднородным поверхностным зарядом на границе диэлектрика, заполняющего конденсатор. Такой конденсатор является хорошей моделью p-i-n-диода с мелкими планарными переходами, стоп-кольцом и слабо легированным охранным кольцом. Показано, что охранное кольцо с изменяющейся вдоль границы раздела полупроводник--вакуум поверхностной плотностью заряда Qs в принципе позволяет уменьшить максимальное значение краевого поля до объемного значения E0. Для этого необходимо, чтобы: а)ширина охранного кольца была по крайней мере в 3раза больше толщины обедненной области d; b)величина Qs была равна -E0varepsilon0(varepsilon+1/2) во внутренней области охранного кольца и плавно увеличивалась до E0varepsilon0(varepsilon+3/2) (при наличии стоп кольца) или до 0 (при его отсутствии) в полосе шириной не менее d, расположенной на внешней границе охранного кольца. Результаты расчетов применимы также для оптимизации профиля легирования диодов, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе".
Кюрегян А.С. Краевое поле высоковольтных планарных p-i-n-диодов снеоднородно легированным охранным кольцом // ФТП, 2000, том 34, выпуск 7, Стр. 868

Исследуется эффективность преобразования (коэффициент полезного действия) лазерных диодов с массивом квантовых точек в активной области. Предложена модель, позволяющая аналитически определить оптимальную длину диода, отвечающую наибольшей эффективности преобразования для заданной выходной мощности. Проведено сравнение с экспериментальными данными для мощных лазеров на основе суб-монослойных квантовых точек, излучающих на длине волны 0.94 мкм.
Жуков А.Е., Ковш А.Р., Михрин С.С., Малеев Н.А., Одноблюдов В.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Bimberg D. Эффективность преобразования лазерных диодов на основе квантовых точек // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 628

Исследован новый метод модуляции подвижности основных и неосновных носителей заряда в кремнии. Показано, что под воздействием лавинного пробоя локально расположенного p-n-перехода происходит увеличение или уменьшение подвижности носителей заряда в объеме полупроводника в зависимости от ориентации пробиваемого p-n-перехода относительно направления движения носителей заряда.
Новиков В.В., Варданян Р.Р., Пахомов Э.Е. Метод модуляции подвижности носителей заряда в полупроводнике // ФТП, 2000, том 34, выпуск 5, Стр. 625

Показано, что увеличение внутренних потерь за порогом генерации в лазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (диапазон длин волн lambda=3.0/3.6 мкм, температура T=77 K) приводит к токовой перестройке лазерной моды в голубую сторону, достигающей 80 см-1/А, и может объяснить уширение лазерной линии от 5 до 7 МГц с ростом тока накачки.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Beyer T., Brunner R. Спектральные характеристики лазеров на основе двойных гетероструктур InGaAsSb/InAsSbP (lambda =3.0/ 3.6 мкм) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 504

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений получены гетероструктуры InGaN/GaN с плотными массивами нанодоменов InGaN. Показано наличие лазерной генерации в вертикальном направлении при низких температурах, что свидетельствует о реализации сверхвысокого усиления в активной области (~105 см-1). Реализация эффективного распределенного брэгговского отражателя AlGaN/GaN с коэффициентом отражения, превышающим 90%, позволила получить лазерную генерацию в вертикальном направлении при комнатной температуре в структуре с нижним распределенным брэгговским отражателем, несмотря на отсутствие хорошо отражающего врехнего зеркала. Длина волны лазерной генерации составила 401 нм, а пороговая плотность возбуждения--- 400 кВт/см2.
Крестников И.Л., Сахаров А.В., Лундин В.В., Мусихин Ю.Г., Карташова А.П., Усиков А.С., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Алферов Ж.И., Сошников И.П., Hahn E., Neubauer B., Rosenauer A., Litvinov D., Gerthsen D., Plaut A.C., Hoffmann A., Bimberg D. Лазерная генерация в вертикальном направлении вструктурах InGaN/GaN/AlGaN сквантовыми точкамиInGaN // ФТП, 2000, том 34, выпуск 4, Стр. 496

Диоды Шоттки на основе n-n+-эпитаксиальных слоев 6H-SiC, полученных методом сублимационной эпитаксии, а также слоев, коммерчески выпускаемых компанией CREE (США), использовались для регистрации alpha-частиц естественного распада. Поскольку толщина n-пленок была меньше пробега частиц, геометрия опыта отличалась от традиционной с полным торможением частицы в области электрического поля детектора. Путем сопоставления расчетных и экспериментальных данных изучались особенности переноса неравновесного заряда в режимах полного и частичного обеднения структуры. Показано, как из анализа поведения амплитуды сигнала и формы амплитудного спектра в зависимости от смещения на диоде Шоттки можно извлечь значения характеристик материала, определяющих перенос носителей. Из результатов следует, что получаемые в настоящее время сублимационные слои SiC пригодны для создания на их основе детекторов ядерных частиц.
Лебедев А.А., Савкина Н.С., Иванов А.М., Строкан Н.Б., Давыдов Д.В. Эпитаксиальные пленки 6H-SiC как детекторы ядерных частиц // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 249

Сообщается о создании одномодового лазера на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP, излучающего на длинах волн 3.2/ 3.3 мкм в интервале температур 12/ 90 K. Предполагается, что одномодовый режим возникает вследствие создания в лазере плавного оптического волновода по ширине резонатора, в котором поток излучения колеблется, поддерживая свои колебания и интенсивность. Проанализировано влияние сдвига частоты генерации и максимума спектра усиления с током на вероятность одномодовой генерации. Проведено сканирование газовых сред OCS, NH3, CH3Cl и H2O излучением созданного лазера в рекордно широком интервале частот 10 см-1 (104 Angstrem).
Данилова А.П., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Цивиш С., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Одномодовый перестраиваемый на 100 Angstrem лазер наоснове InAsSb/InAsSbP (lambda ~ 3.2 мкм) // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 243