Квантовые точки InAs в матрице InGaAs, выращенной на подложке InP методом молекулярно-пучковой эпитаксии, были использованы в качестве активной области инжекционного лазера. Лазерная генерация через состояния квантовых точек наблюдалась в диапазоне температур 77/200 K. При наименьшей пороговой плотности тока 11 А/см2 длина волны излучения составила 1.894 мкм (77 K).
Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р., Устинов В.М., Зайцев С.В., Гордеев Н.Ю., Копчатов В.И., Лунев А.В., Цацульников А.Ф., Воловик Б.В., Леденцов Н.Н., Копьев П.С. Исследование приборных характеристик низкопорогового лазера наквантовых точках, излучающего на1.9 мкм // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 892

В представленной работе исследовались диодные структуры Me--кремний-водородная пленка--Si. Основные особенности проведенных измерений состоят в том, что, во-первых, использована методика сдвоенных импульсов напряжения прикладываемых к образцу и, во-вторых, измерения проведены в температурном диапазоне от 294 K до 334 K. Сопоставление полученных результатов с данными предыдущей работы позволило сделать достоверные оценки основных характеристик кремний-водородных пленок, таких как дрейфовая подвижность, концентрация ловушек, их энергия ионизации, сечение захвата носителей тока.
Белов С.В., Лебедев А.А. Импульсные исследования диодных структур наоснове кремний-водородных пленок // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 889

Разработана технология многопереходных кремниевых солнечных элементов, основанная на ионной имплантации и твердофазном прямом сращивании p+-p-n+-структур. Внутренний квантовый выход таких структур близок к единице в интервале длин волн 350/900 нм.
Воронков В.Б., Гук Е.Г., Козлов В.А., Шварц М.З., Шуман В.Б. Использование твердофазного прямого сращивания кремния дляформирования структур солнечных элементов свертикальными p-n-переходами // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 886

Измерены температурные зависимости тока I при напряжениях обратного смещения структур Al--SiO2-n-Si, Al--SiO2-n-GaAs и Al--n-GaAs (с собственным окислом). Установлено, что общим свойством этих зависимостей является уменьшение энергии термической активации с увеличением приложенного напряжения и отклонение этих зависимостей от прямой, изображенных в координатах ln I от 1/T, наблюдаемое при более высоких напряжениях. Результаты объясняются на основе того, что ток через барьер обусловливается туннелированием электронов из поверхностных состояний в зону проводимости полупроводника. Из сопоставления результатов опыта с теорией туннелирования, в которой учтено влияние фононов решетки полупроводника на вероятность туннелирования, даны оценки напряженности поля в барьере Шоттки и поверхностной плотности электронных состояний в граничном слое полупроводника.
Пипинис П.А., Римейка А.К., Лапейка В.А. Температурная зависимость обратного тока вдиодах сбарьером Шоттки // ФТП, 1998, том 32, выпуск 7, Стр. 882

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ) и скрытым затвором произвольной формы. Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений. Показано, что подпороговый ток jd для ТЭУ с нелегированной и слабо легированной базой зависит от потенциалов затвора Ug и стока Ud по закону ln jd прапорционально - Ug(g-Ud/Ug)3/2 вне зависимости от типа проводимости, где g--- коэффициент блокирования. Если база сильно легирована акцепторами, то ln jd прапорционально - (gUg-Ud)2, однако для транзисторов с электростатическим управлением с сильно легированной базой n-типа аналитическое решение задачи невозможно. В качестве примера подробно рассмотрен вариант глубокого скрытого затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для g и параметров вольт-амперных характеристик в зависимости от размеров ячейки ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.
Кюрегян А.С. Подпороговые характеристики транзисторов итиристоров сэлектростатическим управлением. III. Скрытый затвор // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 752

Построена физическая модель, устанавливающая связь между поверхностной плотностью свободного электронного заряда инверсионного слоя и поверхностной концентрацией неподвижных (локализованных) электронов, захваченных поверхностными состояниями границы раздела полупроводник--диэлектрик. Установлено, что при не слишком низких температурах эта связь близка к прямой пропорциональности. При этом наличие поверхностных состояний, локализующих часть поверхностного электронного заряда, проявляется как уменьшение эффективной подвижности электронов в канале МДП транзистора. Известное уменьшение поверхностной подвижности с ростом поперечного электрического поля трактуется как следствие полевых изменений положения уровня протекания, отделяющего связанные электронные состояния от свободных.
Гергель В.А., Тимофеев М.В., Зеленый А.П. О температурной и полевой зависимости эффективной поверхностной подвижности в МДП структурах // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 748

