Методом молекулярно-пучковой эпитаксии изготовлены двойные лазерные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs раздельного ограничения с квантовой ямой. Изучение характеристик лазерных диодов с широким контактом (100 мкм) показало, что мощность катастрофической деградации зеркал может достигать практически тех же рекордных значений (20 MBт/см2), которые были получены ранее только для лазерных диодов на основе гетероструктур InGaAsP/GaAs.
Котельников Е.Ю., Кацнельсон А.А., Кудряшов И.В., Растегаева М.Г., Рихтер В., Евтихиев В.П., Тарасов И.С., Алферов Ж.И. Плотность мощности оптической деградации зеркал InGaAs/AlGaAs/GaAs-лазерных диодов // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1394

Предложена оригинальная конструкция волновода полупроводникового инжекционного лазера, позволяющая за счет более равномерного распределения поля основной моды снизить плотность мощности на зеркале лазерного диода. Вторым преимуществом от использования данного типа волновода является возможность более сильного подавления генерации поперечных мод высокого порядка. Дополнительным преимуществом является возможность располагать в таком волноводе несколько активных областей на значительном расстоянии друг от друга так, чтобы фактор оптического ограничения для них был практически одинаковым. Суть конструкции сводится к применению профиля показателя преломления, спадающего к середине волновода.
Котельников Е.Ю., Кудряшов И.В., Растегаева М.Г., Кацнельсон А.А., Школьник А.С., Евтихиев В.П. Лазерный волновод собратным градиентом показателя преломления // ФТП, 2000, том 34, выпуск 11, Стр. 1391

Исследованы вольт-амперные характеристики при T=100 и300 K, температурная зависимость прямого тока и фототока, влияние магнитного поля на фототок и влияние водорода на фотоэдс и темновой ток. Установлено, что механизм токопереноса как при T=100 K (I прапорционально exp(qV/4kT)), так и при T=300 K (I прапорционально Vm, m=4-5.6) определяется двойной инжекцией в диффузионном приближении. Диодные структуры усиливают фототок при обратном смещении. Установлено, что рост фототока в магнитном полеH (Delta Iph=alphaexpbeta H) может быть объяснен туннелированием фотоносителей при резонансном рассеянии на примесях с учетом их экспоненциального распределения по энергии.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. Механизм токопереноса и фотоэлектрические характеристики диодных структур n+-Si--n-Si--Al2O3--Pd // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1275

Показано, что инжекционные токи в структурах с блокированной прыжковой проводимостью (BIB-структуры) могут быть интерпретированы как токи термоэлектронной эмиссии Ричардсона через потенциальные барьеры. Потенциальные барьеры определяются химическим потенциалом электронов в областях N++-N+(N++-I). Также показано, что измерение потенциала инжекции является удобным методом определения степени компенсации в кремниевых структурах с "омическими" контактами.
Есаев Д.Г., Синица С.П. Инжекционные токи в кремниевых структурах с блокированной прыжковой проводимостью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1270

Произведен расчет термоэлектрических характеристик искусственно анизотропного материала, состоящего из полупроводниковых и сверхпроводящих слоев. Вычисляются поперечная термоэлектрическая добротность и чувствительность датчика малых тепловых потоков. Показано, что использование прослоек из высокотемпературного сверхпроводника существенно изменяет условия оптимизации геометрических параметров слоистой структуры (угла наклона слоев и отношения их толщин) по сравнению с нормальными проводниками. Термоэлектрическая добротность и чувствительность термоэлементов приготовленных из материала со сверхпроводящими прослойками, в 2--3раза превышает соответствующие параметры структуры со слоями из металла.
Пшенай-Северин Д.А., Равич Ю.И., Ведерников М.В. Искусственно анизотропный термоэлектрический материал с полупроводниковыми и сверхпроводящими слоями // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1265

