Методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и гидридов (МОС-гидридной эпитаксии) были получены лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов GaInAsP/GaInP/AlGaInP. Конструкция лазерной структуры была выбрана на основании расчета разрывов зон на гетерогранице в активной области волновода. На мезаполосковых лазерных диодах с шириной полоска W=5 мкм была получена в непрерывном режиме генерации оптическая мощность излучения 320 мВт с длиной волны излучения 780 нм.
Винокуров Д.А., Зорина С.А., Капитонов В.А., Лешко А.Ю., Лютецкий А.В., Николаев Д.Н., Пихтин Н.А., Станкевич А.Л., Фетисова Н.В., Шамахов В.В., Тарасов И.С. GaInAsP/GaInP/AlGaInP-лазеры, излучающие на 780 нм, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1473

Сообщаются результаты исследования светодиодов, работающих в средней инфракрасной области спектра (lambda=1.7-1.9 мкм). Подложечная часть светодиодных кристалликов на основе GaSb после химической огранки приобрела конусно-пирамидальную форму, и число граней кристаллика увеличилось с6 до10. Исследование спектров излучения и диаграмм направленности показало, что химическая огранка кристаллика увеличивает внешний квантовый выход излучения и делает диаграмму направленности почти полусферической.
Гребенщикова Е.А., Именков А.Н., Журтанов Б.Е., Данилова Т.Н., Черняев А.В., Власенко Н.В., Яковлев Ю.П. Свойства светодиодов на основеGaSb, полученных путем химической огранки подложечной части светодиодных кристаллов // ФТП, 2003, том 37, выпуск 12, Стр. 1465

Разработана технология получения гетероструктур раздельного ограничения с сильнонапряженными квантовыми ямами в системе твердых растворов InGaAsP/InP методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Исследованы свойства InGaAsP и InGaAs квантовых ям и проанализировано влияние параметров гетероструктуры на длину волны излучения. На базе выращенных гетероструктур созданы мощные многомодовые и одномодовые лазерные диоды мезаполосковой конструкции с длиной волны генерации lambda=1.7-1.8 мкм. Максимальная непрерывная мощность излучения при комнатной температуре составила 1.6 Вт и150 мВт многомодовых и одномодовых лазерных диодов соответственно. Одномодовый режим генерации сохранялся вплоть до 100 мВт.
Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Слипченко С.О., Соколова З.Н., Фетисова Н.В., Лешко А.Ю., Шамахов В.В., Андреев А.Ю., Голикова Е.Г., Рябоштан Ю.А., Тарасов И.С. 1.7--1.8 мкм лазерные диоды на основе квантово-размерных InGaAsP/InP-гетероструктур // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1394

В работе исследованы термоэлементы с боковым теплообменом. Они отличаются от стандартных термоэлементов расположением ветвей: одна пара торцов приведена в идеальный тепловой и электрический контакт, а другая пара находится в изотермическом контакте с термостатом; на одну из боковых граней падает тепловой поток, а три остальные адиабатически изолированы от внешней среды. Исследованы термоэдс и коэффициент полезного действия в стационарных условиях. Осуществлен анализ полученных результатов и их возможных применений.
Ащеулов А.А., Охрем В.Г., Охрем Е.А. Термоэлементы сбоковым теплообменом // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1389

Разработан метод иизготовлены p-i-n-фотодиоды для спектрального диапазона 1.3-1.5 мкм на основе многослойных гетероструктур Ge/Si сквантовыми точками Ge, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на кремниевой подложке. Слоевая плотность квантовых точек составляет 1.2·1012 см-2, размеры точек вплоскости роста~8 нм. Достигнута наименьшая из известных влитературе для фотоприемников Ge/Si величина темнового тока при комнатной температуре (2·10-5 А/см2 при обратном смещении1 В). Получена квантовая эффективность 3% на длине волны1.3 мкм.
Якимов А.И., Двуреченский А.В., Никифоров А.И., Чайковский С.В., Тийс С.А. Фотодиоды Ge/Si со встроенными слоями квантовых точек Ge дляближней инфракрасной области (1.3-1.5 мкм) // ФТП, 2003, том 37, выпуск 11, Стр. 1383

Исследованы температурные зависимости рабочих характеристик низкопороговых (пороговая плотность тока менее 100 А/см2), высокоэффективных (дифференциальная квантовая эффективность до88%) инжекционных лазерных гетероструктур. Структуры содержали2, 5 и10слоев квантовых точек InAs--GaAs в качестве активной области и излучали в диапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм. Показано, что изменение распределения носителей в активной области с неравновесного на равновесный приводит к N-образному характеру температурной зависимости пороговой плотности тока и внешней дифференциальной квантовой эффективности.
Новиков И.И., Максимов М.В., Шерняков Ю.М., Гордеев Н.Ю., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Михрин С.С., Малеев Н.А., Васильев А.П., Устинов В.М., Алферов Ж.И., Леденцов Н.Н., Бимберг Д. Температурные характеристики низкопороговых высокоэффективных лазеров наквантовых точках, излучающих вдиапазоне длин волн 1.25-1.29 мкм // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1270