Исследована стойкость туннельно-тонких (2/3 нм) пленок SiO2 к длительному протеканию токов высокой плотности (102/103 А/см2). Обнаружено резкое возрастание заряда, который туннельная МОП структура способна пропустить через себя без деградации при переходе от инжекции Фаулера--Нордгейма к прямому туннелированию (соответственно 103 Кл/см2 и 107 Кл/см2). Исследование деградации пленок SiO2 проводилось с использованием тиристорных структур Al/SiO2/n-Si/p+-Si при положительном смещении на полупроводнике, т. е. при обратном смещении МОП структуры. Это позволило обеспечить однородность распределения тока по площади, а также контролировать состояние диэлектрического слоя путем измерения усиления прибора в фототранзисторном режиме.
Грехов И.В., Шулекин А.Ф., Векслер М.И. Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока // ФТП, 1998, том 32, выпуск 6, Стр. 743

Теоретически и экспериментально исследовано влияние высокой генерационно-рекомбинационной способности омического контакта (S-контакт) на процессы эксклюзии--аккумуляции в структурах с антизапорным контактом (асимметричных структурах типа p+-p-S). Показано, что в отличие от традиционно исследуемой симметричной структуры p+-p-p+ в рассматриваемой структуре в зависимости от направления тока формируется либо область аккумуляции, либо область эксклюзии. Концентрация неравновесных носителей в слое аккумуляции оказывается значительно выше, а эксклюзионная область длиннее, чем в симметричной структуре. Для Ge при 300 K экспериментально получено 100-кратное превышение концентрации n по отношению к равновесному значению n0. Протяженность эксклюзионной области достигала 96% длины образца. Предложены области применения структур с антизапорным и омическим контактами на базе узкозонных материалов.
Малютенко В.К., Тесленко Г.И., Вайнберг В.В. Эксклюзия и аккумуляция носителей заряда, усиленные омическим контактом // ФТП, 1998, том 32, выпуск 5, Стр. 634

Теоретически показано, что коэффициент поглощения циркулярно-поляризованной электромагнитной волны при циклотронном резонансе тяжелых дырок с отрицательными эффективными массами в алмазе в параллельных электрическом и магнитном полях, ориентированных вдоль оси [001] кристаллической решетки, принимает отрицательные значения на частоте любой из n+1 гармоник (n=0,4,8 и т. д.) при правой (электронной) поляризации и на частоте любой из n-1 гармоник (n=4,8,12 и т. д.) при левой (дырочной) поляризации. В электрическом поле E~104 В / см и магнитных полях H=30/80 кЭ, при температуре решетки 77/100 K и концентрации дырок (3/5)· 1015 см-3 коэффициент поглощения электромагнитной волны на частоте 3-й гармоники omega3=3omega=2.5· 1012 с-1 (длина волны lambda3=0.92 мм) достигает значений eta3=(-7)/(-30) см-1.
Чуенков В.А. О возможности усиления электромагнитных волн на частоте нечетныхгармоник при циклотронном резонансе тяжелых дырок сотрицательными эффективными массами в полупроводниковом алмазе // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 504

Построена строгая аналитическая теория блокирующего состояния тиристоров и транзисторов с электростатическим управлением (ТЭУ). Задачи о распределении потенциала в базе, высоте барьера для электронов и вольт-амперной характеристике в подпороговой области решены в квадратурах методом конформных отображений для ТЭУ с произвольной конфигурацией планарного затвора, примыкающего к истоку. Показано, что подпороговые вольт-амперные характеристики ТЭУ имеют универсальный вид, который не зависит от конфигурации затвора. В качестве примера исследован вариант планарного затвора квазиэллиптической формы, соответствующий конфигурациям большинства реальных приборов. В предельных случаях получены простые формулы для коэффициента блокирования и параметров вольт-амперной характеристики в зависимости от геометрических параметров ТЭУ, легирования базы и потенциала затвора.
Кюрегян А.С. Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров сэлектростатическим управлением. II.Глубокий планарный затвор // ФТП, 1998, том 32, выпуск 4, Стр. 497