Выходные мощности в непрерывном режиме 9.2 Вт при постоянной температуре теплоотвода 10oC и 12.2 Вт в режиме стабилизации температуры активной области получены в лазере на основе InGaAs / AlGaAs (длина волны 1.03 мкм) с GaAs-волноводом толщиной 0.4 мкм. Достигнуты рекордно высокие плотности мощности на выходном зеркале 29.9 и 40 МВт/см2 без катастрофической оптической деградации зеркал при двух режимах термостабилизации соответственно. В лазере с длиной резонатора 2 мм достигнут максимальный коэффициент полезного действия 66%.
Лившиц Д.А., Егоров А.Ю., Кочнев И.В., Капитонов В.А., Лантратов В.М., Леденцов Н.Н., Налет Т.А., Тарасов И.С. Рекордные мощностные характеристики лазеров наоснове InGaAs / AlGaAs / GaAs-гетероструктур // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 380

Сообщается о создании перестраиваемых током диодных лазеров с узкой линией излучения на основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP с широким резонатором для лазерной спектроскопии в области длин волн 3.2-3.4 мкм. Волновое число увеличивается от 3030 до 3034 cм-1 при увеличении тока от 1.5 до 3пороговых значений при температуре 70 K. В то же время ширина линии (ширина на половине высоты) уменьшается от 18 до 10 МГц. Показано, что ширина линии связана с флуктуациями собственных частот лазерного резонатора вследствие флуктуации концентрации неравновесных носителей заряда в нем.
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат П., Моисеев К.Д., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Перестраиваемые током лазеры на3.3 мкм сузкой линией излучения // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 375

Приведены спектральные характеристики и мощность излучения светодиодов с длиной волны 3.1--3.6 мкм, изготовленных из структур, содержащих узкозонные слои InGaAs или InGaAsSb на подложке n+-InAs, в которых накачка осуществлялась с помощью светодиода из арсенида галлия. Получен коэффициент преобразования 90 мВт / А·см2, сравнимый с данными для инжекционных светодиодов.
Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н., Шустов В.В. Инфракрасные светодиоды соптическим возбуждением наоснове InGaAs(Sb) // ФТП, 2001, том 35, выпуск 3, Стр. 371

Исследованы физические процессы в транзисторах, в которые внесен новый конструктивный элемент--- решетка объемных неоднородностей в коллекторной области. Решетка приводит к уменьшению напряженности электрического поля у металлургической границы коллекторного p-n-перехода и препятствует развитию вторичного пробоя.
Волокобинский М.Ю., Комаров И.Н., Матюхина Т.В., Решетников В.И., Руш А.А., Фалина И.В., Ястребов А.С. Мощные высоковольтные биполярные транзисторы на основе сложных полупроводниковых структур // ФТП, 2001, том 35, выпуск 2, Стр. 245

Испытана новая конструкция лавинного фотодетектора, сочетающего свойства лавинного фотодиода и МДП структуры. Исследованы шумовые и высокочастотные характеристики прибора. Показано, что при высоких коэффициентах умножения (M>1000) коэффициент шума не превышает 10 даже при инжекции дырок, что говорит о кардинальном изменении эффективного отношения коэффициентов ударной ионизации электронами и дырками в пользу последних. Измерения распределения фоточувствительности по приемной площадке фотодетектора при M=8000 показали ее высокую однородность.
Садыгов З.Я., Бурбаев Т.М., Курбатов В.А. Лавинный фотодиод со свойствами структуры металл--диэлектрик--полупроводник // ФТП, 2001, том 35, выпуск 1, Стр. 115

Изучена токовая зависимость ширины линии излучения перестрaиваемых лазерных диодов на основе двойной гетероструктуры InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, работающих в спектральном диапазоне 3.3-3.4 мкм в интервале температур 50-80 K. Показано, что при небольших превышениях инжекционного токаI над пороговым значением Ith ширина линии излучения гиперболически зависит от разности I-Ith в соответствии с теориями Шавлова--Tаунса и Генри, учитывающими однородное распределение неравновесных носителей заряда по ширине волновода. При увеличении тока до(3-4)Ith линия перестает сужаться и начинает уширяться с ростом тока. Наблюдаемое уширение линии излучения объяснено наличием градиента концентрации неравновесных носителей заряда от середины к краям волновода и увеличением этого градиента с током в перестраиваемых лазерах при одновременном уменьшении длины волны излучения. Минимальная ширина линии генерации составляет 10-20 МГц.
Именков А.Н., Колчанова Н.М., Кубат Р., Цивиш С., Яковлев Ю.П. Уширение линии генерации вперестраиваемых током лазерах наоснове гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1468

Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений выращены гетероструктуры InAs / InAs0.93Sb0.07 / InAs в реакторе горизонтального типа при атмосферном давлении. На основе выращенных структур изготовлены светодиоды, работающие на длинах волн lambda=3.45 мкм (T=77 K), lambda=3.95 мкм (T=300 K). Квантовая эффективность светодиодов при комнатной температуре составила 0.12%.
Зотова Н.В., Кижаев С.С., Молчанов С.С., Попова Т.Б., Яковлев Ю.П. Длинноволновые светодиоды (lambda =3.4-3.9 мкм) на основе гетероструктур InAsSb / InAs, выращенных методом газофазной эпитаксии // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1462

С целью достижения максимальных значений внутреннего квантового выхода и выходной оптической мощности проведена оптимизация квантово-размерных лазерных гетероструктур InGaAsP / InP различных конструкций, излучающих в диапазоне длин волн 1.26--1.55 мкм. Экспериментально показано, что наибольший квантовый выход стимулированного излучения имеют гетеролазеры на базе лазерной структуры с расширенным трехступенчатым волноводом. В гетероструктурах предложенной конструкции обнаружено уменьшение выброса электронов из активной области в волновод. В лазерных диодах с шириной меза-полоска 100 мкм была получена мощность оптического излучения 4.2 Вт в непрерывном режиме генерации; квантовый выход составлял 85% при внутренних оптических потерях 3.6 см-1.
Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Скрынников Г.В., Соколова З.Н., Тарасов И.С., Фeтисова Н.В. Овнутреннем квантовом выходе и выбросе носителей вквантово-размерных лазерах наоснове InGaAsP / InP // ФТП, 2000, том 34, выпуск 12, Стр. 1457

Развита теория стационарной одномодовой генерации когерентного каскадного лазера на двух квантовых ямах. Найдены мощность и частота генерации в зависимости от тока когерентной накачки и параметров структуры. Показано, что режим автоподстройки существует и в двухъямной структруре, это обеспечивает эффективную генерацию и линейных ход возрастания мощности при увеличении тока накачки.
Елесин В.Ф., Цуканов А.В. Когерентный лазер надвухъямной структуре // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1404

Представлен обзор опубликованных нами сообщений о создании и исследовании лазеров на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающих в области длин волн lambda=3-4 мкм, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. В импульсном режиме получены максимальная рабочая температура 203 K, характеристическая температура 35 K, дифференциальная квантовая эффективность 20± 5%. Лазеры меза-полосковой геометрии с шириной полоска 10--30 мкм и длиной резонатора 200--500 мкм работают в непрерывном режиме до 110 K. Общая оптическая выходная мощность лазеров, работающих на постоянном токе, больше 10 мВт при температуре 82 K (lambda=3.6 мкм), и мощность, приходящаяся на одну моду, ограничивается величиной 2 мВт на одну поверхность. Достигается одномодовый режим генерации излучения в интервале температур 12--90 K.
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие вспектральной области3--4 мкм. ЧастьI // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1396