Связанные научные тематики:
тег
 
тег
 
тег
 




 Найдено научных статей и публикаций: 315, для научной тематики: Физика полупроводниковых приборов

251.

Ультраквазигидродинамический электронный транспорт всубмикронных полевых мдп-транзисторах игетеротранзисторах     

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В., Федоров Ю.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Показано, что в канале субмикронных полевых транзисторов электроны не успевают разогреться до квазистационарных температур, отвечающих балансу джоулева разогрева и терморелаксации. Отмеченный "недоразогрев" увеличивает эффективную подвижность по сравнению со значением mu(E), отвечающим дрейфово-д...
252.

Квантово-механические особенности эффекта поля вгетеротранзисторах смодуляционным иdelta -легированием     

Гергель В.А., Мокеров В.Г., Тимофеев М.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Построена замкнутая теоретическая модель эффекта поля в гетеротранзисторных структурах с модуляционным и delta-легированием. В модели последовательно учтены: квантование энергетического спектра электронов в канале и фермиевский характер заполнения соответствующих энергетических подзон. Используя ...
253.

Пространственно одномодовый лазер диапазона 1.25-1.28 мкм сквантовыми точками InAs на подложке GaAs     

Михрин С.С., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Малеев Н.А., Устинов В.М., Шерняков Ю.М., Каяндер И.Н., Кондратьева Е.Ю., Лившиц Д.А., Тарасов И.С., Максимов М.В., Цацульников А.Ф., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Бимберг Д., Алферов Ж.И. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Реализована пространственно одномодовая генерация в диапазоне длин волн 1.25--1.28 мкм в инжекционных лазерах на продложках GaAs. Максимальная выходная мощность при комнатной температуре составляет 110 мВт, дифференциальная эффективность 37%. Активная область лазера представляет собой массив ...
254.

Емкостные измерения вслучае сильной зависимости последовательного сопротивления базы диода отприложенного напряжения     

Лебедев А.А., Лебедев А.А., Давыдов Д.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Проведено исследование эпитаксиально-диффузионных 6H-SiC-диодов с наличием в базе высокоомной прослойки, сопротивление которой изменялось при включении диода в прямом направлении. Показано, что несмотря на отсутствие обычных признаков влияния последовательного сопротивления (независимость емкости...
255.

Токоперенос в структурах Me--n-n+ с барьером Шоттки     

Торхов Н.А., Еремеев С.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Предложена модель токопереноса в диодах с барьером Шоттки, использующая представление о баллистическом переносе электронов через тонкую базу. Для нахождения коэффициентов прохождения при расчете прямых и обратных вольт-амперных характеристик, а также времени прохождения применялся метод матриц...
256.

Электролюминесценция светодиодов lambda =3.3/ 4.3 мкм наоснове твердых растворов InGaAs и InAsSbP винтервале температур 20/ 180o C     

Айдаралиев М., Зотова Н.В., Карандашев С.А., Матвеев Б.А., Ременный М.А., Стусь Н.М., Талалакин Г.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 2000
Исследованы СД lambdamax=3.4, 4.3 мкм (t=20oC) при повышенных температурах. Показано, что для описания их работы в интервале температур t=20/ 180oC применимы классические представления об инжекционных источниках излучения и процессах рекомбинации носителей заряда. Температурные зависимости обратн...
257.

Связь надежности лазерных диодов с кристаллическим совершенством эпитаксиальных слоев, оцениваемым методом высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии     

Евтихиев В.П., Котельников Е.Ю., Кудряшов И.В., Токранов В.Е., Фалеев Н.Н. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Исследована зависимость деградации мощных квантово-размерных лазерных диодов в системе GaAs/AlGaAs, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии, от кристаллического совершенства отдельных слоев гетероструктуры. Кристаллическое совершенство слоев оценивалось методом высокоразрешающей рентген...
258.

Структуры InGaAs/GaAs с квантовыми точками в вертикальных оптических резонаторах для диапазона длин волн вблизи 1.3 мкм     

Малеев Н.А., Жуков А.Е., Ковш А.Р., Егоров А.Ю., Устинов В.М., Крестников И.Л., Лунев А.В., Сахаров А.В., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С., Алферов Ж.И., Бимберг Д. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены полупроводниковые гетероструктуры с вертикальными оптическими резонаторами, имеющие активные области на основе массивов квантовых точек InAs, помещенных во внешнюю квантовую яму InGaAs. Исследованы зависимости спектров отражения и ...
259.

Неустойчивость дьяконова--шура в баллистическом полевом транзисторе с пространственно неоднородным каналом     

Черемисин М.В., Самсонидзе Г.Г. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Проведен анализ неустойчивости двумерной электронной жидкости в канале баллистического полевого транзистора на основе исследования баланса энергии. Найден критерий неустойчивости в общем случае произвольных граничных условий. Используя анализ баланса энергии, мы предлагаем прибор, обладающий б...
260.

Вольт-амперные характеристики фотоприемников сблокированной прыжковой проводимостью наоснове Si : As     

Есаев Д.Г., Синица С.П., Чернявский Е.В. - Журнал "Физика и Техника Полупроводников" , 1999
Представлены результаты экспериментального исследования вольт-амперных характеристик структур с блокированной прыжковой проводимостью на основе Si : As. Проведен анализ поведения темнового тока в диапазоне температур T=7/ 25 K, напряжения смещения -4/ 4 B и приведены соображения о механизмах прот...