Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

261.

Влияние когерентного электромагнитного излучения на эпитаксиальные диодные структуры фосфида галлия     

Иняков В.В., Моос Е.Н., Шрайнер Ю.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследовано влияние излучения лазера на вольт-амперные характеристики и внутренний квантовый выход электролюминесценции после облучения. В результате воздействия при сверхкритических мощностях потока излучения (более 107 Вт/см2) наблюдалось сильное падение квантового выхода люминесценции и резкий...
262.

Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода     

Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследуется методика определения параметров глубоких центров по релаксационной задержке лавинного пробоя p-n-перехода. Используемый метод не накладывает ограничений на соотношение концентраций глубоких центров и легирующих примесей и может быть использован в тех случаях, когда вольт-фарадная хара...
263.

О влиянии уровней захвата на токоперенос вструктурах Pd--p(n)-CdTe     

Слободчиков С.В., Салихов Х.М., Руссу Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследованы вольт-амперные характеристики и фотоэдс структур Pd--p(n)-CdTe и изменение их при импульсном воздействии водорода. Показано, что токоперенос в структурах Pd--n-CdTe [I~ exp(alpha V)] связан с двойной инжекцией носителей при их захвате на однородно распределенные по энергии уровни...
264.

Экситонный волновод илазерная генерация в структурах со сверхтонкими GaAs квантовыми ямами и InAs субмонослойными внедрениями в AlGaAs-матрице     

Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Максимов М.В., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Жуков А.Е., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Козин И.Э., Белоусов М.В., Бимберг Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Были проведены исследования оптических свойств структур с островками InAs и узкими квантовыми ямами GaAs в AlGaAs-матрице. Формирование островков InAs производилось путем осаждения слоя InAs с эффективной толщиной менее одного монослоя. Показано возникновение эффекта экситонного волновода и появл...
265.

Поляризационная фоточувствительность солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2     

Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Schock H.W. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Рассмотрены результаты применения поляризационной спектроскопии фоточувствительности тонкопленочных солнечных элементов ZnO / CdS / Cu(In,Ga)Se2 с различными толщинами слоев CdS (50 и 100 нм) и ZnO (500 и 1000 нм). Установлено, что коэффициент наведенного фотоплеохроизма понижается, а квантовая э...
266.

Фотопамять в тонкопленочных солнечных элементах на основе CdTe     

Воронков Э.Н., Шаронов А.Е., Колобаев В.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Показано, что в тонкопленочных фотопреобразователях на основе поликристаллического CdTe под действием излучения происходит изменение хемсорбционного равновесия на границах кристаллитов, что приводит к возникновению фотопамяти в результате изменения поверхностного потенциала и соответственно скоро...
267.

Вертикальный двухколлекторный тензотранзистор сускоряющими электрическими полями вбазе иэмиттере     

Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Теоретически исследованы характеристики биполярного вертикального двухколлекторного тензотранзистора с ускоряющими электрическими полями в базе и эмиттере. Описаны его конструкция и принцип действия, а также проведена оптимизация топологии прибора. Показано, что выходной сигнал обусловлен двумя э...
268.

Влияние термообработки нафотоэлектрические свойства фотоприемников наоснове Si(Zn)     

Астрова Е.В., Воронков В.Б., Лебедев А.А., Лодыгин А.Н., Ременюк А.Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Установлено, что в дырочном кремнии, легированном цинком в высокой концентрации (NZn~2·1016 см3), в результате термообработки в диапазоне температур 450/650oC возникают неоднородности электропроводности, которые препятствуют устойчивой работе преобразователя изображения ионизационного т...
269.

Бистабильность электролюминесценции вдвойной гетероструктуре IIтипаAlGaAsSb/InGaAsSb     

Журтанов Б.Е., Моисеев К.Д., Михайлова М.П., Воронина Т.И., Стоянов Н.Д., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Обнаружена бистабильность электролюминесценции в гетероструктуре IIтипа P-AlGaAsSb/p-InGaAsSb/N-AlGaAsSb со слабо легированными ограничительными слоями и узкозонной активной областью (ширина запрещенной зоны Eg=326 мэВ при температуре T=77 K). В прямой ветви вольт-амперной характеристики наблюдал...
270.

Подавление оже-рекомбинации вдиодных лазерах наоснове гетеропереходов IIтипа InAsSb / InAsSbP иInAs / GaInAsSb     

Зегря Г.Г., Михайлова М.П., Данилова Т.Н., Именков А.Н., Моисеев К.Д., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Cравнительное исследование температурной зависимости порогового тока, дифференциальной квантовой эффективности и поляризации света выполнено для гетероструктур I и II типа InAsSb / InAsSbP, а также для туннельно-инжекционного лазера на основе разъединенного гетероперехода II типа GaInAsSb / InGaA...