Рассматриваются конструктивно-технологические проблемы при создании структур полупроводниковых вертикально излучающих лазеров снепроводящими распределенными брэгговскими отражателями, полученныx методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Вертикально излучающие лазеры сактивной областью сформированы на основе квантовых ям InGaAs, с нижним полупроводниковым и верхним оксидированным брэгговскими отражателями при диаметре оксидированной апертуры 7--12 мкм. Приборы демонстрируют лазерную генерацию внепрерывном режиме при комнатной температуре спороговыми токами 0.5--1.5 мА, дифференциальной эффективностью до 0.5 мВт/мА и максимальной выходной мощностью до 3 мВт.
Малеев Н.А., Ковш А.Р., Жуков А.Е., Васильев А.П., Михрин С.С., Кузьменков А.Г., Бедарев Д.А., Задиранов Ю.М., Кулагина М.М., Шерняков Ю.М., Шуленков А.С., Быковский В.А., Соловьев Ю.М., Moller C., Леденцов Н.Н., Устинов В.М. Конструкция итехнология изготовления вертикально излучающих лазеров снепроводящими эпитаксиальными зеркалами // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1265

Исследовалось влияние облучения быстрыми нейтронами(1 МэВ) на электрические свойства Al-барьеров Шоттки иионно-легированных алюминием p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-диодов, сформированных на основе высокоомных чистых эпитаксиальных слоев 4H-SiC n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксаии. Использование таких структур позволило проводить исследования радиационных дефектов вэпитаксиальном слое при температурах до700 K. После облучения образцов нейтронами сфлюенсом 6· 1014 см-2 наблюдалось исчезновение выпрямляющих свойств диодных структур из-за высокого (до 50 ГОм) сопротивления радиационно-нарушенного слоя. Однако при температуре650 K диодные характеристики облученных p+\kern-1pt-n-n+\kern-1pt-структур частично восстанавливались.
Калинина Е.В., Холуянов Г.Ф., Давыдов Д.В., Стрельчук А.М., Hallen A., Константинов А.О., Лучинин В.В., Никифоров А.Ю. Влияние облучения быстрыми нейтронами на электрические характеристики приборов на основе CVDэпитаксиальных слоев 4H-SiC // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1260

Рассмотрены основные проблемы, возникающие при изготовлении наноразмерных транзисторов. Апробированы альтернативные классическому МОП-транзистору конструкции полевых транзисторов на структурах кремний-на-изоляторе сразличной конфигурацией затвора. Показано, что наиболее перспективными являются конструкции многоканальных транзисторов на однородно легированных слоях кремния-на-изоляторе стрехмерным затвором, которые позволяют решить как проблему смыкания областей обеднения стока--истока (вклассических МОП-транзисторах), так и проблему малой плотности тока вконструкциях содним каналом.
Наумова О.В., Антонова И.В., Попов В.П., Настаушев Ю.В., Гаврилова Т.А., Литвин Л.В., Aсеeв А.Л. Нанотранзисторы кремний-на-изоляторе: перспективы ипроблемы реализации // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1253

Представлена модель для объяснения особенностей электронного транспорта всильных электрических полях вуниполярном гетероструктурном транзисторе сквантовыми точками (AlGaAs/GaAs/InAs/GaAs/InAs). Показано, что двухступенчатая форма выходной вольт-амперной характеристики ID(VD) ианомальная зависимость тока стокаID от напряжения на затвореVG обусловлены ионизацией квантовых точек всильном электрическом поле вблизи стокового края затвора. Ионизация квантовых точек зарождается при напряжении стокаVD, превышающем значениеVD1, при котором зависимость ID(VD) выходит на насыщение (первая ступенька вольт-амперной характеристики). При последующем увеличенииVD, т. е. при VD>VD1, зависимость ID(VD) за счет ионизации квантовых точек снова испытывает крутой подъем изатем при VD=VD2>VD1 токID вторично выходит на насыщение (вторая ступенька на характеристике). Этот эффект предлагается использовать для определения заселенности квантовых точек электронами. Представленная модель также описывает наблюдаемое вэксперименте двукратное изменение знака крутизны gm=dID/dVG как функцииVG.
Мокеров В.Г., Пожела Ю.К., Федоров Ю.В. Электронный транспорт вуниполярных гетероструктурных транзисторах сквантовыми точками всильных электрических полях // ФТП, 2003, том 37, выпуск 10, Стр. 1248