Предложена и реализована новая методика экспериментального определения дифференциального усиления и дисперсии коэффициента амплитудно-фазовой связи в полупроводниковых инжекционных лазерах. Спомощью этой методики найдены значения alpha-фактора и дифференциального усиления для квантово-размерных полупроводниковых лазеров на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs с одной квантовой ямой в широком спектральном диапазоне (от 957 до 996 нм) при разных плотностях тока накачки (от 280 до 850 А/см2). Впервые для InGaAs-лазеров экспериментально найден коэффициент, характеризующий дисперсию групповой скорости и ограничивающий минимальную длительность импульса генерации на уровне 10-13 с.
Богатов А.П., Болтасева А.Е., Дракин А.Е., Белкин М.А., Коняев В.П. Аномальная дисперсия, дифференциальное усиление и дисперсия alpha -фактора в напряженных квантово-размерных полупроводниковых лазерах на основе InGaAs/AlGaAs/GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 10, Стр. 1258

На основе двойной гетероструктуры InAsSb/InAsSbP созданы лазеры с большой толщиной активной области (3 мкм) и большой шириной резонатора (40 мкм) для получения высокой направленности излучения в плоскости p-n-перехода, работающие вблизи 3.3 мкм. Изучены спектры генерации и диаграммы направленности при различных токах. Линия лазерного излучения смещается с током на 24 Angstrem. Полуширина диаграммы направленности составляет 9o в плоскости p-n-перехода и 63o в плоскости, перпендикулярной плоскости p-n-перехода. Проведено сопоставление экспериментальных результатов направленности потока излучения с теоретически ожидаемым для случая возникновения в резонаторе двух синфазных потоков с одинаковой амплитудой.
Астахова А.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Перестраиваемый лазер на основе InAsSb/InAsSbP свысокой направленностью излучения вплоскости p-n-перехода // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1142

Методом магнетронного сораспыления графитовой и медной мишеней в аргоно-водородной атмосфере на постоянном токе получены пленки аморфного гидрогенизированного углерода с различной концентрацией меди. Определено относительное содержание атомов углерода, меди, кислорода с использованием метода обратного резерфордовского рассеяния протонов и метода ядерных реакций. Исследована удельная проводимость пленок на постоянном токе в геометрии вдоль и поперек пленки. Данные по проводимости обсуждаются в модели среды, представляющей собой диэлектрическую матрицу с включениями двух разных проводящих фаз в виде графитоподобных и медных нанокластеров.
Звонарева Т.К., Лебедев В.М., Полянская Т.А., Шаронова Л.В., Иванов-Омский В.И. Элементный состав и электрические свойства пленок a-C : H<Cu>, полученных магнетронным распылением // ФТП, 2000, том 34, выпуск 9, Стр. 1135

Приведены результаты теоретического исследования предельных параметров (рабочей температуры, граничной частоты) и вольт-амперной характеристики одноэлектронных транзисторов на основе различных соединений металлов (Al/AlOx/Al, Al/SiO2/Al, Au/Al2O3/Au, Nb/Al2O3/Nb, Ti/TiOx/Ti, Cr/Cr2O3/Cr, Nb/NbOx/Nb). Сформулированы рекомендации по выбору материалоов и размеров структуры, которые могут использоваться на практике. Расчеты характеристик проводились с использованием созданного комплекса программ моделирования структур на эффекте одноэлектронного туннелирования SET-NANODEV по разработанным методике оценки предельных характеристик и двумерной численной модели металлического одноэлектронного транзистора.
Абрамов И.И., Новик Е.Г. Характеристики металлических одноэлектронных транзисторов на различных материалах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 1014

Исследованы высокочастотные характеристики фоточувствительных лавинных структур Si--SiC. Показано, что их быстродействие существенно выше, чем быстродействие кремниевых лавинных фотодиодов. Проведен теоретический анализ высокочастотных свойств лавинных фотодиодов, получены аналитические выражения для произведения ширины полосы на коэффициент усиления. Показано, что для структур типа металл--диэлектрик--полупроводник с отрицательной обратной связью это произведение не является универсальным параметром, поскольку при высоких коэффициентах усиления эффективная величина отношения коэффициентов ударной ионизации различными типами носителей заряда в таких структурах оказывается существенно иной, чем в лавинных фотодиодах.
Бурбаев Т.М., Курбатов В.А., Курочкин Н.Е., Холоднов В.А. Высокочастотные свойства лавинного умножения фотоносителей вструктурах сотрицательной обратной связью // ФТП, 2000, том 34, выпуск 8, Стр. 1010