Исследована диаграмма направленности в дальней зоне диодных мезаполосковых лазеров с шириной полоска 10 мкм в зависимости от тока. Диаграмма направленности в плоскости p-n-перехода содержит одну продольную моду, ширина которой зависит от тока. Показано сравнением теоретически рассчитанных и экспериментально измеренных пространственных мод, что эта зависимость определяется изменением с током распределений интенсивности светового потока и концентрации свободных носителей по ширине полоска. В том случае, когда они близки к равномерным, наблюдается максимально узкая пространственная продольная мода и одномодовый спектр излучения.
Данилова Т.Н., Данилова А.П., Ершов О.Г., Именков А.Н., Шерстнев В.В., Яковлев Ю.П. Пространственное распределение излучения в дальней зоне мезаполосковых лазеров на основе InAsSb/InAsSbP в зависимости оттока // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 373

Были исследованы вольт-амперные характеристики GaN и Al0.08Ga0.92N p-i-n-диодов. Исследуемые p-i-n-структуры были выращены методом MOCVD на подложках 6H-SiC с использованием Si и Mg в качестве легирующих примесей. Во время роста структуры путем одновременого легирования донорной и акцепторной примесями была образована i-область. Анализ вольт-амперных характеристик показал, что механизм протекания тока в p-i-n-диодах обусловлен либо дрейфом термически возбужденных дырок, либо электронно-дырочной рекомбинацией в i-области через примесные центры,--- так, как это предсказывает теория Эшли--Милнса. Эти примесные центры приписываются акцепторным уровням Mg.
Кузнецов Н.И., Irvine K.G. Вольт-амперные характеристики GaN и AlGaN p-i-n-диодов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 369

Лазерные гетероструктуры в системе InGaAsP/InP исследовались автокорреляционными методами в режиме непрерывной накачки. Была показано, что как ниже, так и выше порога лазерной генерации их излучение состоит из сверхкоротких когерентных импульсов и была измерена временная когерентность этих импульсов. Была также исследована зависимость длительности импульсов от тока накачки. Полученные результаты интерпретируются как следствие коллективных резонансов в процессе излучательной рекомбинации. Для объяснения наблюдавшихся эффектов время жизни носителей рассматривалось как комбинация времени накопления и времени коллективного излучения.
Зайцев С.В., Георгиевский А.М. Время жизни неравновесных носителей вполупроводниках сточки зрения коллективного взаимодействия впроцессе излучательной рекомбинации // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 366

p+-n-структуры на Si n-типа проводимости с концентрацией легирующей примеси 1.7·1013-1.2·1014 см-3 облучались alpha-частицами 238Pu. На глубине 20 мкм создавался слой, содержащий радиационные дефекты с концентрацией порядка 3·1013 см-3. Такая плотность дефектов обусловила интенсивный сток неравновесных носителей в режиме инжекции--экстракции при стационарной инжекции, а также при импульсной генерации одиночными частицами. Это позволяет рассматривать поврежденный слой как внесенную в объем плоскость с бесконечной скоростью поверхностной рекомбинации. Радиационные дефекты участвовали также в уменьшении проводимости. При обратном смещении в структуре наблюдаются характерное распределение объемного заряда и, соответственно, зависимость емкости от смещения. Несмотря на наличие формально 3 областей заряда, на кривой емкости проявляются 4участка. Последнее связано с "дополнительной" ступенью заряда, возникающей в поле контактной разности потенциалов и присущей компенсированным глубокими уровнями полупроводникам.
Иванов А.М., Строкан Н.Б., Шуман В.Б. Свойства p+-n-структур с заглубленным слоем радиационных дефектов // ФТП, 1998, том 32, выпуск 3, Стр. 359

В рамках модели полностью истощенной базы построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением и мелким планарным затвором произволной ширины. Получены формулы для зависимостей подпороговых токов и коэффициента блокирования g от потенциалов электродов и параметров прибора: ширины истока и затвора, толщины и легирования базы. Показано, что достаточно сильное легирование не только влияет на параметры вольт-амперной характеристики и величину g, но и качественно изменяет вид вольт-амперной характеристики вблизи порога.
Кюрегян А.С., Юрков С.Н. Подпороговые характеристики транзисторов итиристоров сэлектростатическим управлением. I.Мелкий планарный затвор // ФТП, 1998, том 32, выпуск 2, Стр. 249

