Исследован токовый отклик варизонных слоев AlxGa1-xAs на оптическое и рентгеновское излучение. Варизонное поле в слоях AlxGa1-xAs толщиной15 мкм с изменениемx от0 до0.4 обеспечивает полное собирание зарядов, генерируемых ионизирующим излучением, и позволяет получить ампер-ваттную чувствительность AlxGa1-xAs до0.25 А/Вт. Вслоях с пониженным легированием узкозонной стороны варизонного слоя AlxGa1-xAs вольт-ваттная чувствительность к рентгеновскому излучению с энергией ниже15 кэВ достигает в фотовольтаическом режиме1.6· 103 В/Вт.
Пожела Ю., Пожела К., Шиленас А., Ясутис В., Дапкус Л., Киндурис А., Юцене В. Варизонный детектор ионизирующего излучения // ФТП, 2002, том 36, выпуск 1, Стр. 124

Излагается обзор наших сообщений о создании и исследовании лазеров на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAsSb/InAsSbP, излучающих в области длин волн 3-4 мкм, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии. Представлены результаты исследования спектральных характеристик и пространственного распределения когерентного излучения в зависимости от температуры и тока. Сувеличением температуры спектральные моды смещаются в длинноволновую сторону на 0.5-1.0 см-1. Токовая перестройка спектральных мод лазерного излучения практически безынерционна (10-8-10-12 с). Моды смещаются в коротковолновую сторону с увеличением тока на 50-60 Angstrem при температуре 77 K. Наибольшее смещение моды 104 Angstrem (10 см-1) достигнуто при температуре 62 K. Определена ширина спектральной линии излучения лазера, которая достигает 10 МГц. Впространственном распределении излучения лазеров обнаружены в некоторых случаях аномально узкие диаграммы направленности в плоскости p-n-перехода. Экспериментальные результаты токовой перестройки лазеров, обусловленные нелинейными оптическими эффектами, смодулированы математически. Расчеты находятся в хорошем соответствии с экспериментом. Спомощью перестраиваемых током лазеров зарегистрированы спектры пропускания газов: OCS, NH3, H2O, CH3Cl, N2O.
Данилова Т.Н., Именков А.Н., Колчанова Н.М., Яковлев Ю.П. Лазеры на основе двойных гетероструктур InAsSb/InAsSbP, излучающие вспектральной области 3-4 мкм // ФТП, 2001, том 35, выпуск 12, Стр. 1466

Исследованы деградационные характеристики светоизлучающих p-i-n-диодов BeZnSe/Zn(Be)CdSe. Показано, что использование вместо p-легированного BeZnSe : N эмиттера нелегированных короткопериодных сверхрешеток, обеспечивающих эффективный перенос дырок из p+-BeTe : N приконтактной области (инжектора дырок) в активную область, позволяет значительно увеличить время жизни светодиодов при экстремально больших плотностях постоянного тока (~ 4.5 кА/см2) при комнатной температуре.
Гордеев Н.Ю., Иванов С.В., Копчатов В.И., Новиков И.И., Шубина Т.В., Ильинская Н.Д., Копьев П.С., Рейшер Г., Вааг А., Ландвер Г. Повышенная деградационная устойчивость сине-зеленых A IIB VI светодиодов, не использующих легированных азотом слоев на основе ZnSe // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1396

Изучательные свойства высокоэффективных тонкопленочных поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 исследованы при температуре T=20 K. Краевая полоса фотолюминесценции наблюдается в базовом приборе при энергии1.191 эВ, но исчезает после испытания неинкапсулированного прибора во влажной атмосфере (относительная влажность85%) при повышенной температуре (85oC). Длинноволновые полосы при1.13 и1.07 эВ, связанные с оптическими переходами через уровни дефектов в пленке--- поглотителе, сохраняют интенсивность и спектральное положение. Снижение эффективности преобразования солнечного элемента после испытания обусловлено деградацией верхних широкозонных пленок и гетерограницы между CdS иCuInGaSe2.
Медведкин Г.А., Теруков Е.И., Сато К., Хасегава Ю., Хиросэ К. Фотолюминесцентные свойства поликристаллических солнечных элементов ZnO / CdS / CuInGaSe2 принизкой температуре // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1385

Разработана технология газофазной эпитаксии из металлорганических соединений (МОС-гидридной эпитаксии) лазерных гетероструктур всистеме твердых растворов InGaP/GaAs/InGaAs намодифицированной установке Epiquip VP-50-RP. Изготовлены меза-полосковые лазерные диоды спороговыми плотностями тока Jth=100-200 A/cм2, внутренними оптическими потерями alphai=1.3-1.7 см-1 и внутренним квантовым выходом etai=60-70%. Получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 5 Вт для лазерного диода сапертурой 100 мкм на длине волны излучения 1.03 мкм. Показано, что использование волноводных AlGaAs-слоев, увеличивающих глубину потенциальной ямы активной области для электронов, ослабляет температурную чувствительность лазерных гетероструктур втемпературном диапазоне 10--80oC.
Винокуров Д.А., Капитонов В.А., Николаев Д.Н., Станкевич А.Л., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Арсентьев И.Н., Тарасов И.С. InGaAs/GaAs/InGaP-лазеры сшироким контактом, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2001, том 35, выпуск 11, Стр. 1380

