Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-диффузионному приближению. Используя редукцию уравнения теплового баланса за счет терморелаксационного члена, получено простое аналитическое выражение для вольт-амперных характеристик транзистора. В частности, ток насыщения транзистора в развитой ультраквазигидродинамической модели пропорционален (VG-Vt)3/2. Приведены результаты измерений характеристик тестовых гетеротранзисторов P-HEMT GaAlAs/InGaAs/GaAs с длиной канала~ 0.3 мкм, подтверждающие адекватность развитой модели, точность которой с дальнейшим уменьшением длины канала будет лишь увеличиваться.
Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Федоров Ю.В. Ультраквазигидродинамический электронный транспорт всубмикронных полевых МДП-транзисторах игетеротранзисторах // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 239

Построена замкнутая теоретическая модель эффекта поля в гетеротранзисторных структурах с модуляционным и delta-легированием. В модели последовательно учтены: квантование энергетического спектра электронов в канале и фермиевский характер заполнения соответствующих энергетических подзон. Используя оригинальный приближенный метод суммирования парциальных электронных плотностей нижних подзон пространственного квантования, получены результирующие зависимости поверхностной плотности от химического потенциала и напряжения на затворе транзистора, справедливые во всем диапазоне возможных концентраций носителей в канале, от малых (подпороговых) до сверхбольших (ультраквантовых).
Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В. Квантово-механические особенности эффекта поля вгетеротранзисторах смодуляционным иdelta -легированием // ФТП, 2000, том 34, выпуск 2, Стр. 234

Реализована пространственно одномодовая генерация в диапазоне длин волн 1.25--1.28 мкм в инжекционных лазерах на продложках GaAs. Максимальная выходная мощность при комнатной температуре составляет 110 мВт, дифференциальная эффективность 37%. Активная область лазера представляет собой массив самоорганизующихся квантовых точек InAs.
Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Каяндер И.Н., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25-1.28 мкм сквантовыми точками InAs на подложке GaAs // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 117

Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости от частоты и малая величина емкостной отсечки), емкостные измерения в таких структурах могут быть некорректны.
Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. Емкостные измерения вслучае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода отприложенного напряжения // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 113

Предложена модель токопереноса в диодах с барьером Шоттки, использующая представление о баллистическом переносе электронов через тонкую базу. Для нахождения коэффициентов прохождения при расчете прямых и обратных вольт-амперных характеристик, а также времени прохождения применялся метод матрицы переноса. Показано, что учет полной формы потенциала приводит к хорошему согласию экспериментальных и расчетных вольт-амперных характеристик. Обнаружено, что учет влияния тонкой базы приводит к понижению тока. Получено, что коэффициент прохождения через n-базу диода может быть близок к 1. Показано наличие большого числа локальных резонансов для коэффициента прохождения и немонотонная зависимость времени прохождения от энергии, обусловленные влиянием области базы. Проведены оценки частотного предела работы диодов. Предел быстродействия оказался в 10--100раз выше оценки, проведенной с использованием классических представлений.
Торхов Н.А., Еремеев С.В. Токоперенос в структурах Me--n-n+ с барьером Шоттки // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 106

Исследованы СД lambdamax=3.4, 4.3 мкм (t=20oC) при повышенных температурах. Показано, что для описания их работы в интервале температур t=20/ 180oC применимы классические представления об инжекционных источниках излучения и процессах рекомбинации носителей заряда. Температурные зависимости обратных токов ВАХ в области насыщения соответствуют возрастанию собственной концентрации носителей заряда в теории Шокли. Спектры излучения описываются в предположении прямых переходов зона--зона, сферически симметричных зон и термализованных носителей заряда. W-I-характеристики пропорциональны I2/3, что говорит о доминирующей роли безызлучательной оже-рекомбинации. Мощность излучения экспоненциально падает с температурой, что характерно для CHSH- и CHCC-процессов.
Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. Электролюминесценция светодиодов lambda =3.3/ 4.3 мкм наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP винтервале температур 20/ 180o C // ФТП, 2000, том 34, выпуск 1, Стр. 102

Исследована зависимость деградации мощных квантово-размерных лазерных диодов в системе GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от кристаллического совершенства отдельных слоев гетероструктуры. Кристаллическое совершенство слоев оценивалось методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. Численное моделирование кривых дифракционного отражения проводилось с использованием статического фактора Дебая--Валлера. Показано, что существенно более высокое кристаллическое совершенство лазерных гетероструктур достигается при использовании в качестве волноводных слоев бинарных сверхрешеток AlAs/GaAs вместо твердого раствораAlGaAs.
Евтихиев В.П., Котельников Е.Ю., Кудряшов И.В., Токранов В.Е., Фалеев Н.Н. Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 634

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены полупроводниковые гетероструктуры с вертикальными оптическими резонаторами, имеющие активные области на основе массивов квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследованы зависимости спектров отражения и фотолюминесценции от особенностей структуры активной области и оптических резонаторов. Предложенные гетероструктуры потенциально пригодны для создания оптоэлектронных приборов на диапазон длин волн вблизи 1.3 мкм.
Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Крестников И.Л., Лунев А.В., Сахаров А.В., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 629

Проведен анализ неустойчивости двумерной электронной жидкости в канале баллистического полевого транзистора на основе исследования баланса энергии. Найден критерий неустойчивости в общем случае произвольных граничных условий. Используя анализ баланса энергии, мы предлагаем прибор, обладающий большим инкрементом неустойчивости. Транзистор имеет пространственно неоднородный канал и аналогичен диффузору в классической гидродинамике. Вычисленные нами для данного прибора величины инкремента и порога неустойчивости находятся в соответствии с данными численного расчета.
Черемисин М.В., Самсонидзе Г.Г. Неустойчивость Дьяконова--Шура в баллистическом полевом транзисторе с пространственно неоднородным каналом // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 619

Представлены результаты экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур T=7/ 25 K, напряжения смещения -4/ 4 B и приведены соображения о механизмах протекания темнового тока. Выработаны рекомендации выбора напряжения смещения на структурах для оптимальной работы в качестве фотоприемника инфракрасного излучения.
Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В. Вольт-амперные характеристики фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью наоснове Si : As // ФТП, 1999, том 33, выпуск 5, Стр. 614