Исследовано влияние излучения лазера на вольт-амперные характеристики и внутренний квантовый выход электролюминесценции после облучения. В результате воздействия при сверхкритических мощностях потока излучения (более 107 Вт/см2) наблюдалось сильное падение квантового выхода люминесценции и резкий рост токов утечек на вольт-амперных характеристиках. Предполагается, что мощное оптическое излучение, возбуждая электронную подсистему примесных атомов, способствует протеканию квазихимических реакций.
Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А. Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 499

Исследуется методика определения параметров глубоких центров по релаксационной задержке лавинного пробоя p-n-перехода. Используемый метод не накладывает ограничений на соотношение концентраций глубоких центров и легирующих примесей и может быть использован в тех случаях, когда вольт-фарадная характеристика образца плохо контролируется, либо эквивалентная схема p-n-перехода является сложной. Это может быть вследствие сильно компенсированных базовых областей, наличия высокоомных слоев или несовершенных омических контактов. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения параметров акцепторного уровня золота в p+-n-n+-структурах с высоким содержанием золота (NAu=0.9Nd).
Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К. Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 494

Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd--p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd--n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни ловушек. Для структур Pd--p-CdTe важен полупроводниковый режим двойной инжекции с I~ V2. Серия глубоких уровней захвата, в том числе в интервале 0.75/ 0.83 эВ, ответственна за длительный процесс релаксации фотоэдс и темнового тока после импульса потока H2.
Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. О влиянии уровней захвата на токоперенос вструктурах Pd--p(n)-CdTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 492

Были проведены исследования оптических свойств структур с островками InAs и узкими квантовыми ямами GaAs в AlGaAs-матрице. Формирование островков InAs производилось путем осаждения слоя InAs с эффективной толщиной менее одного монослоя. Показано возникновение эффекта экситонного волновода и появление генерации при оптической накачке в красной области спектра в структурах без внешнего оптического ограничения слоями с меньшим показателем преломления.
Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Жуков А.Е., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Козин И.Э., Белоусов М.В., Бимберг Д. Экситонный волновод илазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 488

Рассмотрены результаты применения поляризационной спектроскопии фоточувствительности тонкопленочных солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 с различными толщинами слоев CdS (50 и 100 нм) и ZnO (500 и 1000 нм). Установлено, что коэффициент наведенного фотоплеохроизма понижается, а квантовая эффективность фотопреобразования солнечных элементов повышается с ростом толщины фронтального слоя. Экспериментальные угловые и спектральные зависимости наведенного фотоплеохроизма связываются с антиотражающими свойствами фронтальных слоев ZnO. Сделан вывод о возможностях использования поляризационной спектроскопии фоточувствительности для экспрессной диагностики готовых солнечных элементов и оптимизации технологии их получения.
Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.W. Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 484

Показано, что в тонкопленочных фотопреобразователях на основе поликристаллического CdTe под действием излучения происходит изменение хемсорбционного равновесия на границах кристаллитов, что приводит к возникновению фотопамяти в результате изменения поверхностного потенциала и соответственно скорости поверхностной рекомбинации. Этот эффект может явиться причиной нестабильности параметров поликристаллических солнечных элементов и приводить как к ухудшению, так и к улучшению эффективности фотопреобразования. Рассмотрена экспериментальная методика, которая позволяет определять тип доминирующих поверхностных состояний на границах кристаллитов.
Воронков Э.Н., Шаронов А.Е., Колобаев В.В. Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe // ФТП, 1999, том 33, выпуск 4, Стр. 481

Теоретически исследованы характеристики биполярного вертикального двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере. Описаны его конструкция и принцип действия, а также проведена оптимизация топологии прибора. Показано, что выходной сигнал обусловлен двумя эффектами: эффектом поперечного отклонения неравновесных носителей заряда в базе и модуляцией инжекции поперечной разностью потенциалов в эмиттере.
Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А. Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор сускоряющими электрическими полями вбазе иэмиттере // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 370

Установлено, что в дырочном кремнии, легированном цинком в высокой концентрации (NZn~2·1016 см3), в результате термообработки в диапазоне температур 450/650oC возникают неоднородности электропроводности, которые препятствуют устойчивой работе преобразователя изображения ионизационного типа. Их формирование приводит к сильному возрастанию фотопроводимости (до102раз), изменению ее спектральной характеристики, возникновению долговременной релаксации фототока и остаточной проводимости, появлению токовых шнуров. Наблюдаемые явления удается объяснить в рамках модели, основанной на пространственном разделении носителей, когда рекомбинации неравновесных дырок с отрицательно заряженными центрами цинка препятствуют потенциальные барьеры, образованные этими неоднородностями. Предполагается, что неоднородности потенциала в p-Si(Zn) возникают в результате перераспределения центров цинка в кристалле с образованием включений i-типа проводимости в p-матрице.
Астрова Е.В., Воронков В.Б., Лебедев А.А., Лодыгин А.Н., Ременюк А.Д. Влияние термообработки нафотоэлектрические свойства фотоприемников наоснове Si(Zn) // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 362

Обнаружена бистабильность электролюминесценции в гетероструктуре IIтипа P-AlGaAsSb/p-InGaAsSb/N-AlGaAsSb со слабо легированными ограничительными слоями и узкозонной активной областью (ширина запрещенной зоны Eg=326 мэВ при температуре T=77 K). В прямой ветви вольт-амперной характеристики наблюдалось отрицательное дифференциальное сопротивление, контролируемое током. На конечном участке отрицательного дифференциального сопротивления наблюдалась интенсивная электролюминесценция с узкой полосой (полуширина ~ 7/ 10 мэВ), при этом энергия фотона в максимуме излучения превышала на 50 мэВ ширину запрещенной зоны узкозонного материала. Этот эффект объясняется туннельной инжекцией и непрямой излучательной рекомбинацией носителей, локализованных на гетерогранице AlGaAsSb/InGaAsSb. С ростом напряжения основной вклад начинают вносить излучательные переходы в объеме активной области и максимум излучения скачком сдвигается в длинноволновую сторону. Такие туннельно-инжекционные структуры могут быть использованы для создания управляемых током высокоэффективных светоизлучающих диодов.
Журтанов Б.Е., Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Воронина Т.И., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. Бистабильность электролюминесценции вдвойной гетероструктуре IIтипаAlGaAsSb/InGaAsSb // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 357

Cравнительное исследование температурной зависимости порогового тока, дифференциальной квантовой эффективности и поляризации света выполнено для гетероструктур I и II типа InAsSb / InAsSbP, а также для туннельно-инжекционного лазера на основе разъединенного гетероперехода II типа GaInAsSb / InGaAsSb. Получено экспериментальное доказательство подавления безызлучательной оже-рекомбинации в лазерах InAsSb / InAsSbP II типа с большим отношением разрывов зон на гетерогранице Delta Ev/Delta Ec=3.4. Ослабление температурной зависимости порогового тока установлено для обоих видов лазеров II типа. Максимальная рабочая температура Tlim=203 и 195 K и характеристическая температура T0=40 и 47 K были достигнуты соответственно для традиционного лазера InAsSb / InAsSbP II типа и туннельно-инжекционного лазера II типа на основе p-GaInAsSb / n-InGaAsSb.
Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Подавление оже-рекомбинации вдиодных лазерах наоснове гетеропереходов IIтипа InAsSb / InAsSbP иInAs / GaInAsSb // ФТП, 1999, том 33, выпуск 3, Стр. 351