Методом плазмохимического газофазного осаждения изготовлены микрорезонаторы Фабри--Перо на длину волны 1.5 мкм на основе a-Si : H и a-SiOx : H. Распределенные брэгговские отражатели и активный слой выращены в едином технологическом цикле. Активный полуволновый слой легирован эрбием в процессе роста с помощью металлорганического соединения. За счет высокого оптического контраста достигнута большая добротность микрорезонатора (Q=355) при 3периодах в распределенных брэгговских отражателях. При этом интенсивность фотолюминесценции эрбия из микрорезонатора оказывается на 2порядка выше по сравнению с интенсивностью излучения эрбия из идентичного слоя a-Si : H без распределенных брэгговских отражателей. Проанализированы спектры пропускания, отражения и фотолюминесценции. Установлено, что спектральная форма линии фотолюминесценции эрбия (переход 4I13/2-> 4I15/2) из микрорезонатора практически совпадает с формой резонансного пика его спектра пропускания. Выполнены теоретические расчеты, позволившие полностью описать наблюдаемые экспериментальные спектры.
Голубев В.Г., Дукин А.А., Медведев А.В., Певцов А.Б., Селькин А.В., Феоктистов Н.А. Микрорезонаторы Фабри--Перо наоснове a-Si : H/a-SiOx : H сактивным слоем излегированного эрбием гидрогенизированного аморфного кремния // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1266

Влазерах на основе двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd)/InAsSbP (lambda=3.3 мкм, T=77 K) мощность многомодовой генерации составила 1.56 Вт в импульсном режиме (длительность импульсаtau=30 мкс, частота f=500 Гц) и160 мВт в непрерывном режиме, мощность одномодовой генерации составила18.7 мВт в непрерывном режиме. Показано, что разогрев активной области приводит к сублинейности ватт-амперных характеристик лазеров с "длинными" резонаторами, в то время как насыщение мощности в лазерах с "короткими" резонаторами (L=140-300 мкм) вызвано в основном увеличением внутренних потерь.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Мощные лазеры (lambda =3.3 мкм) наоснове двойных гетероструктур InGaAsSb(Gd) / InAsSbP // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1261

Рассмотрена нелинейная генерация разностной гармоники в инжекционном полупроводниковом лазере. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaP/GaAs/InGaAs, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне1 мкм и разностной моды в диапазоне10 мкм. Показано, что в лазере с шириной волновода100 мкм при мощностях коротковолновых мод~ 10 Вт мощность разностной моды может достигать~ 10 мВт.
Алешкин В.Я., Афоненко А.А., Звонков Н.Б. Генерация разностной моды вполупроводниковых лазерах // ФТП, 2001, том 35, выпуск 10, Стр. 1256

Разработана технология и изготовлены фотоприемные модули для спектральных диапазонов 3--5 и 8--12 мкм на основе гетероструктур Ga1-xCdxTe/GaAs и многослойных гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Фоточувствительные слои Hg1-xCdxTe выращивали на подложках GaАs спромежуточным буферным слоем CdZnTe. Сцелью уменьшения влияния поверхности на рекомбинационные процессы выращивались варизонные слои Hg1-xCdxTe сповышенным составом кповерхности. Разработан и изготовлен по КМОП/ПЗС технологии кремниевый мультиплексор с кадровой частотой считывания изображения 50 Гц. Гибридная микросборка матричных фотоприемников и мультиплексора проводилась методом групповой холодной сварки на индиевых столбах с контролем процесса присоединения. Изготовленные модули на основе слоев Hg1-xCdxTe размером 128x 128 элементов при рабочей температуре 78 K и частоте кадров 50 Гц имели температурное расширение 0.02 и 0.032 K для модулей с границей чувствительности 6 и 8.7 мкм соответственно. Фоточувствительные многослойные структуры с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs изготавливали методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Показано, что разработанная технология позволяет получать многоэлементные фотоприемники размером 128x128 элементов (lambdaпик~ 8 мкм) c температурным разрешением модуля 0.021 и0.06 K при рабочей температуре54 и65 K соответственно.
Овсюк В.Н., Сидоров Ю.Г., Васильев В.В., Шашкин В.В. Матричные фотоприемники 128x 128 наоснове слоев HgCdTe имногослойных гетероструктур сквантовыми ямами GaAs/AlGaAs // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1159

Представлены результаты разработки и изготовления МОП тиристоров. Изучены статические и динамические характеристики. Исследовано влияние облучения электронами на статические и динамические характеристики. Обнаружено, что облучение электронами существенно уменьшает время выключения МОП тиристора. Также наблюдалось увеличение плотности управляемого тока.
Чернявский Е.В., Попов В.П., Пахмутов Ю.С., Красников Ю.И., Сафронов Л.Н. Переходные характеристики МОП тиристоров, облученных электронами // ФТП, 2001, том 35, выпуск 9, Стр. 1154