Впервые исследована генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре на основе гетеропереходов GaAs/AlAs, стабилизированная микрополосковым резонатором. Изготовленные структуры содержат приконтактные слои (спейсеры), препятствующие проникновению примесей в активную часть структуры и улучшающие временные характеристики системы. Микрополосковые контакты из сплава AuNiGe, связывающие структуру с внешней высокочастотной цепью, изготовлены в планарном исполнении, позволяющем минимизировать время задержки RC в области отрицательной дифференциальной проводимости благодаря уменьшению последовательного сопротивления и емкости структуры. Обнаружено сложное поведение отрицательной дифференциальной проводимости, обусловленное влиянием пространственного заряда в структурах со слоями-спейсерами.
Белоушкин А.А., Ефимов Ю.А., Игнатьев А.С., Карузский А.Л., Мурзин В.Н., Пересторонин А.В., Расулова Г.К., Цховребов А.М., Чижевский Е.Г. Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором // ФТП, 1998, том 32, выпуск 1, Стр. 124

Приведены результаты прямых измерений коэффициента усиления поляризованного и неполяризованного длинноволнового инфракрасного излучения горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях в конфигурациях Фогта и Фарадея. Проведено сравнение экспериментальных данных с расчетами коэффициента усиления.
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. Усиление излучения дальнего инфракрасного диапазона горячими дырками в германии в скрещенных электрическом и магнитном полях // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1482

Проведены исследования лазера дальнего инфракрасного излучения на межподзонных переходах горячих дырок в германии с концентрацией дырок 2.5· 1014 см-3 в конфигурациях полей Фогта и Фарадея. Представлены новые сравнительные данные для обеих конфигураций по областям полей, в которых происходит генерация, интенсивности и спектрам излучения и их зависимостям от температуры кристалла. Показано, что конфигурация Фогта предпочтительнее: шире область полей генерации, выше рабочая температура, богаче спектр излучения, больше интенсивность. Обсуждаются особенности характеристик лазера, проведено сопоставление с расчетом.
Воробьев Л.Е., Данилов С.Н., Кочегаров Ю.В., Тулупенко В.Н., Фирсов Д.А. Характеристики лазера дальнего инфракрасного диапазона нагорячих дырках вгермании вконфигурациях полей Фогта иФарадея // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1474

Развивается новый подход к описанию изотермической ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейного изменения потенциала полевого электрода Vg, основанный на представлениях о существенно неравновесном характере транспорта ионов, изначально локализованных у границы раздела (ГР) SiO2/Si на мелких объемных ловушках. В рамках термоэмиссионного механизма переноса ионов через барьер, сформированный поляризующим напряжением (Vg>0), рассчитаны динамические вольт-амперные характеристики деполяризации. Результаты расчетов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными--- узкие с полушириной ~ kT пики тока, проявляющиеся вблизи Vg=0, и их зависимости от температуры, скорости развертки и начальной плотности ионов у ГР SiO2/Si. На этом основании в области температур 423-453 K определены эффективная подвижность ионов mutheta=(2.5-11)·10-8 см2/В·с (theta--- коэффициент прилипания), энергия активации mu (Emu=~0.6 эВ) и глубина объемных ловушек в SiO2 (Et=~0.2 эВ). Согласно литературным данным, значения Emu=~0.6 эВ характерны для подвижных ионов Na+.
Гольдман Е.И., Ждан А.Г., Чучева Г.В. Кинетика ионной деполяризации Si-МОП-структур в режиме линейной развертки по напряжению // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1468

По методу эффекта поля в температурном интервале T=77/ 300 K исследована эффективная плотность мелких пограничных состояний Nss в короткоканальных (0.5/ 5 мкм) транзисторах типа Si-MNOS и полевых--- на основе GaAs с повышенной (более1012 см-2) концентрацией зарядов, встроенных в подзатворном диэлектрике. Обнаружена особенность Nss в виде пика, выраженная тем более отчетливо, чем ниже температура, выше концентрация встроенного заряда и короче затвор. Безотносительно к изменению перечисленных параметров, а также толщины подзатворного диэлектрика и отношения длины канала к его ширине этот пик проявляется при одних и тех же значениях проводимости каналов G~ q2/h. При этом энергетическая глубина пика плотности состояний (~ 40/ 120 мэВ) изменяется пропорциональноT, что выходит за рамки представлений о пограничных состояниях, обусловленных как сильным флуктуационным потенциалом, так и дефектами и ловушками. Результаты интерпретируются в рамках перколяционной теории проводимости сильно разупорядоченных систем. Представляется, что особенность связана с переходом от проводимости двумерной эффективной среды, имеющей место в условиях электронного экранирования флуктуационного потенциала, к проводимости по квазиодномерному потенциальному желобу, образуемому в условиях сильного флуктуационного потенциала локальными областями с пониженным потенциалом.
Аронзон Б.А., Бакаушин Д.А., Веденеев А.С., Рыльков В.В., Сизов В.Е. Проявление в спектре мелких пограничных состояний эффектов перколяционной проводимости короткоканальных полевых транзисторов // ФТП, 1997, том 31, выпуск 12, Стр. 1460